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高性能デュアルMOSFET

高効率と大電流能力に最適化

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概要

インフィニオンの高性能デュアル製品ファミリーには、OptiMOS™パワーブロックMOSFETとOptiMOS™ハーフブリッジMOSFETがあります。 OptiMOS™パワーブロックデバイスは、ローサイドMOSFETとハイサイドMOSFETを同期整流降圧コンバーター構成に集積し、ローサイドMOSFETのソースダウン接続により、熱の改善、レイアウトの簡素化、EMIの低減を実現します。

主な機能

  • 非常に低い RDS(on)
  • 小型 PQFN 5x6 パッケージ アウトライン
  • ソースダウン ローサイド MOSFET
  • 最適化 PCB 熱冷却
  • 内部接続 MOSFETS
  • 低パッケージインダクタンス
  • ハイサイド ケルビン接続
  • コンパクトでシンプルなDC-DCレイアウト
  • 非対称ハーフブリッジ

製品

概要

インフィニオンの高性能デュアルMOSFETを選択する利点には、次のようなものがあります。

  • DC-DCコンバータアプリケーション向けのコンパクトでシンプルなレイアウト
  • ループインダクタンスが最も低いレイアウト
  • 最高の熱性能により、高効率性能を実現

非対称ハーフブリッジMOSFETソリューションは、30mm²のフットプリントで50Aを処理

OptiMOS™ 5パワーブロックは、リードレスSMD 5.0x6.0mm²のスモールアウトラインパッケージで、ローサイドMOSFETとハイサイドMOSFETを統合し、同期整流降圧コンバータアプリケーションを対象としています。

OptiMOS™ 5パワーブロック5 x 6は、SO8やSuperSO8などの2つの個別のディスクリートパッケージを省スペースMOSFETパッケージに置き換えることで、設計を少なくとも50%縮小することができます。 パワーパッケージの標準化は、市場で入手可能な異なるパッケージの数を最小限に抑えられるため、お客様にメリットをもたらします。

MOSFETハーフブリッジファミリーは、インフィニオンの実績あるOptiMOS™ 5技術を採用しており、低いオン抵抗 (RDS(on)) と性能指数 (Qg、Qgd) を提供します。 ローサイドMOSFETのソースダウン接続により、大きなPGNDパッドが得られ、ボードへの熱接合が大幅に改善され、レイアウトが簡素化され、EMIが低減されます。 このソリューションでは、スイッチング周波数と電力密度を高め、全体的なBOMコストを削減することで、設計を最適化できます。

インフィニオンの高性能デュアルMOSFETを選択する利点には、次のようなものがあります。

  • DC-DCコンバータアプリケーション向けのコンパクトでシンプルなレイアウト
  • ループインダクタンスが最も低いレイアウト
  • 最高の熱性能により、高効率性能を実現

非対称ハーフブリッジMOSFETソリューションは、30mm²のフットプリントで50Aを処理

OptiMOS™ 5パワーブロックは、リードレスSMD 5.0x6.0mm²のスモールアウトラインパッケージで、ローサイドMOSFETとハイサイドMOSFETを統合し、同期整流降圧コンバータアプリケーションを対象としています。

OptiMOS™ 5パワーブロック5 x 6は、SO8やSuperSO8などの2つの個別のディスクリートパッケージを省スペースMOSFETパッケージに置き換えることで、設計を少なくとも50%縮小することができます。 パワーパッケージの標準化は、市場で入手可能な異なるパッケージの数を最小限に抑えられるため、お客様にメリットをもたらします。

MOSFETハーフブリッジファミリーは、インフィニオンの実績あるOptiMOS™ 5技術を採用しており、低いオン抵抗 (RDS(on)) と性能指数 (Qg、Qgd) を提供します。 ローサイドMOSFETのソースダウン接続により、大きなPGNDパッドが得られ、ボードへの熱接合が大幅に改善され、レイアウトが簡素化され、EMIが低減されます。 このソリューションでは、スイッチング周波数と電力密度を高め、全体的なBOMコストを削減することで、設計を最適化できます。

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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