High-voltage GaN transistors

Explore high-voltage CoolGaN™ Transistors, discrete and integrated normally-off devices, ranging from 650 V to 700 V.

anchor

概要

Infineon’s gallium nitride (GaN) high-voltage transistors range from 650 V to 700 V. The fast turn-on and turn-off speeds with minimal switching losses are crucial for AI data centers, EVs, renewable energy, humanoid robots, consumer applications and many more. With various packages and rigorous qualifications exceeding industry standards, Infineon’s GaN devices enable high-frequency switching while reducing costs and system size.

主な特長

  • Ultrafast switching-speed
  • Enhancement mode (e-mode)
  • Ultra-low gate and output charge
  • Top and bottom side cooled packages
  • Superior FOMs
  • RDS(on)typ. from 25 mΩ to 500 mΩ
  • No reverse-recovery charge

製品

概要

インフィニオンのGaNトランジスタの利点は何ですか？

• システムの効率を高めたいとお考えですか？インフィニオンのGaNトランジスタを利用することで、スイッチング損失を大幅に削減し、システム全体の効率を向上させることができます。

• 電力密度を向上させたいですか？インフィニオンのGaNデバイスはスイッチング周波数が高いため、受動部品を小型化でき、設計全体のサイズを縮小できます。

• システムの重量を軽減したいですか？インフィニオンのGaNトランジスタにより、使用する材料が少なくなり、部品も小型化されるため、システムの重量が軽減されます。これらのトランジスタは優れたスイッチング速度を備え、さまざまなアプリケーションでエネルギー損失を最小限に抑えながら高い電力密度を実現し、設計者は高い性能を維持しつつ、より小型で軽量かつコンパクトなシステムを設計できます。

インフィニオンのGaNトランジスタは、従来のシリコン (Si) スイッチと比較して熱性能が高く、AIデータセンターなどの高電流アプリケーションでの使用を容易にし、信頼性を向上させます。

インフィニオンのCoolGaN™トランジスタは、堅牢性と耐久性を重視し、高電圧スパイクに耐えられるよう特別に設計されており、アプリケーションの長寿命化に貢献します。

GaN用ゲートドライバIC

GaNの性能を最適化しつつシステムコストを最小限に抑えるには、適切なゲートドライバICを選択することが重要です。インフィニオンの包括的なEiceDRIVER™ゲートドライバIC製品群は、インフィニオンのCoolGaN™ショットキーゲート (SG) HEMTおよびゲート注入トランジスタ (GIT) HEMTの両方に対応する、シングルチャネル/デュアルチャネルの絶縁型、レベルシフト型、非絶縁型ゲートドライバを幅広く提供しています。

EiceDRIVER™の製品ラインナップをご覧いただき、最適なドライバを見つけてください。

パートナー詳細

GaNパッケージ

高電圧分野 (≥600 V) では、TOLL、TOLT、Thin-PAK 5x6、DFN 8x8から、上面放熱および下面放熱のDSOまで、非常に幅広い種類のSMDパッケージを提供しています。これらのパッケージは多様な設計要件に対応し、小型化、熱性能の向上、費用対効果、設計の柔軟性をバランスよく備えています。

GaNシステム設計パートナー

インフィニオンのCoolGaN™は、実績のある信頼性、確実な長期供給、専門的なサポートを備えたディスクリートおよび統合GaNパワー ソリューションを提供し、民生用、産業用、車載用アプリケーションにおいて、最高の性能とより高効率なシステムの実現に貢献します。

当社はグローバルなGo-to-market (G2M) パートナー エコシステムと連携し、開発サイクルを短縮して市場投入までの時間を加速し、お客様の製品に革新的で差別化された機能をもたらすターンキー ソリューション、リファレンス デザイン、サービス、革新的技術を提供しています。

パートナー詳細

CoolGaN™ソリューションにご興味はありますか？

インフィニオンのディスクリートおよび統合GaNソリューションは、民生用、産業用、車載用アプリケーションで最高の効率と電力密度を実現します。CoolGaN™製品およびソリューションにご興味がありましたら、当社のGaNエキスパートまでお気軽にお問い合わせください。

お問い合わせ

インフィニオンのGaNトランジスタの利点は何ですか？

• システムの効率を高めたいとお考えですか？インフィニオンのGaNトランジスタを利用することで、スイッチング損失を大幅に削減し、システム全体の効率を向上させることができます。

• 電力密度を向上させたいですか？インフィニオンのGaNデバイスはスイッチング周波数が高いため、受動部品を小型化でき、設計全体のサイズを縮小できます。

• システムの重量を軽減したいですか？インフィニオンのGaNトランジスタにより、使用する材料が少なくなり、部品も小型化されるため、システムの重量が軽減されます。これらのトランジスタは優れたスイッチング速度を備え、さまざまなアプリケーションでエネルギー損失を最小限に抑えながら高い電力密度を実現し、設計者は高い性能を維持しつつ、より小型で軽量かつコンパクトなシステムを設計できます。

インフィニオンのGaNトランジスタは、従来のシリコン (Si) スイッチと比較して熱性能が高く、AIデータセンターなどの高電流アプリケーションでの使用を容易にし、信頼性を向上させます。

インフィニオンのCoolGaN™トランジスタは、堅牢性と耐久性を重視し、高電圧スパイクに耐えられるよう特別に設計されており、アプリケーションの長寿命化に貢献します。

GaN用ゲートドライバIC

GaNの性能を最適化しつつシステムコストを最小限に抑えるには、適切なゲートドライバICを選択することが重要です。インフィニオンの包括的なEiceDRIVER™ゲートドライバIC製品群は、インフィニオンのCoolGaN™ショットキーゲート (SG) HEMTおよびゲート注入トランジスタ (GIT) HEMTの両方に対応する、シングルチャネル/デュアルチャネルの絶縁型、レベルシフト型、非絶縁型ゲートドライバを幅広く提供しています。

EiceDRIVER™の製品ラインナップをご覧いただき、最適なドライバを見つけてください。

パートナー詳細

GaNパッケージ

高電圧分野 (≥600 V) では、TOLL、TOLT、Thin-PAK 5x6、DFN 8x8から、上面放熱および下面放熱のDSOまで、非常に幅広い種類のSMDパッケージを提供しています。これらのパッケージは多様な設計要件に対応し、小型化、熱性能の向上、費用対効果、設計の柔軟性をバランスよく備えています。

GaNシステム設計パートナー

インフィニオンのCoolGaN™は、実績のある信頼性、確実な長期供給、専門的なサポートを備えたディスクリートおよび統合GaNパワー ソリューションを提供し、民生用、産業用、車載用アプリケーションにおいて、最高の性能とより高効率なシステムの実現に貢献します。

当社はグローバルなGo-to-market (G2M) パートナー エコシステムと連携し、開発サイクルを短縮して市場投入までの時間を加速し、お客様の製品に革新的で差別化された機能をもたらすターンキー ソリューション、リファレンス デザイン、サービス、革新的技術を提供しています。

パートナー詳細

CoolGaN™ソリューションにご興味はありますか？

インフィニオンのディスクリートおよび統合GaNソリューションは、民生用、産業用、車載用アプリケーションで最高の効率と電力密度を実現します。CoolGaN™製品およびソリューションにご興味がありましたら、当社のGaNエキスパートまでお気軽にお問い合わせください。

お問い合わせ
ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