これは機械翻訳されたコンテンツです。 詳しくは こちらをご覧ください。

45V~80V Nチャネル パワーMOSFET

OptiMOS™および StrongIRFET™ Nチャネル パワーMOSFET 45V~80V

anchor

概要

インフィニオンの45V~80V NチャネルMOSFETのポートフォリオには、低電力、中電力、高電力アプリケーション向けのOptiMOS™およびStrongIRFET™技術が含まれています。

主な機能

  • 超低 RDS(on)
  • 高い電流容量
  • 多種多様なパッケージが利用可能
  • 省スペースパッケージ
  • 高電力密度

ファミリを比較する

製品

概要

インフィニオンは、45V〜80V範囲のNチャネルMOSFETの広範な製品ポートフォリオにより、産業用および車載用アプリケーションの両方のニーズに対応します。 インフィニオンの製品には、低スイッチング周波数と高スイッチング周波数の両方の要件に対応するOptiMOS™およびStrongIRFET™シリコンダイ技術が含まれています。 この製品ファミリーは、表面実装デバイスとスルーホールデバイスの両方を提供することにより、すべての電力ニーズを満たします。

さらに、インフィニオンは、SO8パッケージのデュアルおよびシングルNチャネルパワーMOSFETを含む、強力で省スペースなNチャネルMOSFETを幅広く提供しています。

AC-DC設計者が直面する共通の課題は、コストを削減しながらシステム効率と電力密度を向上させる方法です。インフィニオンのOptiMOS™ 5 60Vポートフォリオは、他のデバイスと比較して、ドレインソースのオン抵抗(RDS(on))が15%低く、性能指数(RDS(on) x Qg)が31%低く、この問題に対する完璧なソリューションを提供します。

OptiMOS™ 5 60V NチャネルMOSFETのスイッチング周波数が高いことに加えて、このファミリは高効率で電圧オーバーシュートを大幅に低減するため、スナバ回路の必要性が減り、エンジニアリングの労力とコストを節約できます。

これらの製品は同期整流用に最適化されているため、スイッチング電源(SMPS)だけでなく、モータ制御、ソーラーマイクロインバータ、高速スイッチングDC-DCコンバータなどの幅広い産業用アプリケーションに最適です。

StrongIRFET™ 60V MOSFETポートフォリオは、さまざまな産業用アプリケーション向けに設計されており、超低オン抵抗RDS(on)、高電流容量を提供し、低周波アプリケーションでの性能を向上させます。製品ファミリの各デバイスは、業界最高のアバランシェ電流レベルで100%アバランシェテストされており、要求の厳しい産業用アプリケーションに対して最も堅牢なソリューションを保証します。これらのデバイスは、スルーホールおよび表面実装パッケージで入手可能です。

インフィニオンの60Vおよび80VロジックレベルOptiMOS™ 5パワーMOSFETは、ワイヤレス充電、アダプター、テレコムアプリケーションに最適です。 低ゲート電荷 (Qg) により、導通損失を損なうことなくスイッチング損失を低減します。 これらの改善された性能指数により、高いスイッチング周波数での動作が可能になります。 OptiMOS™ 5およびIR MOSFET™ロジックレベル製品は、100V電圧クラスでも入手可能です。

業界のリーダーとして、インフィニオンのOptiMOS™ 5 80 V パワー MOSFET パッケージ ポートフォリオは、テレコムおよびサーバー電源アプリケーション、ならびにソーラー、低電圧ドライブ、ラップトップアダプターにおける同期整流用に設計されています。

OptiMOS™ 5 80 V MOSFET は、前世代と比較して最大43%のRDS(on)低減を実現し、100 V 電圧クラスでも利用できます。

インフィニオンは、車載認定済みの12V〜40VのNチャネルMOSFETの幅広い製品ポートフォリオを提供しています。 詳細については、車載用MOSFETのページをご覧ください。

インフィニオンは、45V〜80V範囲のNチャネルMOSFETの広範な製品ポートフォリオにより、産業用および車載用アプリケーションの両方のニーズに対応します。 インフィニオンの製品には、低スイッチング周波数と高スイッチング周波数の両方の要件に対応するOptiMOS™およびStrongIRFET™シリコンダイ技術が含まれています。 この製品ファミリーは、表面実装デバイスとスルーホールデバイスの両方を提供することにより、すべての電力ニーズを満たします。

さらに、インフィニオンは、SO8パッケージのデュアルおよびシングルNチャネルパワーMOSFETを含む、強力で省スペースなNチャネルMOSFETを幅広く提供しています。

AC-DC設計者が直面する共通の課題は、コストを削減しながらシステム効率と電力密度を向上させる方法です。インフィニオンのOptiMOS™ 5 60Vポートフォリオは、他のデバイスと比較して、ドレインソースのオン抵抗(RDS(on))が15%低く、性能指数(RDS(on) x Qg)が31%低く、この問題に対する完璧なソリューションを提供します。

OptiMOS™ 5 60V NチャネルMOSFETのスイッチング周波数が高いことに加えて、このファミリは高効率で電圧オーバーシュートを大幅に低減するため、スナバ回路の必要性が減り、エンジニアリングの労力とコストを節約できます。

これらの製品は同期整流用に最適化されているため、スイッチング電源(SMPS)だけでなく、モータ制御、ソーラーマイクロインバータ、高速スイッチングDC-DCコンバータなどの幅広い産業用アプリケーションに最適です。

StrongIRFET™ 60V MOSFETポートフォリオは、さまざまな産業用アプリケーション向けに設計されており、超低オン抵抗RDS(on)、高電流容量を提供し、低周波アプリケーションでの性能を向上させます。製品ファミリの各デバイスは、業界最高のアバランシェ電流レベルで100%アバランシェテストされており、要求の厳しい産業用アプリケーションに対して最も堅牢なソリューションを保証します。これらのデバイスは、スルーホールおよび表面実装パッケージで入手可能です。

インフィニオンの60Vおよび80VロジックレベルOptiMOS™ 5パワーMOSFETは、ワイヤレス充電、アダプター、テレコムアプリケーションに最適です。 低ゲート電荷 (Qg) により、導通損失を損なうことなくスイッチング損失を低減します。 これらの改善された性能指数により、高いスイッチング周波数での動作が可能になります。 OptiMOS™ 5およびIR MOSFET™ロジックレベル製品は、100V電圧クラスでも入手可能です。

業界のリーダーとして、インフィニオンのOptiMOS™ 5 80 V パワー MOSFET パッケージ ポートフォリオは、テレコムおよびサーバー電源アプリケーション、ならびにソーラー、低電圧ドライブ、ラップトップアダプターにおける同期整流用に設計されています。

OptiMOS™ 5 80 V MOSFET は、前世代と比較して最大43%のRDS(on)低減を実現し、100 V 電圧クラスでも利用できます。

インフィニオンは、車載認定済みの12V〜40VのNチャネルMOSFETの幅広い製品ポートフォリオを提供しています。 詳細については、車載用MOSFETのページをご覧ください。

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する ", "labelEn" : "Ask the community " }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "製品フォーラムのディスカッション ", "labelEn" : "View all discussions " } ] }