シリコンカーバイド (SiC) ベースのCoolSiC™ MOSFETベアダイ

さまざまなサイズおよびレイアウトのCoolSiC™ MOSFETチップ技術

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概要

インフィニオンの車載インバーター アプリケーション向けCoolSiC™ MOSFETベアダイは、設計者が高効率化と高電力密度化を実現できるようにします。より高い動作温度およびスイッチング周波数で動作できるため、システム効率が向上します。750 Vおよび1200 V品を取り揃え、コーナーゲートおよびセンターゲートのレイアウト、RDS 7~11 mΩ に対応するチップサイズを用意しています。最先端のトレンチ構造により、優れたゲート酸化膜の高い信頼性と低スイッチング損失を実現し、複数のメタルスタック オプションによって、さまざまな接続方法にも対応します。

主な機能

  • 高効率および高電力密度
  • コーナーゲートおよびセンターゲートのレイアウトを提供意
  • さまざまなメタルスタック オプション
  • 最先端トレンチ設計
  • 標準電圧レベル: 750 Vおよび1200 V
  • RDS(on)7~11 mΩ に対応するチップサイズ
  • 優れたゲート酸化膜信頼性

製品

概要

インフィニオンの車載インバーター用途向けCoolSiC™ MOSFETベアダイ製品により、設計者は効率と電力密度の可能性を最大限に引き出せます。炭化ケイ素 (SiC) 半導体をスイッチとして使用すると、より高い動作温度とスイッチング周波数での動作が可能になり、システム全体の効率が向上します。インフィニオンのSiCベアダイは、750 Vと1200 Vの標準電圧レベルで提供されます。設計者は、コーナーゲートレイアウトとミッドゲートレイアウトを選択でき、チップサイズは7 mΩから11 mΩのRDS (オン抵抗) に対応しています。あらゆる接続方法に対応できるよう、様々な金属スタックのオプションが用意されています。

SiC MOSFETベアダイは、最先端のトレンチ設計により、ゲート酸化膜の信頼性に優れ、クラス最高レベルのスイッチング損失と導通損失を実現します。

最高の性能:

  • CoolSiC™トレンチテクノロジー
  • クラス最高レベルのRDS(on) x 面積
  • より高い効率
  • 最大200℃の動作温度

品質におけるリーダーシップ:

  • 低CoolSiC™ FIT
  • 自動車分野に特化した開発
  • 拡張された品質認定
  • 並列接続に適したパラメーターばらつきの低さ
  • 良品ベアチップ (Known Good Die) 検査を実施済み

インフィニオンは、ハイブリッド車および電気自動車のトラクションインバーターへの応用を目的として、自動車業界向けにCoolSiC™ MOSFETベアダイ製品群を提供しています。牽引インバーター内のスイッチは、高電圧バッテリーからの直流を電気モーター用の交流に変換するのに使用されます。

インフィニオンの車載インバーター用途向けCoolSiC™ MOSFETベアダイ製品により、設計者は効率と電力密度の可能性を最大限に引き出せます。炭化ケイ素 (SiC) 半導体をスイッチとして使用すると、より高い動作温度とスイッチング周波数での動作が可能になり、システム全体の効率が向上します。インフィニオンのSiCベアダイは、750 Vと1200 Vの標準電圧レベルで提供されます。設計者は、コーナーゲートレイアウトとミッドゲートレイアウトを選択でき、チップサイズは7 mΩから11 mΩのRDS (オン抵抗) に対応しています。あらゆる接続方法に対応できるよう、様々な金属スタックのオプションが用意されています。

SiC MOSFETベアダイは、最先端のトレンチ設計により、ゲート酸化膜の信頼性に優れ、クラス最高レベルのスイッチング損失と導通損失を実現します。

最高の性能:

  • CoolSiC™トレンチテクノロジー
  • クラス最高レベルのRDS(on) x 面積
  • より高い効率
  • 最大200℃の動作温度

品質におけるリーダーシップ:

  • 低CoolSiC™ FIT
  • 自動車分野に特化した開発
  • 拡張された品質認定
  • 並列接続に適したパラメーターばらつきの低さ
  • 良品ベアチップ (Known Good Die) 検査を実施済み

インフィニオンは、ハイブリッド車および電気自動車のトラクションインバーターへの応用を目的として、自動車業界向けにCoolSiC™ MOSFETベアダイ製品群を提供しています。牽引インバーター内のスイッチは、高電圧バッテリーからの直流を電気モーター用の交流に変換するのに使用されます。

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ

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