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85V～300V Nチャネル パワーMOSFET

OptiMOS™および StrongIRFET™ Nチャネル パワーMOSFET 85V～300V

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概要

インフィニオンの85V～300V NチャネルMOSFETのポートフォリオは、OptiMOS™およびStrongIRFET™技術で提供され、低電力、中電力、高電力のアプリケーションに適しています。超低逆回復電荷 (Qrr) と優れたオン抵抗(RDSon)性能指数 (FOM) により、高速でハードスイッチングを可能にするインフィニオンの85V〜300V NチャネルMOSFETの範囲は、システム全体のコスト削減につながります。

主な機能

  • 超低逆回復電荷
  • 低 RDS(ON)
  • 優れた性能指数
  • 高性能に最適化
  • 高電流能力

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製品

概要

85V～300V Nチャネル製品ポートフォリオ

インフィニオンは、85V〜300Vの範囲のNチャネルMOSFETの広範な製品ポートフォリオにより、産業用および車載用アプリケーションの両方のニーズに対応します。 85V〜300V NチャネルMOSFETのポートフォリオは、UPS、太陽光発電アプリケーション、フォークリフト、小型電気自動車などのアプリケーションに最適です。

100V N チャネル MOSFET

高いスイッチング周波数と低いスイッチング周波数の両方の要件に対応するために、インフィニオンは、OptiMOS™と StrongIRFET™ シリコンダイ技術を利用した100V MOSFETの幅広いラインを開発しました。 OptiMOS™ 100V製品は、広いスイッチング周波数を必要とする高性能アプリケーション向けに最適化されており、StrongIRFET™製品は100kHz未満のスイッチング周波数用に最適化されています。 堅牢な設計により、産業用アプリケーション向けの堅牢性と電流容量の向上を実現します。

OptiMOS™ 6パワーMOSFET 100Vは、インフィニオンの最新MOSFET技術で、高スイッチング周波数アプリケーションにおける性能指数の向上と効率の向上を特長としています。 インフィニオンの OptiMOS™ 6ファミリーは、SMPSだけでなく、ソーラー、電動工具、バッテリー管理システムなどのアプリケーションを対象としています。

ワイヤレス充電、ACアダプター、およびテレコムアプリケーション向けに、ロジックレベルの製品群は、高い電力密度とスイッチング周波数を提供します。 デバイスのゲート電荷 (Qg) が低いため、導通損失を損なうことなくスイッチング損失を低減できます。 PQFN 2x2パッケージは非常に小型で、スペースが重要なアプリケーションに最適です。

OptiMOS™ 6 パワーMOSFET 100V
ロジックレベルMOSFETについてさらに詳しく
 OptiMOS™ LinearFET 100V/150V/200V

OptiMOS™リニアFETは、100V、150V、および200VのNチャネルMOSFET電圧クラスで入手可能で、導通損失を低減し、セットアップを高速化し、インターミッションを短くするように設計されています。この製品群は、革新的なアプローチを使用して、トレンチMOSFETの最先端のオン状態抵抗(RDS(on))と、従来の平面MOSFETの広い安全動作領域(SOA)を提供します。

この製品ファミリは、高い突入電流を制限するように設計されているため、負荷での損傷を防止するため、テレコムやバッテリ管理システムで一般的に見られるようなホットスワップおよびe-ヒューズ(電子ヒューズ)アプリケーションに最適です。

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OptiMOS™ 高速ダイオード型 200V/220V/250V/300V Nチャネル MOSFET

ハードスイッチングトポロジー向けに最適化されたOptiMOS™高速ダイオード (FD) は、ボディダイオードのハードコミュテーション用に設計された200V、220V、250V、300Vの範囲のインフィニオンの最新世代のパワーMOSFETの一部です。

最高水準の性能を求めるお客様向けに最適化された低逆回復電荷(Qrr)により、250V NチャネルMOSFETを含むOptiMOS™ FD製品は、OptiMOS™ 3と比較して40%のQrr低減を達成しています。

この低いQrr は、電圧オーバーシュートの大幅な低減を提供することにより、システムの信頼性を向上させ、スナバ回路の必要性を最小限に抑え、エンジニアリングのコストと労力を削減します。

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車載アプリケーション向けの85V～300V Nチャネル MOSFET

インフィニオンは、車載認定済みの85V〜300VレンジのNチャネルMOSFETの幅広い製品ポートフォリオを提供しています。 詳細については、車載用MOSFETのページをご覧ください。

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OptiMOS™ 5 150V パワーMOSFET

インフィニオンの150VのOptiMOS™ 5パワーMOSFETは、性能指数(FOMgd)と性能指数の出力電荷(FOMoss)を損なうことなく、RDS(on)を大幅に低減し(次に優れたSuperS08と比較して最大25%)、低Qrrを実現します。これにより、設計作業を効果的に削減しながら、システム効率を最適化することができます。これらのデバイスは、フォークリフトや電動スクーターなどの低電圧ドライブや、通信およびソーラーアプリケーションに特に適しています。

