Medium-voltage GaN transistors

Explore medium-voltage CoolGaN™ Transistors, discrete and integrated normally-off devices, ranging from 60 V to 175 V.

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概要

Infineon’s gallium nitride (GaN) medium-voltage transistors range from 60 V to 175 V. The fast turn-on and turn-off speeds with minimal switching losses are crucial for AI data centers, EVs, renewable energy, humanoid robots, consumer applications and many more. With various packages and rigorous qualifications exceeding industry standards, Infineon’s GaN devices enable high-frequency switching while reducing costs and system size.

主な特長

  • Ultrafast switching-speed
  • Enhancement mode (e-mode)
  • Ultra-low gate and output charge
  • Top and bottom side cooled packages
  • Superior FOMs
  • RDS(on)typ. from 1.2 mΩ to 9.4 mΩ
  • No reverse-recovery charge

製品 (一部製品は中国では販売されていません)

概要

インフィニオンのGaNトランジスタにはどのような利点がありますか？

• システムの効率を高めたいとお考えですか？インフィニオンのGaNトランジスタを利用することで、スイッチング損失を大幅に削減し、システム全体の効率を向上させることができます。

• 電力密度を向上させたいですか？インフィニオンのGaNデバイスはスイッチング周波数が高いため、受動部品を小型化でき、設計全体の小型化に役立ちます。

• システムの重量を軽減したいですか？インフィニオンのGaNトランジスタにより、使用する材料を削減でき、部品も小型化できるため、システム重量を低減できます。これらのトランジスタは優れたスイッチング速度により、さまざまなアプリケーションでエネルギー損失を最小限に抑えつつ高い電力密度を実現し、設計者は高い性能を維持したまま、より小型で軽量かつコンパクトなシステムを設計できます。

インフィニオンのGaNトランジスタは、従来のシリコン (Si) スイッチと比較して熱性能が高く、AIデータセンターなどの高電流アプリケーションでの使用を容易にし、信頼性を向上させます。

インフィニオンのCoolGaN™トランジスタは、堅牢性と耐久性を高め、高電圧スパイクにも耐えられるよう特別に設計されており、アプリケーションの長寿命化に貢献します。

GaN用ゲートドライバIC

GaNの性能を最適化しつつシステムコストを最小限に抑えるには、適切なゲートドライバICの選定が重要です。インフィニオンの包括的なEiceDRIVER™ゲートドライバICポートフォリオは、インフィニオンのCoolGaN™ショットキーゲート (SG) HEMTおよびゲート インジェクション トランジスタ (GIT) HEMT向けに設計された、シングルチャネルおよびデュアルチャネルの絶縁型、レベルシフト型、非絶縁型ゲートドライバを幅広く提供しています。

EiceDRIVER™ポートフォリオをご覧いただき、最適なドライバを見つけてください。

GaN用ゲートドライバIC
GaNパッケージ

PQFN 3x3およびPQFN 3x5パッケージの60 V～200 V品は、耐湿性レベル (MSL) が1であるため、標準的な保管および取り扱い条件に適しています。

高電圧分野 (≥600 V) では、TOLL、TOLT、ThinPAK 5x6、DFN 8x8から、上面放熱型および下面放熱型のDSOまで、非常に幅広いSMDパッケージを提供しています。これらのパッケージは多様な設計要件に対応し、コンパクトさ、熱性能の向上、費用対効果、設計の柔軟性をバランスよく備えています。

GaNシステム設計パートナー

インフィニオンのCoolGaN™は、実績のある信頼性、確実な長期供給、専門家によるサポートを備えたディスクリートおよび集積型のGaNパワー ソリューションを提供し、民生用、産業用、車載用アプリケーション全体で最高の性能とより高効率なシステムの実現を支援します。

当社はグローバルGo-to-market (G2M) パートナー エコシステムと連携し、開発サイクルの短縮、市場投入までの時間の加速、お客様製品への革新的かつ差別化された機能の提供に寄与するターンキー ソリューション、リファレンス デザイン、サービス、革新的技術を提供しています。

