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32 ビット TriCore™ AURIX™ – TC3x
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HybridPACK™ HD
HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFET 1400V automotive qualified power modules designed to meet demanding requirements of electric commercial vehicles
-
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概要
HybridPACK™ HD extends our popular HybridPACK™ Drive portfolio to meet demanding heavy-duty requirements. Scalable performance enabled by .XT technology delivers from 500 A to 1,200 A RMS for applications from long-haul to city distribution. The module supports 1000 V battery operation today and is mechanically prepared for up to 1500 Vdc, enabling future megawatt charging without a redesign. Overall, it provides a compact, robust, and TCO-optimized inverter solution without module paralleling, while ensuring full future readiness.
主な特長
- High output current
- Long lifetime
- High voltage ready
- Compact design
- Lower TCO
概要
メガワット充電システム (MCS) による大型トラックの急速充電を可能にするため、本パッケージは最大1500 VDCのバッテリー電圧に機械的に対応できるよう設計されています。コンパクトな設計と高い耐振動性 (ISO 16750-3、試験VIIおよびIXに準拠) により、HybridPACK™ HDはe-axleへの組み込みに適しています。HybridPACK™ HDのパッケージは、RTI (相対熱指数) 220 ℃ までの高電流に対応します。さらに、インフィニオンのXENSIV™ TLE4973 ICを用いたオプションのSwoboda CSM510HP2S/D電流センサー モジュールを容易に組み込めるように、パッケージには、専用スロットが設けられています。
炭化ケイ素 (SiC) MOSFETは、従来のシリコン系半導体よりも、高い動作温度、高いスイッチング周波数、高い電力変換効率を実現します。
インフィニオンのCoolSiC™ MOSFETモジュールは、先進的な炭化ケイ素 (SiC) 技術を活用し、電力密度の向上、冷却要件の低減、ならびにシステム コストおよび運用コストの低減を実現します。SiC MOSFETの利点は、要求の厳しいパワー エレクトロニクス用途において、システム寿命の延長、信頼性の向上、全体効率の向上に貢献します。
.XTは、焼結チップ、Cuボンド ワイヤー、および高信頼性のシステムはんだ付けを特長とする高性能接合技術です。これにより、優れたパワー サイクル耐量が得られ、過負荷条件下でも高い信頼性と150万km超の寿命を実現します。
モジュールの電力損失は、データシートに記載されている最大許容動作温度を超えないように放散しなければなりません。したがって、冷却システム/ヒートシンクの設計はきわめて重要です。HybridPACK™ HDは、ベースプレートに最適化されたPinFinアレイを備えており、高効率な液冷を可能にします。ベースプレートは銅 (Cu) 製で、ニッケル (Ni) めっきが施されています。
メガワット充電システム (MCS) による大型トラックの急速充電を可能にするため、本パッケージは最大1500 VDCのバッテリー電圧に機械的に対応できるよう設計されています。コンパクトな設計と高い耐振動性 (ISO 16750-3、試験VIIおよびIXに準拠) により、HybridPACK™ HDはe-axleへの組み込みに適しています。HybridPACK™ HDのパッケージは、RTI (相対熱指数) 220 ℃ までの高電流に対応します。さらに、インフィニオンのXENSIV™ TLE4973 ICを用いたオプションのSwoboda CSM510HP2S/D電流センサー モジュールを容易に組み込めるように、パッケージには、専用スロットが設けられています。
炭化ケイ素 (SiC) MOSFETは、従来のシリコン系半導体よりも、高い動作温度、高いスイッチング周波数、高い電力変換効率を実現します。
インフィニオンのCoolSiC™ MOSFETモジュールは、先進的な炭化ケイ素 (SiC) 技術を活用し、電力密度の向上、冷却要件の低減、ならびにシステム コストおよび運用コストの低減を実現します。SiC MOSFETの利点は、要求の厳しいパワー エレクトロニクス用途において、システム寿命の延長、信頼性の向上、全体効率の向上に貢献します。
.XTは、焼結チップ、Cuボンド ワイヤー、および高信頼性のシステムはんだ付けを特長とする高性能接合技術です。これにより、優れたパワー サイクル耐量が得られ、過負荷条件下でも高い信頼性と150万km超の寿命を実現します。
モジュールの電力損失は、データシートに記載されている最大許容動作温度を超えないように放散しなければなりません。したがって、冷却システム/ヒートシンクの設計はきわめて重要です。HybridPACK™ HDは、ベースプレートに最適化されたPinFinアレイを備えており、高効率な液冷を可能にします。ベースプレートは銅 (Cu) 製で、ニッケル (Ni) めっきが施されています。
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