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NチャネルデプレッションモードMOSFET

デプレッションMOSFETは、ゲート-ソース間 (VGS) のゼロ電圧でオン状態にあり、ノーマルオンです。これにより、それらは完全な定電流源になります。 

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概要

インフィニオンのデプレッションモードMOSFETスイッチは、高速スイッチングと小型でコンパクトな設計を提供します。インフィニオンはSOT-223およびSOT-23パッケージのデプレーションMOSFETを提供しており、ブレークダウン電圧範囲は60Vから600Vです。 ターンオフする低負電圧と強力な安全動作領域とともに、これらの製品は設計の複雑さを軽減するという利点も提供します。

主な機能

  • 60Vから600Vまで対応可能
  • より高い効率と堅牢性
  • 広い動作範囲が利用可能
  • 高速スイッチングとコンパクト設計

製品

概要

MOSFETの場合、ゲート-ソース間に電流を流すには、ゲート-ソース間電圧 (VGS) をゲート-ソース間スレッショルド電圧 (VGS(th))よりも高くする必要があります。 Nチャネル エンハンスメントMOSFETの場合、VGS(th)は0 Vを超えます。したがって、VGSが0 Vの場合でも、デプレッションモードMOSFETは電流を流すことができます。 デプレッションモードMOSFETをオフにするには、VGSを(負の)VGSよりも低くする必要があります。 Nチャネル デプレッションモードMOSFETの動作により、印加されたドレイン-ソース間の入力電圧に依存しない負荷電流が発生します。 これらのNチャネルデプレッションMOSFETの特性は、電源のスタートアップ電力、過電圧保護、突入電流リミッタ、オフライン電圧リファレンス アプリケーションに最適です。

デプレッションモードMOSFETを選択する際の重要なパラメーターの1つは、ゲート電圧がゼロのときの最小ドレイン電流です。 デプレッションMOSFETは電流源として使用されるため、必要な電流レベルに合わせてデプレッションモードMOSFET回路を設計するには、ゲート電圧0 Vの最小電流能力が必要です。 インフィニオンのNチャネルデプレッションモードMOSFET製品は、リール上のVGSインジケーターで入手可能であり、RoHSに準拠、AEC Q101に適合しています。

NMOSデプレッションモードMOSFETは、正電荷がある場合に伝導を可能にする電流キャリアとして電子を使用します。 一方、PMOS MOSFETは正孔を使用するため、負電荷は正に帯電した正孔をチャネルに引き付けて導通させます。 ただし、NMOSデプレッションモードは、負の電圧を使用してフリーキャリアを反発するとアクティブになり、デプレッションデバイスが導通できなくなります。 これは、デプレッションモードMOSFETをオフにする方法です。

すべてのNチャネルデプレッションMOSFET製品は、車載アプリケーションに適しています。 特別な要求事項を満たすために、リール上にVGS(th)を表示したNチャネルデプレッションモードMOSFETが提供可能です。

デプレッションモードMOSFETアプリケーションの分野には、電源のスタートアップ電力、過電圧保護、突入電流リミッタ、オフライン電圧参照などがあります。 1つのコンポーネントで、シンプルな電流調整を実現できます。

MOSFETの場合、ゲート-ソース間に電流を流すには、ゲート-ソース間電圧 (VGS) をゲート-ソース間スレッショルド電圧 (VGS(th))よりも高くする必要があります。 Nチャネル エンハンスメントMOSFETの場合、VGS(th)は0 Vを超えます。したがって、VGSが0 Vの場合でも、デプレッションモードMOSFETは電流を流すことができます。 デプレッションモードMOSFETをオフにするには、VGSを(負の)VGSよりも低くする必要があります。 Nチャネル デプレッションモードMOSFETの動作により、印加されたドレイン-ソース間の入力電圧に依存しない負荷電流が発生します。 これらのNチャネルデプレッションMOSFETの特性は、電源のスタートアップ電力、過電圧保護、突入電流リミッタ、オフライン電圧リファレンス アプリケーションに最適です。

デプレッションモードMOSFETを選択する際の重要なパラメーターの1つは、ゲート電圧がゼロのときの最小ドレイン電流です。 デプレッションMOSFETは電流源として使用されるため、必要な電流レベルに合わせてデプレッションモードMOSFET回路を設計するには、ゲート電圧0 Vの最小電流能力が必要です。 インフィニオンのNチャネルデプレッションモードMOSFET製品は、リール上のVGSインジケーターで入手可能であり、RoHSに準拠、AEC Q101に適合しています。

NMOSデプレッションモードMOSFETは、正電荷がある場合に伝導を可能にする電流キャリアとして電子を使用します。 一方、PMOS MOSFETは正孔を使用するため、負電荷は正に帯電した正孔をチャネルに引き付けて導通させます。 ただし、NMOSデプレッションモードは、負の電圧を使用してフリーキャリアを反発するとアクティブになり、デプレッションデバイスが導通できなくなります。 これは、デプレッションモードMOSFETをオフにする方法です。

すべてのNチャネルデプレッションMOSFET製品は、車載アプリケーションに適しています。 特別な要求事項を満たすために、リール上にVGS(th)を表示したNチャネルデプレッションモードMOSFETが提供可能です。

デプレッションモードMOSFETアプリケーションの分野には、電源のスタートアップ電力、過電圧保護、突入電流リミッタ、オフライン電圧参照などがあります。 1つのコンポーネントで、シンプルな電流調整を実現できます。

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