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OptiMOS™ および StrongIRFET™ ファミリー選択ガイド

20V〜300VのパワーMOSFETにより、さまざまなアプリケーションでイノベーションと性能向上を実現

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概要

広いスイッチング周波数に対応するOptiMOS™パワーMOSFET

OptiMOS™パワーMOSFETは、最高の効率と電力密度を兼ね備えたクラス最高の性能を提供します。

最先端のMOSFET技術と革新的なパッケージの組み合わせにより、電源ソリューションに究極の性能をもたらします。 超低RDS(on)と、高スイッチング周波数アプリケーションに最適な高効率と電力密度などの特長を備えています。

OptiMOS™とStrongIRFET™ の ポートフォリオを見る
スイッチング周波数<100kHz 用途におけるStrongIRFET™ パワーMOSFET　

StrongIRFET™ パワーMOSFETは、堅牢な産業用アプリケーション向けに設計されており、スイッチング周波数が低い設計や高い電流容量を必要とする設計に最適です。 このファミリーは、堅牢なシリコンと幅広いパッケージポートフォリオを備えており、すべての設計要件を満たします。

OptiMOS™および StrongIRFET™ MOSFETパッケージのポートフォリオ

インフィニオンは、MOSFETの製造技術とプロセスの革新と、さまざまなアプリケーションにおける最先端設計の変化する要求を満たすための新しいパッケージの開拓により、MOSFET業界に影響を与えてきました。 OptiMOS™およびStrongIRFET™テクノロジーは、大電流容量と大幅な省スペースの要求に対応するために、異なるパッケージで提供されています。

幅広いポートフォリオにより、フットプリントの削減、定格電流のブースト、熱性能の最適化が可能になります。 表面実装リードレスデバイスはフットプリントの削減が可能である一方、スルーホールパッケージは高電力定格が特長です。

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広いスイッチング周波数に対応するOptiMOS™パワーMOSFET

OptiMOS™パワーMOSFETは、最高の効率と電力密度を兼ね備えたクラス最高の性能を提供します。

最先端のMOSFET技術と革新的なパッケージの組み合わせにより、電源ソリューションに究極の性能をもたらします。 超低RDS(on)と、高スイッチング周波数アプリケーションに最適な高効率と電力密度などの特長を備えています。

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スイッチング周波数<100kHz 用途におけるStrongIRFET™ パワーMOSFET　

StrongIRFET™ パワーMOSFETは、堅牢な産業用アプリケーション向けに設計されており、スイッチング周波数が低い設計や高い電流容量を必要とする設計に最適です。 このファミリーは、堅牢なシリコンと幅広いパッケージポートフォリオを備えており、すべての設計要件を満たします。

OptiMOS™および StrongIRFET™ MOSFETパッケージのポートフォリオ

インフィニオンは、MOSFETの製造技術とプロセスの革新と、さまざまなアプリケーションにおける最先端設計の変化する要求を満たすための新しいパッケージの開拓により、MOSFET業界に影響を与えてきました。 OptiMOS™およびStrongIRFET™テクノロジーは、大電流容量と大幅な省スペースの要求に対応するために、異なるパッケージで提供されています。

幅広いポートフォリオにより、フットプリントの削減、定格電流のブースト、熱性能の最適化が可能になります。 表面実装リードレスデバイスはフットプリントの削減が可能である一方、スルーホールパッケージは高電力定格が特長です。

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