JFET

効率的で堅牢な高電圧ソリッドステート電力分配を実現する、インフィニオンのCoolSiC™ JFETをご覧ください。

概要

ソリッドステート電力分配のための新技術

インフィニオンのCoolSiC™ JFET技術は、先進的なソリッドステート電力分配および保護向けに設計されたパワー半導体ファミリーにより、炭化ケイ素ポートフォリオを拡充します。SiC JFETは、炭化ケイ素材料の利点に加え、超低導通損失と、過酷な動作条件下でも堅牢に動作する特性を兼ね備えることで、小型で効率的かつ信頼性の高い保護システムの実現に貢献します。

電力配電がデジタル化、分散化、高密度化するにつれて、従来の電気機械式保護方式は限界に近づきつつあります。炭化ケイ素JFETは、より高速に反応し、損失を低減し、拡張性の高い大電流システム設計を可能にする半導体ベースの保護コンセプトへの移行を支えます。

CoolSiC™ JFET技術の主な特長

シリコンカーバイド (SiC) JFETは、低導通損失、高速な故障応答、高い堅牢性が主要なシステム要件となるアプリケーション向けに設計されています。これらの技術的強みは、産業、インフラ、再生可能エネルギー、バッテリー、データセンターの電力システムにおける、要求の厳しい保護および配電コンセプトを支えます。

SiC JFETの主な特長には、超低オン抵抗、堅牢なターンオフ能力、故障条件下での高い耐性、優れた熱特性、およびさまざまなシステム アーキテクチャに対応する拡張可能な実装オプションが含まれます。

  • 超低オン抵抗による導通損失の低減
  • ソリッドステート保護コンセプトに向けた堅牢なターンオフ能力
  • 過負荷、短絡、アバランシェ条件下での高い堅牢性
  • 高電圧 大電流の配電システムに最適
  • さまざまな製品コンセプトやフォーム ファクターにわたる拡張可能な実装
  • インフィニオンのCoolSiC™技術とシステムの専門知識によるサポート
デバイスの特長からシステム レベルの価値へ

シリコンカーバイド (SiC) JFETは、次世代配電における主要な課題 (導通損失の低減、保護速度の向上、堅牢性の向上、小型の大電流設計の実現) への対応を、システム設計者が進めるうえで役立ちます。

低オン抵抗、故障条件下での高い耐性、ソリッドステート スイッチング能力を兼ね備えたSiC JFETは、ソリッドステート サーキット ブレーカー、電子ヒューズ、バッテリー ディスコネクト スイッチ、AIデータセンターの配電、モーター ソフト スターター、産業用安全リレー、再生可能エネルギー システム、および高電圧DC配電に特に適しています。

CoolSiC™ JFETポートフォリオを見る

インフィニオンのCoolSiC™ JFETポートフォリオは、ソリッドステート電力分配および保護に向けたさまざまな実装アプローチをサポートするよう設計されています。本ポートフォリオはSiC JFETディスクリートから開始し、さまざまなフォーム ファクター、システム電圧、および電流要件に対応できるよう拡充される予定です。

このアプローチにより、設計者はシステム アーキテクチャ、ゲート駆動戦略、保護および絶縁のコンセプト、熱設計、統合、製造要件に応じて、適切な実装コンセプトを柔軟に選択できます。

ソリッドステート電力分配のための新技術

インフィニオンのCoolSiC™ JFET技術は、先進的なソリッドステート電力分配および保護向けに設計されたパワー半導体ファミリーにより、炭化ケイ素ポートフォリオを拡充します。SiC JFETは、炭化ケイ素材料の利点に加え、超低導通損失と、過酷な動作条件下でも堅牢に動作する特性を兼ね備えることで、小型で効率的かつ信頼性の高い保護システムの実現に貢献します。

電力配電がデジタル化、分散化、高密度化するにつれて、従来の電気機械式保護方式は限界に近づきつつあります。炭化ケイ素JFETは、より高速に反応し、損失を低減し、拡張性の高い大電流システム設計を可能にする半導体ベースの保護コンセプトへの移行を支えます。

CoolSiC™ JFET技術の主な特長

シリコンカーバイド (SiC) JFETは、低導通損失、高速な故障応答、高い堅牢性が主要なシステム要件となるアプリケーション向けに設計されています。これらの技術的強みは、産業、インフラ、再生可能エネルギー、バッテリー、データセンターの電力システムにおける、要求の厳しい保護および配電コンセプトを支えます。

SiC JFETの主な特長には、超低オン抵抗、堅牢なターンオフ能力、故障条件下での高い耐性、優れた熱特性、およびさまざまなシステム アーキテクチャに対応する拡張可能な実装オプションが含まれます。

  • 超低オン抵抗による導通損失の低減
  • ソリッドステート保護コンセプトに向けた堅牢なターンオフ能力
  • 過負荷、短絡、アバランシェ条件下での高い堅牢性
  • 高電圧 大電流の配電システムに最適
  • さまざまな製品コンセプトやフォーム ファクターにわたる拡張可能な実装
  • インフィニオンのCoolSiC™技術とシステムの専門知識によるサポート
デバイスの特長からシステム レベルの価値へ

シリコンカーバイド (SiC) JFETは、次世代配電における主要な課題 (導通損失の低減、保護速度の向上、堅牢性の向上、小型の大電流設計の実現) への対応を、システム設計者が進めるうえで役立ちます。

低オン抵抗、故障条件下での高い耐性、ソリッドステート スイッチング能力を兼ね備えたSiC JFETは、ソリッドステート サーキット ブレーカー、電子ヒューズ、バッテリー ディスコネクト スイッチ、AIデータセンターの配電、モーター ソフト スターター、産業用安全リレー、再生可能エネルギー システム、および高電圧DC配電に特に適しています。

CoolSiC™ JFETポートフォリオを見る

インフィニオンのCoolSiC™ JFETポートフォリオは、ソリッドステート電力分配および保護に向けたさまざまな実装アプローチをサポートするよう設計されています。本ポートフォリオはSiC JFETディスクリートから開始し、さまざまなフォーム ファクター、システム電圧、および電流要件に対応できるよう拡充される予定です。

このアプローチにより、設計者はシステム アーキテクチャ、ゲート駆動戦略、保護および絶縁のコンセプト、熱設計、統合、製造要件に応じて、適切な実装コンセプトを柔軟に選択できます。

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