GaN トランジスタ (GaN HEMT)

最高の効率と電力密度を実現する60 Vから700 Vまでの範囲のディスクリートおよび統合型のノーマリーオフデバイスであるCoolGaN™トランジスタをご覧ください。

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概要

インフィニオンの窒化ガリウムパワートランジスタは、デジタル化と脱炭素化を推進するとともに、民生用および産業用アプリケーションにおいて高周波動作、効率向上、システムサイズの小型化を実現します。60V～700Vの電圧クラスと、幅広いパッケージで提供されています。

主な機能

  • 60V～700V GaNトランジスタ
  • 上面および下面冷却パッケージ
  • 超高速スイッチング
  • 優れたFOM
  • 連続電流: 4A～100A
  • RDS(on)typ.: 1.4mΩ～450mΩ
  • エンハンスメントモード (eモード)
  • 逆回復電荷なし
  • ゲートおよび出力電荷が極めて低い

製品

概要

インフィニオンのGaNトランジスタの利点は何ですか？

•   システムの効率を高めたいとお考えですか?　
インフィニオンのGaNトランジスタを利用することで、スイッチング損失を大幅に削減し、システム全体の効率を向上させることができます。

•   電力密度の向上についてはどうでしょうか?
インフィニオンのGaNデバイスはスイッチング周波数が高いため、受動部品を小型化でき、設計全体のサイズを縮小できます。

•   システムの重量を軽減されたいですか?
インフィニオンのGaNトランジスタにより、使用する材料が少なくなり、部品も小型化されるため、システムの重量が軽減されます。これらのトランジスタは優れたスイッチング速度を備え、さまざまなアプリケーションでエネルギー損失を最小限に抑えながら高い電力密度を実現し、設計者は最高のパフォーマンスを維持しながら、さらに小型で、軽量で、コンパクトなシステムを作成できます。

インフィニオンのGaNトランジスタは、従来のシリコン (Si) スイッチと比較して、優れた熱性能を備えているため、AIデータセンターなどの高電流アプリケーションでの使用が容易になり、信頼性が向上します。インフィニオンのCoolGaN™トランジスタは、堅牢性、耐久性、高電圧スパイクへの耐性を考慮して特別に設計されており、アプリケーションの長寿命を保証します。

GaN HEMT用ゲートドライバIC

適切なゲートドライバICは、設計者がコストを最小限に抑えながら最高の性能を達成するのに役立つため、不可欠です。当社の幅広いポートフォリオは、GaN用にカスタマイズされたシングルチャネルおよびデュアルチャネルの絶縁型および非絶縁型ゲートドライバで構成されています。その中には、真の差動入力を備えたシングルチャネル非絶縁デバイスのファミリー、すなわちEiceDRIVER™ 1EDN TDIファミリーも含まれています。

EiceDRIVER™のポートフォリオをご確認いただき、お客様のGaN設計に適したゲートドライバICの詳細をご覧ください。

GaN HEMT用ゲートドライバIC
GaNパッケージ

PQFN 3x3およびPQFN 3x5パッケージに収められた60 V〜200 Vの範囲のポートフォリオは、湿度感度レベル(MSL)定格が1であるため、標準的な保管および取り扱い条件に適しています。

高電圧分野(≥600V)では、TOLL、TOLT、ThinPAK 5x6、DFN 8x8から上面および下面の冷却DSOまで、非常に幅広いSMDパッケージを提供しています。これらのパッケージは、多様な設計要件に対応し、コンパクトなサイズ、改善された熱性能、費用対効果、および設計の柔軟性を完璧に組み合わせています。

GaN スイッチにはどのような種類がありますか?

GaN HEMT、GaN FET、GaNトランジスタ、GaNパワー半導体などの用語はすべて、GaNトランジスタ製品を指すために使用される用語であることをご存知ですか?

• GaN HEMT: 高電子移動度トランジスタ (HEMT) 構造を使用したGaNトランジスタの一種に関する技術的説明

• GaN FET: 従来のシリコン電界効果トランジスタ技術に長年携わってきた人々によるGaNトランジスタの一般的な呼び方

• GaNトランジスタ: HEMTやその他のあまり使用されていないトランジスタ構造をカプセル化した GaN トランジスタを含む広義の用語

• GaNパワー半導体: GaNトランジスタをディスクリートデバイスとして、またはセンシング、ドライバなどの追加機能を統合したデバイスとして含む非常に広い用語

• CoolGaN™トランジスタ: インフィニオンが開発したGaN HEMTトランジスタの特定のタイプ。高いデバイス性能、品質、信頼性で知られています。

当社のCoolGaN™ソリューションにご興味がおありですか?

