OptiMOS™ 6 60 V

OptiMOS™ 6 60 V - 高効率、ソフトスイッチング トポロジー、コンパクトな熱設計を実現するベンチマーク技術。

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概要

OptiMOS™ 6 60 V - ベンチマーク性能の新たな業界標準を打ち立てる最新のパワーMOSFET技術。 インフィニオンの最新ウェーハ技術では、前身のOptiMOS™ 5と比較して、R DS(on) が37%以上低下、FOMQgx RDS(on) が約25%向上するなど、大幅な性能向上が実現されています。こうした改善により、ソフトスイッチング トポロジーと低周波アプリケーションにおけるシステム効率と電力密度が向上します。

主な機能

  • SSO8のOptiMOS™ 5に比べ RDS(on) が 37% 削減
  • 高性能シリコン技術
  • ノーマルレベルのゲート駆動
  • 定格175℃
  • 産業用認証
  • ソフト スイッチング アプリケーションに最適

製品

概要

適切なMOSFETの選び方
  • OptiMOS™ 6 60 Vファミリーは、パワーMOSFETの性能に新たなベンチマークを打ち立て、最新のソフト スイッチング トポロジーに比類のない効率と信頼性を提供します。OptiMOS™ 5などの旧世代製品に比べ、RDS(on)が30%以上向上し、伝導損失を最小限に抑え、システム全体の性能を向上させています。
  • OptiMOS™ 6は、両面放熱機能を備えた PQFN 3.3 x 3.3ソースダウンなど、高度なパッケージング ソリューションを備えており、次のような幅広いアプリケーションに対応するよう設計されています。
  • 通信およびサーバー アプリケーション向けのスイッチング モード電源 (SMPS)。
  • 低い導通損失と熱損失が求められる低周波モーター制御。
  • BMSアプリケーション
  • このファミリーは、ノーマルレベルとロジックレベルの両方のドライブ要件に合わせて最適化されており、クラス最高レベルの性能を実現しながら、さまざまな顧客ニーズに対応する設計柔軟性を提供します。
ドレイン-ソース間抵抗 RDS(on)

OptiMOS™ 6 60 Vは、業界をリードする低いオン抵抗 (R DS(on) ) を実現し、 OptiMOS™ 5や競合製品と比較して最大 37% の改善を実現します。

具体的には、次のようなことを意味します:

  • 電力損失の削減: より高い効率が要求されるアプリケーションに最適です。
  • 電力密度の向上: デバイスの並列化の必要性を排除または低減しながら、コンパクトな設計をサポートします。
  • 優れた熱信頼性: PQFN 3.3 x 3.3 Source-Down や SuperSO8 DSC などのコンパクトで熱的に最適化されたパッケージ オプションが用意されています。

設計者にとって、こうした機能は、システム効率の向上、熱管理の改善、並列処理の削減によるシステムコストの削減につながり、高性能アプリケーションとコスト重視アプリケーションの両方に堅牢なソリューションを提供します。

性能指数 (FOM)

MOSFETの「性能指数」(FOM)は、導通損失とスイッチング損失の両方に対する技術の性能指標です。FOMは、オン抵抗 (RDS(on)) × 総ゲート電荷 (Qg)で計算され、通常はmΩ x nCで表されます。

OptiMOS™ 6 60 Vファミリーは、優れた性能指数 (FOM) の性能を提供し、業界トップ レベルの効率とスイッチング性能を実現します。オン抵抗 (RDS(on)) とゲート電荷 (Qg) の両方を最小化するのに重点を置くことで、FOM (R DS(on) x Qg) が大幅に改善され、電力損失が削減され、全体的なシステム効率が向上します。

適切なMOSFETの選び方
  • OptiMOS™ 6 60 Vファミリーは、パワーMOSFETの性能に新たなベンチマークを打ち立て、最新のソフト スイッチング トポロジーに比類のない効率と信頼性を提供します。OptiMOS™ 5などの旧世代製品に比べ、RDS(on)が30%以上向上し、伝導損失を最小限に抑え、システム全体の性能を向上させています。
  • OptiMOS™ 6は、両面放熱機能を備えた PQFN 3.3 x 3.3ソースダウンなど、高度なパッケージング ソリューションを備えており、次のような幅広いアプリケーションに対応するよう設計されています。
  • 通信およびサーバー アプリケーション向けのスイッチング モード電源 (SMPS)。
  • 低い導通損失と熱損失が求められる低周波モーター制御。
  • BMSアプリケーション
  • このファミリーは、ノーマルレベルとロジックレベルの両方のドライブ要件に合わせて最適化されており、クラス最高レベルの性能を実現しながら、さまざまな顧客ニーズに対応する設計柔軟性を提供します。

ドレイン-ソース間抵抗 RDS(on)

OptiMOS™ 6 60 Vは、業界をリードする低いオン抵抗 (R DS(on) ) を実現し、 OptiMOS™ 5や競合製品と比較して最大 37% の改善を実現します。

具体的には、次のようなことを意味します:

  • 電力損失の削減: より高い効率が要求されるアプリケーションに最適です。
  • 電力密度の向上: デバイスの並列化の必要性を排除または低減しながら、コンパクトな設計をサポートします。
  • 優れた熱信頼性: PQFN 3.3 x 3.3 Source-Down や SuperSO8 DSC などのコンパクトで熱的に最適化されたパッケージ オプションが用意されています。

設計者にとって、こうした機能は、システム効率の向上、熱管理の改善、並列処理の削減によるシステムコストの削減につながり、高性能アプリケーションとコスト重視アプリケーションの両方に堅牢なソリューションを提供します。

性能指数 (FOM)

MOSFETの「性能指数」(FOM)は、導通損失とスイッチング損失の両方に対する技術の性能指標です。FOMは、オン抵抗 (RDS(on)) × 総ゲート電荷 (Qg)で計算され、通常はmΩ x nCで表されます。

OptiMOS™ 6 60 Vファミリーは、優れた性能指数 (FOM) の性能を提供し、業界トップ レベルの効率とスイッチング性能を実現します。オン抵抗 (RDS(on)) とゲート電荷 (Qg) の両方を最小化するのに重点を置くことで、FOM (R DS(on) x Qg) が大幅に改善され、電力損失が削減され、全体的なシステム効率が向上します。

設計リソース

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