ゲートドライバIC

MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT用の EiceDRIVER™ゲートドライバ IC の違いを体験してください

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概要

すべてのスイッチにはドライバが必要 – 適切なドライバが違いを生む

ゲートドライバICは、制御信号 (デジタルまたはアナログコントローラー) とパワースイッチ (IGBT、MOSFET、SiC MOSFET、GaN HEMT) 間のインターフェースとして機能します。ディスクリートに実装されたゲートドライバソリューションと比較して、統合型ゲートドライバICは、設計の複雑さ、開発時間、部品表 (BOM)、および基板スペースを削減し、信頼性を向上させます。

インフィニオンの包括的なゲートドライバICポートフォリオは、0.1 A～18 A までの幅広い標準出力電流オプションを提供します。当社のゲートドライバは、高速短絡保護 (DESAT)、アクティブミラークランプ、シュートスルー保護、フォルト、シャットダウン、過電流保護などの保護機能を統合しているため、これらのドライバIC は、CoolGaN™ やCoolSiC™ などのシリコンおよびWBGパワーデバイスの両方に最適です。

EiceDRIVER™ ゲートドライバIC 技術

インフィニオンとインターナショナル レクティファイアーの両社における数十年にわたるアプリケーションの専門知識と技術開発により、シンプルでコスト効率の高いソリューションからフル機能の先進的なICまで、さまざまなゲートドライバICのポートフォリオが生まれています。その多様性は、当社の4つの技術によって可能になります。

コアレストランス (CT) 技術は、オンチップトランスを統合した磁気結合、ガルバニック絶縁技術です。トランスは、入力チップと出力チップ間でスイッチング情報と信号を転送します。これらのゲートドライバは、機能絶縁、基本絶縁、および強化絶縁されており、ULおよびVDE認証を取得しています。

レベルシフトSOI (Silicon-on-Insulator) 技術により、堅牢で高電圧のモノリシックIC設計が可能になります。SOIは、低抵抗の内蔵ブートストラップダイオードを提供し、負の過渡電圧スパイクに対する保護を提供し、ラッチアップの原因となる寄生トランジスタを排除します。

レベルシフト接合絶縁 (JI) 技術は、業界で実績のある標準的なMOS/CMOSプロセスです。インフィニオンの高電圧集積回路 (HVIC) とラッチ耐性 CMOS 技術により、性能に見合った価格でモノリシック構造を実現できます。

非絶縁型 (N-ISO) 技術により、最大35Vのモノリシックなグランド基準ゲートドライバが可能
EiceDRIVER™ ゲートドライバICの機能

インフィニオンのEiceDRIVER™ ゲートドライバは、内蔵ブートストラップダイオード (BSD)、過電流保護、シャットダウン、フォルトレポート、イネーブル、入力フィルター、オペアンプ、DESAT、設定可能な可変デッドタイム、シュートスルー保護、アクティブミラークランプ、アクティブシャットダウン、分離されたシンク出力およびソース出力、短絡クランプ、ソフトシャットダウン、2レベルターンオフ、ガルバニック絶縁 (機能、基本、および強化) などの高度な機能を提供します。

EiceDRIVER™ ゲートドライバICのアプリケーション

EiceDRIVER™ゲートドライバIC製品ラインアップは、さまざまな設定、電圧クラス、絶縁レベル、保護機能、パッケージオプションに及びます。

高度な機能には、統合ブートストラップ ダイオード (BSD)、過電流保護、シャットダウン、障害報告、有効化、入力フィルター、OPAMP、DESAT、プログラム可能なデッドタイム、シュートスルー保護、アクティブ ミラー クランプ、アクティブ シャットダウン、個別のシンクおよびソース出力、短絡クランプ、ソフト シャットダウン、2 レベルのターンオフ、ガルバニック絶縁 (機能的、基本的、強化的) などがあります。

すべてのスイッチにはドライバが必要 – 適切なドライバが違いを生む

ゲートドライバICは、制御信号 (デジタルまたはアナログコントローラー) とパワースイッチ (IGBT、MOSFET、SiC MOSFET、GaN HEMT) 間のインターフェースとして機能します。ディスクリートに実装されたゲートドライバソリューションと比較して、統合型ゲートドライバICは、設計の複雑さ、開発時間、部品表 (BOM)、および基板スペースを削減し、信頼性を向上させます。

インフィニオンの包括的なゲートドライバICポートフォリオは、0.1 A～18 A までの幅広い標準出力電流オプションを提供します。当社のゲートドライバは、高速短絡保護 (DESAT)、アクティブミラークランプ、シュートスルー保護、フォルト、シャットダウン、過電流保護などの保護機能を統合しているため、これらのドライバIC は、CoolGaN™ やCoolSiC™ などのシリコンおよびWBGパワーデバイスの両方に最適です。

EiceDRIVER™ ゲートドライバIC 技術

インフィニオンとインターナショナル レクティファイアーの両社における数十年にわたるアプリケーションの専門知識と技術開発により、シンプルでコスト効率の高いソリューションからフル機能の先進的なICまで、さまざまなゲートドライバICのポートフォリオが生まれています。その多様性は、当社の4つの技術によって可能になります。

コアレストランス (CT) 技術は、オンチップトランスを統合した磁気結合、ガルバニック絶縁技術です。トランスは、入力チップと出力チップ間でスイッチング情報と信号を転送します。これらのゲートドライバは、機能絶縁、基本絶縁、および強化絶縁されており、ULおよびVDE認証を取得しています。

レベルシフトSOI (Silicon-on-Insulator) 技術により、堅牢で高電圧のモノリシックIC設計が可能になります。SOIは、低抵抗の内蔵ブートストラップダイオードを提供し、負の過渡電圧スパイクに対する保護を提供し、ラッチアップの原因となる寄生トランジスタを排除します。

レベルシフト接合絶縁 (JI) 技術は、業界で実績のある標準的なMOS/CMOSプロセスです。インフィニオンの高電圧集積回路 (HVIC) とラッチ耐性 CMOS 技術により、性能に見合った価格でモノリシック構造を実現できます。

非絶縁型 (N-ISO) 技術により、最大35Vのモノリシックなグランド基準ゲートドライバが可能

EiceDRIVER™ ゲートドライバICの機能

インフィニオンのEiceDRIVER™ ゲートドライバは、内蔵ブートストラップダイオード (BSD)、過電流保護、シャットダウン、フォルトレポート、イネーブル、入力フィルター、オペアンプ、DESAT、設定可能な可変デッドタイム、シュートスルー保護、アクティブミラークランプ、アクティブシャットダウン、分離されたシンク出力およびソース出力、短絡クランプ、ソフトシャットダウン、2レベルターンオフ、ガルバニック絶縁 (機能、基本、および強化) などの高度な機能を提供します。

EiceDRIVER™ ゲートドライバICのアプリケーション

EiceDRIVER™ゲートドライバIC製品ラインアップは、さまざまな設定、電圧クラス、絶縁レベル、保護機能、パッケージオプションに及びます。

高度な機能には、統合ブートストラップ ダイオード (BSD)、過電流保護、シャットダウン、障害報告、有効化、入力フィルター、OPAMP、DESAT、プログラム可能なデッドタイム、シュートスルー保護、アクティブ ミラー クランプ、アクティブ シャットダウン、個別のシンクおよびソース出力、短絡クランプ、ソフト シャットダウン、2 レベルのターンオフ、ガルバニック絶縁 (機能的、基本的、強化的) などがあります。

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