CoolSiC™ MOSFET

CoolSiC™ MOSFETソリューションは、エネルギースマートな世界に向けて踏み出す、重要な一歩です

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概要

CoolSiC™ MOSFETの紹介

豊富な経験と互換性のノウハウに基づいた、根本的に新しい製品設計が可能な革新的なCoolSiC™ MOSFETテクノロジーを導入しています。IGBTやMOSFETなどの従来のシリコンベースのスイッチと比較して、SiCパワーMOSFETには一連の利点があります。CoolSiC™ MOSFET技術は、システム設計者にとって最高の性能、信頼性、使いやすさを実現します。SiCパワートランジスタは新しいレベルの柔軟性を備えており、設計者はこれまでにないレベルの効率と信頼性を活用できます。高電圧CoolSiC™ MOSFET技術により、逆回復特性も大幅に向上しました。

インフィニオンのCoolSiC™ MOSFETは、高効率と最適な信頼性を提供します。インフィニオンの製品ラインナップは、ディスクリート タイプのほか、電圧クラス400 V、650 V、750 V、1200 V、1700 V、2000 V、2300 V、3300 Vのモジュールでもご利用いただけます。SiC MOSFETパワーモジュールは、3レベル、4パック、ハーフブリッジ、6パック、ブースターのトポロジーで提供しています。

CoolSiC™ MOSFETのハイライト

CoolSiC™ MOSFETには、さまざまな利点があります。これらには、SiCスイッチに見られる最小のゲート電荷とデバイス容量レベル、アンチパラレルダイオードの逆回復損失なし、温度に依存しない低スイッチング損失、しきい値のないオン状態特性が含まれます。インフィニオン独自のCoolSiC™ MOSFETは、さらなる利点をもたらします。

最先端のトレンチ設計、クラス最高のスイッチング損失と導通損失、最高の相互コンダクタンスレベル (ゲイン)、Vth = 4 Vの閾値電圧、短絡に対する堅牢性により、優れたゲート酸化膜の信頼性を実現します。これこそが、信頼できる革命です。これらすべてにより、LLCやZVSのようなハードスイッチングおよび共振スイッチングトポロジーに最適な堅牢なSiC MOSFET技術が実現し、IGBTや使いやすいドライバを備えたMOSFETのように駆動できます。高いスイッチング周波数で最高レベルの効率を実現し、システム サイズの縮小、電力密度の向上、高い寿命信頼性を実現します。

利点、特長、アプリケーション

CoolSiC™ MOSFETは、放熱の手間を削減し、長寿命、高い信頼性を実現する最高レベルの効率を提供します。より高い周波数動作、システムコストの削減、電力密度の向上、システムの複雑さの軽減、および設計と実装の容易さも実現します。

主な利点は、デバイスの寄生容量が低いこと、温度依存の小さいスイッチング損失、逆回復電荷が少ないボディダイオード、および閾値電圧フリーのオン特性です。CoolSiC™ MOSFETは、太陽光発電インバーター、バッテリー充電およびマネージメント、サーバーと通信電源、サーボおよびモーター制御、蓄電とUPS、産業用SMP、補助電源など、様々なアプリケーションで使用できます。

CoolSiC™ MOSFETディスクリートおよびモジュール

TO-247 4ピンパッケージには、ゲート駆動電圧の基準電位として使用されるソースへの追加端子 (ケルビン端子) が含まれているため、ソースインダクタンスに対する電圧降下の影響が排除されます。その結果、特に大電流と高スイッチング周波数で、TO-247 3ピンよりもさらにスイッチング損失を低減できます。CoolSiC™ MOSFET Easyモジュールは、非常に優れたサーマルインターフェース、低浮遊インダクタンス、堅牢な設計、PressFIT接続を提供します。低電力範囲はEasyファミリーで理想的に対処できる一方で、250 kW以上の中電力インバーターでは62mmパッケージを最大限に活用できます。HybridPACK™ Drive CoolSiC™ MOSFETはAQG-324認定を受けており、180 kW以上の高出力自動車用トラクション インバーター用に最適化されています。ピンフィン付きのベースプレートを備えた直接水冷用の取り付けが簡単な6パックモジュールで、効率的で大量生産に最適化された組み立てプロセスをサポートします。

CoolSiC™ MOSFET搭載CIPOS™ Maxi IPM

CoolSiC™ MOSFETを搭載したCIPOS™ Maxi IPM IM828シリーズは、最適化された6チャネル 1200V SOIゲートドライバと6つのCoolSiC™ MOSFETを統合した世界初の1200 VトランスファーモールドSiC IPMです。IM828-XCCは、1200 Vクラスで最小かつ最もコンパクトなパッケージで、4.8 kWを超える電力定格と、卓越した電力密度、信頼性、および性能を兼ね備えています。

IM828-XCCについて
CoolSiC™MOSFET用ゲートドライバーIC

CoolSiC™ MOSFETなどの超高速スイッチングパワートランジスタは、絶縁されたゲート駆動回路を使うと取り扱いが容易です。したがって、その最適解としてインフィニオンのコアレストランス技術に基づくガルバニック絶縁型EiceDRIVER™ ICを推奨します。

