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40 V クラスのOptiMOS™ 6 のパワー MOSFET

インフィニオン初の第6世代6 OptiMOS™ 製品ファミリー、ロジックレベルとノーマルレベルで利用可能な最先端のMOSFET

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概要

40VクラスのOptiMOS™ 6ファミリーは、ディスクリートパワーMOSFETの新しい技術スタンダードを打ち立てました。 インフィニオンは、OptiMOS™ 6 40Vロジックレベル製品ファミリーにより、より低いゲート駆動能力を必要とするアプリケーション向けのベンチマークソリューションを提供します。

主な機能

  • 超低Qg、低スイッチング損失
  • 低RDS(on)
  • 低寄生
  • ロジックおよびノーマルゲートドライブ
  • 優れた熱抵抗

製品

概要

インフィニオンの次世代最先端MOSFET

オン抵抗(RDS(on))と性能指数(FOM - RDS(on) x QgおよびQgd)の改善により、設計者は効率を高め、熱設計を容易にし、並列数を減らすことができ、システムコストの削減につながります。

市場をリードするインフィニオンのOptiMOS™ 6パワーMOSFETは、40Vパッケージで提供されます。

  • SuperSO8 – 5x6 mm、RDS(on)は5.9mΩから0.7mΩの範囲
  • PQFN 3x3 – 3.3x3.3mm で6.3mΩから1.8mΩまでのRDS (on)範囲
OptiMOS™ 6 40 V クラス最高のRDS(on)と優れたスイッチングを兼ね備えています

SMPSアプリケーションにおいて、OptiMOS™ 6は広範囲の出力電力にわたって効率を最適化し、低負荷条件と高負荷条件の間のトレードオフを回避するための完璧なソリューションです。

低出力電力範囲では、スイッチング損失が効率曲線を支配します。 OptiMOS™ 6パワーMOSFETは、その優れたスイッチング性能により、同じRDS(on) OptiMOS™ 5と比較して、より優れた効率を実現します。

さらに、RDS(on)損失が支配的な高出力電力では、OptiMOS™ 6は全動作範囲にわたって優れた性能をもたらします。

誘導ターンオン耐性を備えた標準レベルのMOSFET

ノーマルレベルMOSFETのOptiMOS™ 6パワーMOSFETは、実際のアプリケーションで頻繁に発生し、消費電力の増加を引き起こし、最終機器の極端な過熱や故障につながる不要な誘導ターンオンに対する耐性に最適化されています。誘導ターンオンのメカニズムには、ゲート-ドレイン間(ミラー)およびゲート-ソース間容量によって形成される容量性分圧器のために、ゲートに高いドレイン-ソース間dV/dtが電圧スパイクを誘導することが含まれます。これは電荷比Qgd/Qgsとして定量化することができます。

ロジック レベル デバイスの場合、ゲート スレッショルド電圧(Vth)は通常2V未満です。 ゲートに誘導電圧スパイクが発生すると、MOSFETがオンになります。 ノーマルレベルのポートフォリオのVthが高いということは、ゲート電圧スパイクが大きい場合にのみ不要なターンオンが発生することを意味します。 さらに、より低いQgd/Qgs比(Cgd/Cgs分周比)は、ゲート電圧スパイクのピークを低減し、不要なターンオンに対する堅牢性にさらに貢献します。 通常レベルのデバイスでは、Vthが温度の上昇とともに減少するため、高温で追加の設計マージンを利用できます。

インフィニオンの次世代最先端MOSFET

オン抵抗(RDS(on))と性能指数(FOM - RDS(on) x QgおよびQgd)の改善により、設計者は効率を高め、熱設計を容易にし、並列数を減らすことができ、システムコストの削減につながります。

市場をリードするインフィニオンのOptiMOS™ 6パワーMOSFETは、40Vパッケージで提供されます。

  • SuperSO8 – 5x6 mm、RDS(on)は5.9mΩから0.7mΩの範囲
  • PQFN 3x3 – 3.3x3.3mm で6.3mΩから1.8mΩまでのRDS (on)範囲

OptiMOS™ 6 40 V クラス最高のRDS(on)と優れたスイッチングを兼ね備えています

SMPSアプリケーションにおいて、OptiMOS™ 6は広範囲の出力電力にわたって効率を最適化し、低負荷条件と高負荷条件の間のトレードオフを回避するための完璧なソリューションです。

低出力電力範囲では、スイッチング損失が効率曲線を支配します。 OptiMOS™ 6パワーMOSFETは、その優れたスイッチング性能により、同じRDS(on) OptiMOS™ 5と比較して、より優れた効率を実現します。

さらに、RDS(on)損失が支配的な高出力電力では、OptiMOS™ 6は全動作範囲にわたって優れた性能をもたらします。

誘導ターンオン耐性を備えた標準レベルのMOSFET

ノーマルレベルMOSFETのOptiMOS™ 6パワーMOSFETは、実際のアプリケーションで頻繁に発生し、消費電力の増加を引き起こし、最終機器の極端な過熱や故障につながる不要な誘導ターンオンに対する耐性に最適化されています。誘導ターンオンのメカニズムには、ゲート-ドレイン間(ミラー)およびゲート-ソース間容量によって形成される容量性分圧器のために、ゲートに高いドレイン-ソース間dV/dtが電圧スパイクを誘導することが含まれます。これは電荷比Qgd/Qgsとして定量化することができます。

ロジック レベル デバイスの場合、ゲート スレッショルド電圧(Vth)は通常2V未満です。 ゲートに誘導電圧スパイクが発生すると、MOSFETがオンになります。 ノーマルレベルのポートフォリオのVthが高いということは、ゲート電圧スパイクが大きい場合にのみ不要なターンオンが発生することを意味します。 さらに、より低いQgd/Qgs比(Cgd/Cgs分周比)は、ゲート電圧スパイクのピークを低減し、不要なターンオンに対する堅牢性にさらに貢献します。 通常レベルのデバイスでは、Vthが温度の上昇とともに減少するため、高温で追加の設計マージンを利用できます。

ドキュメント

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デザイン リソース

開発者コミュニティ

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