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CoolSiC™ MOSFETモジュール

さまざまなパッケージとトポロジーを取り揃えたCoolSiC™ MOSFETモジュール技術

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概要

インフィニオンのCoolSiC™ MOSFET パワーモジュール製品群は、インバーター設計者にこれまでにないレベルの効率と電力密度を実現する新たな機会を提供します。

主な機能

  • スイッチング損失の低減
  • 内蔵ボディダイオード
  • 優れたゲート酸化膜信頼性
  • Vth > 4 V のしきい値電圧

製品

概要

CoolSiC™ MOSFETディスクリートの紹介

当社のCoolSiC™ MOSFET パワーモジュールは、3レベル、ハーフブリッジ、4パック、6パック、ブースターなどさまざまな構成で提供しており、1200 V および2000 V のSiC MOSFETモジュールは、最先端のトレンチ設計、クラス最高のスイッチング損失および導通損失により、ゲート酸化膜の優れた信頼性を実現しています。

すべてのEasyPACK™、EasyDUAL™、62mmパッケージのCoolSiC™ MOSFET パワーモジュールにおいて、熱インターフェース材料 (TIM) の事前塗布や、その他追加機能をオプションとして提供しています。 例えば、高性能窒化アルミニウム(AlN)セラミックを使用したEasyモジュールは、RthJHの熱性能を大幅に向上させます。

CoolSiC™テクノロジーの詳細
サーマル インターフェース マテリアル (TIM)
車載用 CoolSiC™ MOSFETモジュールについて

トラクション インバーター(DCを高電圧バッテリから電気モーターのACに変換する)、オンボード バッテリ チャージャー、補助インバーター、HV/LV DC-DCコンバーター、および燃料電池エア コンプレッサーやDC-DCブースト コンバーターなどの特定の燃料電池電気自動車(FCEV)アプリケーションなど、ハイブリッド車および電気自動車アプリケーション向けの幅広いCoolSiC™ MOSFET自動車用パワーモジュールを提供しています。

CoolSiC™ MOSFET車載用パワーモジュール
CoolSiC™ MOSFETモジュールの利点

炭化ケイ素 (SiC) をスイッチとして使用する場合、高い動作温度とスイッチング周波数を可能にすることでシステム全体の効率を向上させると同時に、高いサポート力を発揮します。さらに、SiC パワーモジュールは、さまざまなアプリケーションのニーズに合わせて、オン抵抗52.9 mOhm から1.44 mOhmまで、様々なトポロジーで利用することが可能です。

さらに、炭化ケイ素CoolSiC™ MOSFETモジュールには、電力密度の向上、冷却作業の削減、システムコストの削減、運用コストの削減など、重要な主要な利点が組み込まれています。

SiC MOSFET用ゲートドライバIC

CoolSiC™ MOSFETなどの超高速スイッチングパワートランジスタは、絶縁されたゲート出力を使うと取り扱いが容易です。したがって、その最適解として当社のコアレストランス技術に基づくガルバニック絶縁されたEiceDRIVER™ ICを推奨します。

SiC MOSFET用 EiceDRIVER™ ICについて

CoolSiC™ MOSFETディスクリートの紹介

当社のCoolSiC™ MOSFET パワーモジュールは、3レベル、ハーフブリッジ、4パック、6パック、ブースターなどさまざまな構成で提供しており、1200 V および2000 V のSiC MOSFETモジュールは、最先端のトレンチ設計、クラス最高のスイッチング損失および導通損失により、ゲート酸化膜の優れた信頼性を実現しています。

すべてのEasyPACK™、EasyDUAL™、62mmパッケージのCoolSiC™ MOSFET パワーモジュールにおいて、熱インターフェース材料 (TIM) の事前塗布や、その他追加機能をオプションとして提供しています。 例えば、高性能窒化アルミニウム(AlN)セラミックを使用したEasyモジュールは、RthJHの熱性能を大幅に向上させます。

CoolSiC™テクノロジーの詳細
サーマル インターフェース マテリアル (TIM)

車載用 CoolSiC™ MOSFETモジュールについて

トラクション インバーター(DCを高電圧バッテリから電気モーターのACに変換する)、オンボード バッテリ チャージャー、補助インバーター、HV/LV DC-DCコンバーター、および燃料電池エア コンプレッサーやDC-DCブースト コンバーターなどの特定の燃料電池電気自動車(FCEV)アプリケーションなど、ハイブリッド車および電気自動車アプリケーション向けの幅広いCoolSiC™ MOSFET自動車用パワーモジュールを提供しています。

CoolSiC™ MOSFET車載用パワーモジュール

CoolSiC™ MOSFETモジュールの利点

炭化ケイ素 (SiC) をスイッチとして使用する場合、高い動作温度とスイッチング周波数を可能にすることでシステム全体の効率を向上させると同時に、高いサポート力を発揮します。さらに、SiC パワーモジュールは、さまざまなアプリケーションのニーズに合わせて、オン抵抗52.9 mOhm から1.44 mOhmまで、様々なトポロジーで利用することが可能です。

さらに、炭化ケイ素CoolSiC™ MOSFETモジュールには、電力密度の向上、冷却作業の削減、システムコストの削減、運用コストの削減など、重要な主要な利点が組み込まれています。

SiC MOSFET用ゲートドライバIC

CoolSiC™ MOSFETなどの超高速スイッチングパワートランジスタは、絶縁されたゲート出力を使うと取り扱いが容易です。したがって、その最適解として当社のコアレストランス技術に基づくガルバニック絶縁されたEiceDRIVER™ ICを推奨します。

SiC MOSFET用 EiceDRIVER™ ICについて

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