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GaN トランジスタ (GaN HEMT)

CoolGaN™トランジスタ - 60Vから700Vまでの高効率ノーマリオフデバイス

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概要

インフィニオンの窒化ガリウムパワートランジスタは、デジタル化と脱炭素化を推進するとともに、民生用および産業用アプリケーションにおいて高周波動作、効率向上、システムサイズの小型化を実現します。60V～700Vの電圧クラスと、幅広いパッケージで提供されています。

主な機能

  • 60V～700V GaNトランジスタ
  • 上面および下面冷却パッケージ
  • 超高速スイッチング
  • 優れたFOM
  • 連続電流: 4A～100A
  • RDS(on)typ.: 1.4mΩ～450mΩ
  • エンハンスメントモード (eモード)
  • 逆回復電荷なし
  • ゲートおよび出力電荷が極めて低い

製品

概要

インフィニオンのGaNトランジスタの利点

GaNトランジスタは、その優れたスイッチング速度により、幅広いアプリケーションで高電力密度を実現し、エネルギー損失を低減し、効率を向上させます。これは、設計者が高性能を実現する、より小さく、より軽く、よりコンパクトなシステムを作成できることを意味します。

従来のSiスイッチと比較して、GaNトランジスタは熱伝導率が高いため、放熱性が向上し、信頼性が向上します。CoolGaN™トランジスタは、堅牢で高電圧スパイクに耐え、より長い寿命を確保するように設計されています。

GaN HEMT用ゲートドライバIC

適切なゲートドライバICは、設計者がコストを最小限に抑えながら最高の性能を達成するのに役立つため、避けられません。当社の幅広いポートフォリオは、GaN用にカスタマイズされたシングルチャネルおよびデュアルチャネルの絶縁型および非絶縁型ゲートドライバで構成されています。その中には、真の差動入力を備えたシングルチャネル非絶縁デバイスのファミリー、すなわちEiceDRIVER™ 1EDN TDIファミリーも含まれています。

EiceDRIVER™のポートフォリオをご覧いただき、お客様のGaN設計に適したゲートドライバーICについてご覧ください。

GaN HEMT用ゲートドライバIC
GaNパッケージ

PQFN 3x3およびPQFN 3x5パッケージに収められた60V〜200Vの範囲のポートフォリオは、湿度感度レベル(MSL)定格が1であるため、標準的な保管および取り扱い条件に適しています。

高電圧分野(≥600V)では、TOLL、TOLT、ThinPAK 5x6、DFN 8x8から上面および下面の冷却DSOまで、非常に幅広いSMDパッケージを提供しています。これらのパッケージは、多様な設計要件に対応し、コンパクトなサイズ、改善された熱性能、費用対効果、および設計の柔軟性を完璧に組み合わせています。

ご存じでしたか?

GaN fet、GaN MOSFET、GaNトランジスタ、GaN HEMTなどの用語は、当社のCoolGaNトランジスタでは若干の技術的な違いはあるものの、すべて交換可能な用語であることをご存知ですか?

当社のCoolGaN™ソリューションにご興味がおありですか?

CoolGaN™ の詳細はこちら – 民生用、産業用、車載用アプリケーションで最高の効率と電力密度を実現するディスクリートおよび統合ソリューション当社のCoolGaN™製品とソリューションにご興味がございましたら、お気軽にGaNの専門家にお問い合わせください。

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インフィニオンのGaNトランジスタの利点

GaNトランジスタは、その優れたスイッチング速度により、幅広いアプリケーションで高電力密度を実現し、エネルギー損失を低減し、効率を向上させます。これは、設計者が高性能を実現する、より小さく、より軽く、よりコンパクトなシステムを作成できることを意味します。

従来のSiスイッチと比較して、GaNトランジスタは熱伝導率が高いため、放熱性が向上し、信頼性が向上します。CoolGaN™トランジスタは、堅牢で高電圧スパイクに耐え、より長い寿命を確保するように設計されています。

GaN HEMT用ゲートドライバIC

適切なゲートドライバICは、設計者がコストを最小限に抑えながら最高の性能を達成するのに役立つため、避けられません。当社の幅広いポートフォリオは、GaN用にカスタマイズされたシングルチャネルおよびデュアルチャネルの絶縁型および非絶縁型ゲートドライバで構成されています。その中には、真の差動入力を備えたシングルチャネル非絶縁デバイスのファミリー、すなわちEiceDRIVER™ 1EDN TDIファミリーも含まれています。

EiceDRIVER™のポートフォリオをご覧いただき、お客様のGaN設計に適したゲートドライバーICについてご覧ください。

GaN HEMT用ゲートドライバIC

GaNパッケージ

PQFN 3x3およびPQFN 3x5パッケージに収められた60V〜200Vの範囲のポートフォリオは、湿度感度レベル(MSL)定格が1であるため、標準的な保管および取り扱い条件に適しています。

高電圧分野(≥600V)では、TOLL、TOLT、ThinPAK 5x6、DFN 8x8から上面および下面の冷却DSOまで、非常に幅広いSMDパッケージを提供しています。これらのパッケージは、多様な設計要件に対応し、コンパクトなサイズ、改善された熱性能、費用対効果、および設計の柔軟性を完璧に組み合わせています。

ご存じでしたか?

GaN fet、GaN MOSFET、GaNトランジスタ、GaN HEMTなどの用語は、当社のCoolGaNトランジスタでは若干の技術的な違いはあるものの、すべて交換可能な用語であることをご存知ですか?

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