OptiMOS™ 6 60 V

OptiMOS™ 6 60 V - 高効率、ソフトスイッチング トポロジー、コンパクトな熱設計を実現するベンチマーク技術。

概要

OptiMOS™ 6 60 V - ベンチマーク性能の新たな業界標準を打ち立てる最新のパワーMOSFET技術。 インフィニオンの最新ウェーハ技術では、前身のOptiMOS™ 5と比較して、R DS(on) が37%以上低下、FOMQgx RDS(on) が約25%向上するなど、大幅な性能向上が実現されています。こうした改善により、ソフトスイッチング トポロジーと低周波アプリケーションにおけるシステム効率と電力密度が向上します。

主な機能

  • SSO8のOptiMOS™ 5に比べ RDS(on) が 37% 削減
  • 高性能シリコン技術
  • ノーマルレベルのゲート駆動
  • 定格175℃
  • 産業用認証
  • ソフト スイッチング アプリケーションに最適

Design Resources Component

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