650 VシリコンカーバイドMOSFET

650 V CoolSiC™ MOSFET 産業用グレード、オン抵抗 7 mΩ～260 mΩ

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概要

インフィニオンの CoolSiC™ シリコンカーバイドMOSFET 650 Vディスクリートは、サーバーSMPS、ESS、ソーラーインバーター、EV充電、UPS、その他の産業用SMPSなどのアプリケーションに特化して開発されました。

主な機能

  • ゲート酸化膜の優れた信頼性を備えた最先端のトレンチ技術
  • 誤ターンオンに対する協力な耐性
  • 高いアバランシェ電流耐量
  • G2の駆動電圧範囲の拡大 (-7 V〜+23 V 静止時)
  • .XT相互接続パッケージ技術

製品

概要

650 VシリコンカーバイドMOSFETの技術情報

インフィニオンのCoolSiC™ 650 VシリコンカーバイドMOSFETディスクリート デバイスは、寄生ターンオンに対する卓越した堅牢性と成熟したゲート酸化膜技術により、トーテムポールPFC、三相整流回路 (Vienna Rectifier)、ANPCなどのハードスイッチング トポロジーで優れた性能を発揮します。さらに、G2では出力容量 (Coss) が大幅に低減されているため、CLLC、DAB、LLCなどのソフトスイッチング トポロジーにおいて、より高いスイッチング周波数で動作できます。その結果、部品表 (BOM) を最小限に抑えつつ、3 kW～12 kWのサーバーおよびAI用PSUにおいて、最大100 W/in3の電力密度と、全負荷時で全体的な効率を約97.5% 向上できます。

650 VシリコンカーバイドMOSFETの詳細

人工知能 (AI) アプリケーションは急速に発展しており、従来のデータセンター アプリケーションよりもさらに高い電力を必要とします。インフィニオンのCoolSiC™は、CoolMOS™の高いRDSonの粒度と幅広いパッケージ ラインアップと組み合わせることで設計自由度をさらに高め、AIサーバーの厳しい要件に対応します。

 

インフィニオン、QDPAK、TOLT、TOLL、ThinTOLLの革新的なSMDパッケージ

TO247の他に、CoolSiCTM 650V MOSFETは、JEDECに登録されたQDPAKおよびTOLTで利用可能な上面冷却(TSC)パッケージを備えています。TSCは、熱の最適化を可能にします(すなわち、冷却スタック)とエトレクティカルパス(つまり、パワーループインダクタンス)を使用しながら、小さなフォームファクターを維持します。さらに、TSCは、自動組み立てによるスケーラビリティとプラットフォーム設計を可能にし、コストを最適化します。一方、TOLLはドーターカードアプローチを使用したPSUに適しています。ThinTOLLは、ポートフォリオの中で最も小さいフォームファクターを備えているため、高電力密度の設計が可能です

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上面冷却パッケージの詳細
G2はG1と比較してFOMを30%～50% 改善し、性能と電力密度を大きく向上させました。

G2は、新しいパッケージの追加と最も低い7mΩを備えた包括的なポートフォリオを提供します。また、 CoolSiC™ MOSFETの価格性能比もさらに向上しています。

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650 VシリコンカーバイドMOSFETの技術情報

インフィニオンのCoolSiC™ 650 VシリコンカーバイドMOSFETディスクリート デバイスは、寄生ターンオンに対する卓越した堅牢性と成熟したゲート酸化膜技術により、トーテムポールPFC、三相整流回路 (Vienna Rectifier)、ANPCなどのハードスイッチング トポロジーで優れた性能を発揮します。さらに、G2では出力容量 (Coss) が大幅に低減されているため、CLLC、DAB、LLCなどのソフトスイッチング トポロジーにおいて、より高いスイッチング周波数で動作できます。その結果、部品表 (BOM) を最小限に抑えつつ、3 kW～12 kWのサーバーおよびAI用PSUにおいて、最大100 W/in3の電力密度と、全負荷時で全体的な効率を約97.5% 向上できます。

650 VシリコンカーバイドMOSFETの詳細

人工知能 (AI) アプリケーションは急速に発展しており、従来のデータセンター アプリケーションよりもさらに高い電力を必要とします。インフィニオンのCoolSiC™は、CoolMOS™の高いRDSonの粒度と幅広いパッケージ ラインアップと組み合わせることで設計自由度をさらに高め、AIサーバーの厳しい要件に対応します。

 

インフィニオン、QDPAK、TOLT、TOLL、ThinTOLLの革新的なSMDパッケージ

TO247の他に、CoolSiCTM 650V MOSFETは、JEDECに登録されたQDPAKおよびTOLTで利用可能な上面冷却(TSC)パッケージを備えています。TSCは、熱の最適化を可能にします(すなわち、冷却スタック)とエトレクティカルパス(つまり、パワーループインダクタンス)を使用しながら、小さなフォームファクターを維持します。さらに、TSCは、自動組み立てによるスケーラビリティとプラットフォーム設計を可能にし、コストを最適化します。一方、TOLLはドーターカードアプローチを使用したPSUに適しています。ThinTOLLは、ポートフォリオの中で最も小さいフォームファクターを備えているため、高電力密度の設計が可能です

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上面冷却パッケージの詳細

G2はG1と比較してFOMを30%～50% 改善し、性能と電力密度を大きく向上させました。

G2は、新しいパッケージの追加と最も低い7mΩを備えた包括的なポートフォリオを提供します。また、 CoolSiC™ MOSFETの価格性能比もさらに向上しています。

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ドキュメント

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設計リソース

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