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IR MOSFET製品ファミリー

IR MOSFET製品ファミリーは、DCモーター、インバーター、SMPS、照明、ロードスイッチなどのさまざまなアプリケーションをサポートします。

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概要

IR MOSFETファミリーのパワーMOSFETは、実績のあるシリコンプロセスを利用して、DCモーター、インバーター、SMPS、照明、ロードスイッチ、バッテリー駆動アプリケーションなどのさまざまなアプリケーションをサポートする幅広いデバイスポートフォリオを設計者に提供します。これらのデバイスは、設計を容易にするために業界標準のフットプリントを備えたさまざまな表面実装およびスルーホールパッケージで提供されます。

主な機能

  • 幅広い製品ポートフォリオ
  • さまざまなアプリケーションをサポート
  • 幅広い可用性に最適化
  • マルチベンダー互換性
  • JEDEC規格に認定された製品
  • 標準およびロジックレベルのオプション
  • 柔軟なゲートドライブオプション

製品

概要

インフィニオンのプレーナデバイスのIR MOSFETポートフォリオは、大きな安全動作領域 (SOA) およびリニアモードアプリケーション向けにカスタマイズされた30 V〜100 Vのデバイスを提供することにより、成功したトレンチベースのStrongIRFET™およびOptiMOS™技術を補完します。

代表的なアプリケーションには、パワーオーバーイーサネット+(PoE+)、LED電源、DCファン、産業用SMPS、UPS、サーボモーターなどがあります。

最新のトレンチMOSFETは、今日の高速スイッチングアプリケーションに対応するために最小のRDS (on)、Qg、およびQgdを目指していますが、プレーナデバイスは、高電流容量と大きなSOAを実現するためにダイサイズとRDS(on)を犠牲にしています。

IR MOSFETファミリーのデバイスは、幅広い標準フットプリントで入手可能であり、設計オプションの柔軟性を実現します。 利用可能なパッケージには、表面実装パッケージが含まれます。

  • DPAKの
  • D²PAK
  • D2PAK-7ピン
  • DirectFET™
  • SO8
  • SuperSO8 5x6
  • PQFN 3.3x3.3
  • SOT-223


利用可能なスルーホールパッケージには、次のものがあります。

  • アイパック
  • I²パック
  • TO-220
  • TO-220FP
  • TO-247-3

TSOP-6、Micro-8、SOT23などのスモールアウトラインパッケージも入手可能です。

最新のトレンチMOSFETは、今日の高速スイッチングアプリケーションに対応するために、最小のRDS(on)、Qg、およびQgdを目指していますが、プレーナデバイスは、高い電流容量と大きなSOAを実現するためにダイサイズとRDS(on)を犠牲にしています。IR MOSFETテクノロジーファミリーは、プレーナーダイテクノロジーを利用しており、小型化・大きなSOA・大電流能力を必要とするお客様の設計に対して最適です。

インフィニオンのプレーナデバイスのIR MOSFETポートフォリオは、大きな安全動作領域 (SOA) およびリニアモードアプリケーション向けにカスタマイズされた30 V〜100 Vのデバイスを提供することにより、成功したトレンチベースのStrongIRFET™およびOptiMOS™技術を補完します。

代表的なアプリケーションには、パワーオーバーイーサネット+(PoE+)、LED電源、DCファン、産業用SMPS、UPS、サーボモーターなどがあります。

最新のトレンチMOSFETは、今日の高速スイッチングアプリケーションに対応するために最小のRDS (on)、Qg、およびQgdを目指していますが、プレーナデバイスは、高電流容量と大きなSOAを実現するためにダイサイズとRDS(on)を犠牲にしています。

IR MOSFETファミリーのデバイスは、幅広い標準フットプリントで入手可能であり、設計オプションの柔軟性を実現します。 利用可能なパッケージには、表面実装パッケージが含まれます。

  • DPAKの
  • D²PAK
  • D2PAK-7ピン
  • DirectFET™
  • SO8
  • SuperSO8 5x6
  • PQFN 3.3x3.3
  • SOT-223


利用可能なスルーホールパッケージには、次のものがあります。

  • アイパック
  • I²パック
  • TO-220
  • TO-220FP
  • TO-247-3

TSOP-6、Micro-8、SOT23などのスモールアウトラインパッケージも入手可能です。

最新のトレンチMOSFETは、今日の高速スイッチングアプリケーションに対応するために、最小のRDS(on)、Qg、およびQgdを目指していますが、プレーナデバイスは、高い電流容量と大きなSOAを実現するためにダイサイズとRDS(on)を犠牲にしています。IR MOSFETテクノロジーファミリーは、プレーナーダイテクノロジーを利用しており、小型化・大きなSOA・大電流能力を必要とするお客様の設計に対して最適です。

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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