150VテクノロジーのOptiMOS™ 5 MOSFETは、より小型でクラス最高のSuperSO8(PQFN 5 x 6)パッケージデバイスをTO-220の代替品に置き換えることを可能にし、スイッチはパッケージインダクタンスの減少により電力密度の向上と電圧オーバーシュート(Vds)の低減を実現できます。

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85V～300V Nチャネル製品ポートフォリオ

インフィニオンは、85V〜300Vの範囲のNチャネルMOSFETの広範な製品ポートフォリオにより、産業用および車載用アプリケーションの両方のニーズに対応します。 85V〜300V NチャネルMOSFETのポートフォリオは、UPS、太陽光発電アプリケーション、フォークリフト、小型電気自動車などのアプリケーションに最適です。

100V N チャネル MOSFET

高いスイッチング周波数と低いスイッチング周波数の両方の要件に対応するために、インフィニオンは、OptiMOS™と StrongIRFET™ シリコンダイ技術を利用した100V MOSFETの幅広いラインを開発しました。 OptiMOS™ 100V製品は、広いスイッチング周波数を必要とする高性能アプリケーション向けに最適化されており、StrongIRFET™製品は100kHz未満のスイッチング周波数用に最適化されています。 堅牢な設計により、産業用アプリケーション向けの堅牢性と電流容量の向上を実現します。

OptiMOS™ 6パワーMOSFET 100Vは、インフィニオンの最新MOSFET技術で、高スイッチング周波数アプリケーションにおける性能指数の向上と効率の向上を特長としています。 インフィニオンの OptiMOS™ 6ファミリーは、SMPSだけでなく、ソーラー、電動工具、バッテリー管理システムなどのアプリケーションを対象としています。

ワイヤレス充電、ACアダプター、およびテレコムアプリケーション向けに、ロジックレベルの製品群は、高い電力密度とスイッチング周波数を提供します。 デバイスのゲート電荷 (Qg) が低いため、導通損失を損なうことなくスイッチング損失を低減できます。 PQFN 2x2パッケージは非常に小型で、スペースが重要なアプリケーションに最適です。

OptiMOS™ 6 パワーMOSFET 100V
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 OptiMOS™ LinearFET 100V/150V/200V

OptiMOS™リニアFETは、100V、150V、および200VのNチャネルMOSFET電圧クラスで入手可能で、導通損失を低減し、セットアップを高速化し、インターミッションを短くするように設計されています。この製品群は、革新的なアプローチを使用して、トレンチMOSFETの最先端のオン状態抵抗(RDS(on))と、従来の平面MOSFETの広い安全動作領域(SOA)を提供します。

この製品ファミリは、高い突入電流を制限するように設計されているため、負荷での損傷を防止するため、テレコムやバッテリ管理システムで一般的に見られるようなホットスワップおよびe-ヒューズ(電子ヒューズ)アプリケーションに最適です。

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OptiMOS™ 高速ダイオード型 200V/220V/250V/300V Nチャネル MOSFET

ハードスイッチングトポロジー向けに最適化されたOptiMOS™高速ダイオード (FD) は、ボディダイオードのハードコミュテーション用に設計された200V、220V、250V、300Vの範囲のインフィニオンの最新世代のパワーMOSFETの一部です。

最高水準の性能を求めるお客様向けに最適化された低逆回復電荷(Qrr)により、250V NチャネルMOSFETを含むOptiMOS™ FD製品は、OptiMOS™ 3と比較して40%のQrr低減を達成しています。

この低いQrr は、電圧オーバーシュートの大幅な低減を提供することにより、システムの信頼性を向上させ、スナバ回路の必要性を最小限に抑え、エンジニアリングのコストと労力を削減します。

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車載アプリケーション向けの85V～300V Nチャネル MOSFET

インフィニオンは、車載認定済みの85V〜300VレンジのNチャネルMOSFETの幅広い製品ポートフォリオを提供しています。 詳細については、車載用MOSFETのページをご覧ください。

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OptiMOS™ 5 150V パワーMOSFET

インフィニオンの150VのOptiMOS™ 5パワーMOSFETは、性能指数(FOMgd)と性能指数の出力電荷(FOMoss)を損なうことなく、RDS(on)を大幅に低減し(次に優れたSuperS08と比較して最大25%)、低Qrrを実現します。これにより、設計作業を効果的に削減しながら、システム効率を最適化することができます。これらのデバイスは、フォークリフトや電動スクーターなどの低電圧ドライブや、通信およびソーラーアプリケーションに特に適しています。

150VテクノロジーのOptiMOS™ 5 MOSFETは、より小型でクラス最高のSuperSO8(PQFN 5 x 6)パッケージデバイスをTO-220の代替品に置き換えることを可能にし、スイッチはパッケージインダクタンスの減少により電力密度の向上と電圧オーバーシュート(Vds)の低減を実現できます。

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