シリコンカーバイド (SiC) JFETディスクリート

効率的で堅牢な高電圧ソリッドステート電力分配を実現する、インフィニオンのCoolSiC™ JFETディスクリートをご覧ください。

概要

インフィニオンのCoolSiC™ JFETディスクリートは、低導通損失、高速な故障応答、および高い堅牢性が不可欠な、高度なソリッドステート電力分配および保護システム向けに設計されています。この製品群には、Q-DPAK、TO-247-4、TOLLパッケージの750 Vおよび1200 Vデバイスに加え、産業、インフラ、自動車、AIデータセンター用途向けのノーマリーオン、デュアルドライブ、カスコードの各オプションが含まれています。

主な特長

  • 超低RDS(on)
  • 750 Vおよび1200 V製品ラインナップ
  • リニアモードでの熱安定性
  • 高電流アバランシェ耐量
  • .XT接合技術
  • 高い放熱性能

概要

SiC JFETディスクリート製品ポートフォリオ

インフィニオンのCoolSiC™ JFETディスクリートは、低導通損失、高速な故障応答、過酷な条件下での信頼性の高い動作が求められる、高度なソリッドステート電力分配および保護用途向けに設計されています。炭化ケイ素技術を基盤とするこの製品ポートフォリオは、コンパクトで拡張性の高いシステム設計をサポートし、過負荷や故障発生時にも高効率と堅牢な性能を実現します。

この製品ポートフォリオには、高電流用途向けに最適化された750 Vおよび1200 Vデバイスが含まれています。Q-DPAK、TO-247-4、TOLLなどのパッケージ オプションにより、SiC JFETディスクリートは、さまざまな熱設計コンセプト、実装要件、電流定格、ゲート駆動戦略に対応するための柔軟性を設計者に提供します。

SiC JFETディスクリートは、パワー半導体が主にオン状態で動作し、故障事象は短時間ながら重大となる用途に特に適しています。このため、導通損失、リニア モードの堅牢性、およびアバランシェ耐量が重要な設計パラメーターとなります。

SiC JFETディスクリートの主な利点

炭化ケイ素JFETディスクリートは、高電流の保護および分配経路における導通損失の低減に役立ちます。これらの超低オン抵抗によりシステム効率が向上し、デバイスが長時間導通する用途では、冷却負荷、システムの設置面積、および全体の電力損失の低減に役立ちます。

炭化ケイ素技術が本来備える堅牢性により、SiC JFETディスクリートは、過負荷、過渡現象、故障などの厳しい動作条件下でも信頼性の高い動作を実現します。高いアバランシェ耐量、安定したリニア モード動作、堅牢なターンオフ動作により、ソリッドステート回路ブレーカー、ホットスワップ システム、eFuse設計、産業用保護機器に適しています。

インフィニオンは、CoolSiC™ 技術の専門知識、堅牢なパッケージング、長年のパワー半導体システムのノウハウを組み合わせ、次世代のソリッドステート電力分配および保護向けに、拡張性の高いJFETディスクリート ソリューションを提供します。

さまざまなシステム アーキテクチャに対応する柔軟なディスクリート オプション

SiC JFETディスクリート製品群は、さまざまな実装コンセプト、ゲート駆動方式、および組み立て要件をサポートするように設計されています。インフィニオンは、ノーマリーオンのSiC JFETに加え、CoolSiC™ JFETデュアルドライブやSiC JFETカスコードなどのノーマリーオフ構成も提供しています。

ノーマリーオンのSiC JFETディスクリートは、デバイス本来の性能を直接引き出せるため、超低導通損失、高電流対応、堅牢な故障処理を重視するシステムに適しています。

デュアルドライブ構成では、SiC JFETと低電圧Si MOSFETのゲートにそれぞれ個別にアクセスできるため、PCBレベルでのさらなる小型化が可能になります。カスコード構成では、一般的なMOSFETのゲート駆動インターフェースのみを提供し、標準的なゲートドライバでの簡素な運用を可能にします。

Q-DPAK、TO-247-4、TOLLなどのパッケージ オプションにより、設計者は熱設計コンセプト、レイアウト、組み立てプロセス、および電力レベルに適したものを選択できます。Q-DPAKはコンパクトな上面冷却の高電流設計をサポートし、TO-247-4は広く使用されているスルーホールのオプションを提供し、TOLLはコンパクトな表面実装のパワー設計に対応しています。

SiC JFETディスクリートの用途

SiC JFETディスクリートは、高電圧電力を迅速かつ確実にスイッチング、保護、または遮断する必要がある用途に最適です。低い導通損失、高速応答、高い堅牢性により、産業、インフラ、自動車、AIデータセンターの各システムにわたり、効率的なソリッドステート保護および配電アーキテクチャを実現できます。