CoolGaN™ の詳細はこちら – 民生用、産業用、車載用アプリケーションで最高の効率と電力密度を実現するディスクリートおよび統合ソリューション当社のCoolGaN™製品とソリューションにご興味がございましたら、お気軽にGaNの専門家にお問い合わせください。

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インフィニオンのGaNトランジスタの利点は何ですか？

•   システムの効率を高めたいとお考えですか?　
インフィニオンのGaNトランジスタを利用することで、スイッチング損失を大幅に削減し、システム全体の効率を向上させることができます。

•   電力密度の向上についてはどうでしょうか?
インフィニオンのGaNデバイスはスイッチング周波数が高いため、受動部品を小型化でき、設計全体のサイズを縮小できます。

•   システムの重量を軽減されたいですか?
インフィニオンのGaNトランジスタにより、使用する材料が少なくなり、部品も小型化されるため、システムの重量が軽減されます。これらのトランジスタは優れたスイッチング速度を備え、さまざまなアプリケーションでエネルギー損失を最小限に抑えながら高い電力密度を実現し、設計者は最高のパフォーマンスを維持しながら、さらに小型で、軽量で、コンパクトなシステムを作成できます。

インフィニオンのGaNトランジスタは、従来のシリコン (Si) スイッチと比較して、優れた熱性能を備えているため、AIデータセンターなどの高電流アプリケーションでの使用が容易になり、信頼性が向上します。インフィニオンのCoolGaN™トランジスタは、堅牢性、耐久性、高電圧スパイクへの耐性を考慮して特別に設計されており、アプリケーションの長寿命を保証します。

GaN HEMT用ゲートドライバIC

適切なゲートドライバICは、設計者がコストを最小限に抑えながら最高の性能を達成するのに役立つため、不可欠です。当社の幅広いポートフォリオは、GaN用にカスタマイズされたシングルチャネルおよびデュアルチャネルの絶縁型および非絶縁型ゲートドライバで構成されています。その中には、真の差動入力を備えたシングルチャネル非絶縁デバイスのファミリー、すなわちEiceDRIVER™ 1EDN TDIファミリーも含まれています。

EiceDRIVER™のポートフォリオをご確認いただき、お客様のGaN設計に適したゲートドライバICの詳細をご覧ください。

GaN HEMT用ゲートドライバIC

GaNパッケージ

PQFN 3x3およびPQFN 3x5パッケージに収められた60 V〜200 Vの範囲のポートフォリオは、湿度感度レベル(MSL)定格が1であるため、標準的な保管および取り扱い条件に適しています。

高電圧分野(≥600V)では、TOLL、TOLT、ThinPAK 5x6、DFN 8x8から上面および下面の冷却DSOまで、非常に幅広いSMDパッケージを提供しています。これらのパッケージは、多様な設計要件に対応し、コンパクトなサイズ、改善された熱性能、費用対効果、および設計の柔軟性を完璧に組み合わせています。

GaN スイッチにはどのような種類がありますか?

GaN HEMT、GaN FET、GaNトランジスタ、GaNパワー半導体などの用語はすべて、GaNトランジスタ製品を指すために使用される用語であることをご存知ですか?

• GaN HEMT: 高電子移動度トランジスタ (HEMT) 構造を使用したGaNトランジスタの一種に関する技術的説明

• GaN FET: 従来のシリコン電界効果トランジスタ技術に長年携わってきた人々によるGaNトランジスタの一般的な呼び方

• GaNトランジスタ: HEMTやその他のあまり使用されていないトランジスタ構造をカプセル化した GaN トランジスタを含む広義の用語

• GaNパワー半導体: GaNトランジスタをディスクリートデバイスとして、またはセンシング、ドライバなどの追加機能を統合したデバイスとして含む非常に広い用語

• CoolGaN™トランジスタ: インフィニオンが開発したGaN HEMTトランジスタの特定のタイプ。高いデバイス性能、品質、信頼性で知られています。

当社のCoolGaN™ソリューションにご興味がおありですか?

CoolGaN™ の詳細はこちら – 民生用、産業用、車載用アプリケーションで最高の効率と電力密度を実現するディスクリートおよび統合ソリューション当社のCoolGaN™製品とソリューションにご興味がございましたら、お気軽にGaNの専門家にお問い合わせください。

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