これは機械翻訳されたコンテンツです。 詳しくは こちらをご覧ください。

25Vクラスおよび30VクラスのOptiMOS™ 5 パワーMOSFET

25Vクラスおよび30VクラスのOptiMOS™ 5 パワーMOSFETを使用したスタンバイ動作およびフル動作時の電力密度とエネルギー効率のベンチマーク

anchor

概要

25Vおよび30VのOptiMOS™ 5パワーMOSFETは、スタンバイ動作とフル動作の両方で最高の電力密度とエネルギー効率を実現します。 このファミリーは、SuperSO8 5x6、PQFN 3.3x3.3、ソースダウンPQFN 3.3x3.3、PQFN 2x2、および Power Blockパッケージが利用可能です。 

主な機能

  • 最高クラスのRDS(on)
  • スイッチング性能のベンチマーク
  • RoHS対応、ハロゲンフリー
  • 低ゲート電荷
  • 高いレベルの効率

製品

概要

次世代DC-DC アプリケーション向けの新しいシリコン技術

25Vクラスおよび30V製品のOptiMOS™ 5 MOSFETは、新しいシリコン技術を使用しており、DC-DCアプリケーションにおける厳しい次世代電圧レギュレーション規格のエネルギー効率および電力密度要件を満たし、さらにそれを超えるよう最適化されています。OptiMOS™ 5製品は、インテルのVRおよびIMVPプラットフォームに焦点を当てたサーバー、データコム、クライアントなど、コンピューティング業界の幅広い電圧レギュレーションアプリケーションに対応します。OptiMOS™ 5は、クラス最高のオン抵抗とベンチマークスイッチング性能を備えており、設計を最適化し、一般的なシステムコストを削減します。

業界最小の25Vおよび30VのRds(on)

インフィニオンの新しい ISK024NE2LM5 および ISK036N03LM5 OptiMOS™ 5製品は、PQFN 2x2パッケージで提供され、小型フォームファクターで効率を高めるクラス最高のソリューションを提供し、ワイヤレス充電、ロードスイッチ、低消費電力DC-DC アプリケーションなどのアプリケーションに最適なソリューションです。4mm²の小さなフットプリントと優れた電気的性能を組み合わせることで、最終アプリケーションのフォームファクターが向上します。 これらの製品は、最小のPQFN 2x2パッケージで業界最小のRDS(on)を特長とし、最高の性能と電力密度を実現するように最適化されています。

高効率とシステムコストの最適化

25Vクラスおよび30VのOptiMOS™ 5 パワーMOSFETには、SuperSO8、PQFN 3.3x3.3、業界標準のフットプリントに対応するPQFN 2x2パッケージ。 10 Vで0.45mΩのオン抵抗により、クラス最高レベルの新製品を小型フォームファクターで実現し、高密度設計におけるボード面積をさらに低減します。

次世代DC-DC アプリケーション向けの新しいシリコン技術

25Vクラスおよび30V製品のOptiMOS™ 5 MOSFETは、新しいシリコン技術を使用しており、DC-DCアプリケーションにおける厳しい次世代電圧レギュレーション規格のエネルギー効率および電力密度要件を満たし、さらにそれを超えるよう最適化されています。OptiMOS™ 5製品は、インテルのVRおよびIMVPプラットフォームに焦点を当てたサーバー、データコム、クライアントなど、コンピューティング業界の幅広い電圧レギュレーションアプリケーションに対応します。OptiMOS™ 5は、クラス最高のオン抵抗とベンチマークスイッチング性能を備えており、設計を最適化し、一般的なシステムコストを削減します。

業界最小の25Vおよび30VのRds(on)

インフィニオンの新しい ISK024NE2LM5 および ISK036N03LM5 OptiMOS™ 5製品は、PQFN 2x2パッケージで提供され、小型フォームファクターで効率を高めるクラス最高のソリューションを提供し、ワイヤレス充電、ロードスイッチ、低消費電力DC-DC アプリケーションなどのアプリケーションに最適なソリューションです。4mm²の小さなフットプリントと優れた電気的性能を組み合わせることで、最終アプリケーションのフォームファクターが向上します。 これらの製品は、最小のPQFN 2x2パッケージで業界最小のRDS(on)を特長とし、最高の性能と電力密度を実現するように最適化されています。

高効率とシステムコストの最適化

25Vクラスおよび30VのOptiMOS™ 5 パワーMOSFETには、SuperSO8、PQFN 3.3x3.3、業界標準のフットプリントに対応するPQFN 2x2パッケージ。 10 Vで0.45mΩのオン抵抗により、クラス最高レベルの新製品を小型フォームファクターで実現し、高密度設計におけるボード面積をさらに低減します。

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する ", "labelEn" : "Ask the community " }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "製品フォーラムのディスカッション ", "labelEn" : "View all discussions " } ] }