ゲートドライバICの詳細

CoolSiC™ MOSFETの紹介

豊富な経験と互換性のノウハウに基づいた、根本的に新しい製品設計が可能な革新的なCoolSiC™ MOSFETテクノロジーを導入しています。IGBTやMOSFETなどの従来のシリコンベースのスイッチと比較して、SiCパワーMOSFETには一連の利点があります。CoolSiC™ MOSFET技術は、システム設計者にとって最高の性能、信頼性、使いやすさを実現します。SiCパワートランジスタは新しいレベルの柔軟性を備えており、設計者はこれまでにないレベルの効率と信頼性を活用できます。高電圧CoolSiC™ MOSFET技術により、逆回復特性も大幅に向上しました。

インフィニオンのCoolSiC™ MOSFETは、高効率と最適な信頼性を提供します。インフィニオンの製品ラインナップは、ディスクリート タイプのほか、電圧クラス400 V、650 V、750 V、1200 V、1700 V、2000 V、2300 V、3300 Vのモジュールでもご利用いただけます。SiC MOSFETパワーモジュールは、3レベル、4パック、ハーフブリッジ、6パック、ブースターのトポロジーで提供しています。

CoolSiC™ MOSFETのハイライト

CoolSiC™ MOSFETには、さまざまな利点があります。これらには、SiCスイッチに見られる最小のゲート電荷とデバイス容量レベル、アンチパラレルダイオードの逆回復損失なし、温度に依存しない低スイッチング損失、しきい値のないオン状態特性が含まれます。インフィニオン独自のCoolSiC™ MOSFETは、さらなる利点をもたらします。

最先端のトレンチ設計、クラス最高のスイッチング損失と導通損失、最高の相互コンダクタンスレベル (ゲイン)、Vth = 4 Vの閾値電圧、短絡に対する堅牢性により、優れたゲート酸化膜の信頼性を実現します。これこそが、信頼できる革命です。これらすべてにより、LLCやZVSのようなハードスイッチングおよび共振スイッチングトポロジーに最適な堅牢なSiC MOSFET技術が実現し、IGBTや使いやすいドライバを備えたMOSFETのように駆動できます。高いスイッチング周波数で最高レベルの効率を実現し、システム サイズの縮小、電力密度の向上、高い寿命信頼性を実現します。

利点、特長、アプリケーション

CoolSiC™ MOSFETは、放熱の手間を削減し、長寿命、高い信頼性を実現する最高レベルの効率を提供します。より高い周波数動作、システムコストの削減、電力密度の向上、システムの複雑さの軽減、および設計と実装の容易さも実現します。

主な利点は、デバイスの寄生容量が低いこと、温度依存の小さいスイッチング損失、逆回復電荷が少ないボディダイオード、および閾値電圧フリーのオン特性です。CoolSiC™ MOSFETは、太陽光発電インバーター、バッテリー充電およびマネージメント、サーバーと通信電源、サーボおよびモーター制御、蓄電とUPS、産業用SMP、補助電源など、様々なアプリケーションで使用できます。

CoolSiC™ MOSFETディスクリートおよびモジュール

TO-247 4ピンパッケージには、ゲート駆動電圧の基準電位として使用されるソースへの追加端子 (ケルビン端子) が含まれているため、ソースインダクタンスに対する電圧降下の影響が排除されます。その結果、特に大電流と高スイッチング周波数で、TO-247 3ピンよりもさらにスイッチング損失を低減できます。CoolSiC™ MOSFET Easyモジュールは、非常に優れたサーマルインターフェース、低浮遊インダクタンス、堅牢な設計、PressFIT接続を提供します。低電力範囲はEasyファミリーで理想的に対処できる一方で、250 kW以上の中電力インバーターでは62mmパッケージを最大限に活用できます。HybridPACK™ Drive CoolSiC™ MOSFETはAQG-324認定を受けており、180 kW以上の高出力自動車用トラクション インバーター用に最適化されています。ピンフィン付きのベースプレートを備えた直接水冷用の取り付けが簡単な6パックモジュールで、効率的で大量生産に最適化された組み立てプロセスをサポートします。

CoolSiC™ MOSFET搭載CIPOS™ Maxi IPM

CoolSiC™ MOSFETを搭載したCIPOS™ Maxi IPM IM828シリーズは、最適化された6チャネル 1200V SOIゲートドライバと6つのCoolSiC™ MOSFETを統合した世界初の1200 VトランスファーモールドSiC IPMです。IM828-XCCは、1200 Vクラスで最小かつ最もコンパクトなパッケージで、4.8 kWを超える電力定格と、卓越した電力密度、信頼性、および性能を兼ね備えています。

IM828-XCCについて

CoolSiC™MOSFET用ゲートドライバーIC

CoolSiC™ MOSFETなどの超高速スイッチングパワートランジスタは、絶縁されたゲート駆動回路を使うと取り扱いが容易です。したがって、その最適解としてインフィニオンのコアレストランス技術に基づくガルバニック絶縁型EiceDRIVER™ ICを推奨します。

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