代表的な用途には、ソリッドステート回路ブレーカー、AIデータセンターの配電 (IBCおよびPBU、PSUにおけるホットスワップ/e-fuse) 、産業用配電ユニット、ソリッドステート リレーおよびコンタクター、バッテリー遮断スイッチ、EV充電システム、再生可能エネルギー インフラ、モーター ソフトスターターなどがあります。

これらの用途では、SiC JFETディスクリートにより、高速な故障分離、コンパクトなシステム設計、スケーラブルな電流対応、および厳しい電気的/熱的条件下での信頼性の高い動作を実現できます。

SiC JFETディスクリート製品ポートフォリオ

インフィニオンのCoolSiC™ JFETディスクリートは、低導通損失、高速な故障応答、過酷な条件下での信頼性の高い動作が求められる、高度なソリッドステート電力分配および保護用途向けに設計されています。炭化ケイ素技術を基盤とするこの製品ポートフォリオは、コンパクトで拡張性の高いシステム設計をサポートし、過負荷や故障発生時にも高効率と堅牢な性能を実現します。

この製品ポートフォリオには、高電流用途向けに最適化された750 Vおよび1200 Vデバイスが含まれています。Q-DPAK、TO-247-4、TOLLなどのパッケージ オプションにより、SiC JFETディスクリートは、さまざまな熱設計コンセプト、実装要件、電流定格、ゲート駆動戦略に対応するための柔軟性を設計者に提供します。

SiC JFETディスクリートは、パワー半導体が主にオン状態で動作し、故障事象は短時間ながら重大となる用途に特に適しています。このため、導通損失、リニア モードの堅牢性、およびアバランシェ耐量が重要な設計パラメーターとなります。

SiC JFETディスクリートの主な利点

炭化ケイ素JFETディスクリートは、高電流の保護および分配経路における導通損失の低減に役立ちます。これらの超低オン抵抗によりシステム効率が向上し、デバイスが長時間導通する用途では、冷却負荷、システムの設置面積、および全体の電力損失の低減に役立ちます。

炭化ケイ素技術が本来備える堅牢性により、SiC JFETディスクリートは、過負荷、過渡現象、故障などの厳しい動作条件下でも信頼性の高い動作を実現します。高いアバランシェ耐量、安定したリニア モード動作、堅牢なターンオフ動作により、ソリッドステート回路ブレーカー、ホットスワップ システム、eFuse設計、産業用保護機器に適しています。

インフィニオンは、CoolSiC™ 技術の専門知識、堅牢なパッケージング、長年のパワー半導体システムのノウハウを組み合わせ、次世代のソリッドステート電力分配および保護向けに、拡張性の高いJFETディスクリート ソリューションを提供します。

さまざまなシステム アーキテクチャに対応する柔軟なディスクリート オプション

SiC JFETディスクリート製品群は、さまざまな実装コンセプト、ゲート駆動方式、および組み立て要件をサポートするように設計されています。インフィニオンは、ノーマリーオンのSiC JFETに加え、CoolSiC™ JFETデュアルドライブやSiC JFETカスコードなどのノーマリーオフ構成も提供しています。

ノーマリーオンのSiC JFETディスクリートは、デバイス本来の性能を直接引き出せるため、超低導通損失、高電流対応、堅牢な故障処理を重視するシステムに適しています。

デュアルドライブ構成では、SiC JFETと低電圧Si MOSFETのゲートにそれぞれ個別にアクセスできるため、PCBレベルでのさらなる小型化が可能になります。カスコード構成では、一般的なMOSFETのゲート駆動インターフェースのみを提供し、標準的なゲートドライバでの簡素な運用を可能にします。

Q-DPAK、TO-247-4、TOLLなどのパッケージ オプションにより、設計者は熱設計コンセプト、レイアウト、組み立てプロセス、および電力レベルに適したものを選択できます。Q-DPAKはコンパクトな上面冷却の高電流設計をサポートし、TO-247-4は広く使用されているスルーホールのオプションを提供し、TOLLはコンパクトな表面実装のパワー設計に対応しています。

SiC JFETディスクリートの用途

SiC JFETディスクリートは、高電圧電力を迅速かつ確実にスイッチング、保護、または遮断する必要がある用途に最適です。低い導通損失、高速応答、高い堅牢性により、産業、インフラ、自動車、AIデータセンターの各システムにわたり、効率的なソリッドステート保護および配電アーキテクチャを実現できます。

代表的な用途には、ソリッドステート回路ブレーカー、AIデータセンターの配電 (IBCおよびPBU、PSUにおけるホットスワップ/e-fuse) 、産業用配電ユニット、ソリッドステート リレーおよびコンタクター、バッテリー遮断スイッチ、EV充電システム、再生可能エネルギー インフラ、モーター ソフトスターターなどがあります。

これらの用途では、SiC JFETディスクリートにより、高速な故障分離、コンパクトなシステム設計、スケーラブルな電流対応、および厳しい電気的/熱的条件下での信頼性の高い動作を実現できます。

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