パートナーを見る
CoolGaN™ソリューションにご興味はありますか？

インフィニオンのディスクリートおよび集積型GaNソリューションは、民生用、産業用、車載用アプリケーションで最高の効率と電力密度を実現します。CoolGaN™製品およびソリューションにご興味がありましたら、当社のGaNエキスパートまでお気軽にお問い合わせください。

お問い合わせ
インフィニオンのGaNトランジスタにはどのような利点がありますか？

• システムの効率を高めたいとお考えですか？インフィニオンのGaNトランジスタを利用することで、スイッチング損失を大幅に削減し、システム全体の効率を向上させることができます。

• 電力密度を向上させたいですか？インフィニオンのGaNデバイスはスイッチング周波数が高いため、受動部品を小型化でき、設計全体の小型化に役立ちます。

• システムの重量を軽減したいですか？インフィニオンのGaNトランジスタにより、使用する材料を削減でき、部品も小型化できるため、システム重量を低減できます。これらのトランジスタは優れたスイッチング速度により、さまざまなアプリケーションでエネルギー損失を最小限に抑えつつ高い電力密度を実現し、設計者は高い性能を維持したまま、より小型で軽量かつコンパクトなシステムを設計できます。

インフィニオンのGaNトランジスタは、従来のシリコン (Si) スイッチと比較して熱性能が高く、AIデータセンターなどの高電流アプリケーションでの使用を容易にし、信頼性を向上させます。

インフィニオンのCoolGaN™トランジスタは、堅牢性と耐久性を高め、高電圧スパイクにも耐えられるよう特別に設計されており、アプリケーションの長寿命化に貢献します。

GaN用ゲートドライバIC

GaNの性能を最適化しつつシステムコストを最小限に抑えるには、適切なゲートドライバICの選定が重要です。インフィニオンの包括的なEiceDRIVER™ゲートドライバICポートフォリオは、インフィニオンのCoolGaN™ショットキーゲート (SG) HEMTおよびゲート インジェクション トランジスタ (GIT) HEMT向けに設計された、シングルチャネルおよびデュアルチャネルの絶縁型、レベルシフト型、非絶縁型ゲートドライバを幅広く提供しています。

EiceDRIVER™ポートフォリオをご覧いただき、最適なドライバを見つけてください。

GaN用ゲートドライバIC
GaNパッケージ

PQFN 3x3およびPQFN 3x5パッケージの60 V～200 V品は、耐湿性レベル (MSL) が1であるため、標準的な保管および取り扱い条件に適しています。

高電圧分野 (≥600 V) では、TOLL、TOLT、ThinPAK 5x6、DFN 8x8から、上面放熱型および下面放熱型のDSOまで、非常に幅広いSMDパッケージを提供しています。これらのパッケージは多様な設計要件に対応し、コンパクトさ、熱性能の向上、費用対効果、設計の柔軟性をバランスよく備えています。

GaNシステム設計パートナー

インフィニオンのCoolGaN™は、実績のある信頼性、確実な長期供給、専門家によるサポートを備えたディスクリートおよび集積型のGaNパワー ソリューションを提供し、民生用、産業用、車載用アプリケーション全体で最高の性能とより高効率なシステムの実現を支援します。

当社はグローバルGo-to-market (G2M) パートナー エコシステムと連携し、開発サイクルの短縮、市場投入までの時間の加速、お客様製品への革新的かつ差別化された機能の提供に寄与するターンキー ソリューション、リファレンス デザイン、サービス、革新的技術を提供しています。

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CoolGaN™ソリューションにご興味はありますか？

インフィニオンのディスクリートおよび集積型GaNソリューションは、民生用、産業用、車載用アプリケーションで最高の効率と電力密度を実現します。CoolGaN™製品およびソリューションにご興味がありましたら、当社のGaNエキスパートまでお気軽にお問い合わせください。

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