3300 VシリコンカーバイドMOSFET

オン抵抗定格が最小1.9 mΩ の3300 V CoolSiC™ MOSFET

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概要

XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 3.3 kV と .XT相互接続技術は、エネルギー貯蔵システム、水素電解、太陽光発電、トラクションなど、高出力と高信頼性を必要とするアプリケーション向けに特別に開発されました。

主な特長

  • CoolSiC™ MOSFET 3.3 kV
  • XHP™ 2ハウジング
  • .XT相互接合技術
  • 一体型ボディダイオード
  • RDS(オン):1.9、2.5、3.8mOhm
  • Inom: 1000, 750, 500 A

製品

概要

.XT相互接続技術を採用した3.3 kV XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET

3.3kVの高速スイッチング、エネルギー効率の高いシリコンカーバイドCoolSiC™ MOSFETは、ハーフブリッジトポロジーと堅牢を備えた低誘導XHP™ 2ハウジングに収められています。寿命を延ばすためのXT相互接続技術は、Rdsonが1.9〜3.8mΩ、Inomが1000A〜500Aと、さまざまなバリエーションで利用できます。

CoolSiC™ MOSFET モジュール

CoolSiC™ MOSFETモジュールは、高い動作温度とスイッチング周波数を可能にし、システム全体の効率を向上させます。これらのモジュールは、3レベル、ハーフブリッジ、4パック、6パック、ブースタートポロジなど、さまざまな構成で利用でき、1200V、2000V、3300Vで提供されます。

事前に塗布されたサーマルインターフェースマテリアル(TIM)などの追加オプションも注文できます。

インフィニオンのCoolSiC™ MOSFETモジュールは、トレンチ技術に基づいており、優れたゲート酸化膜信頼性、クラス最高のスイッチング損失、導通損失を特長としています。

モジュールハウジング内のCoolSiC MOSFETの詳細
.XT相互接続技術を採用した3.3 kV XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET

3.3kVの高速スイッチング、エネルギー効率の高いシリコンカーバイドCoolSiC™ MOSFETは、ハーフブリッジトポロジーと堅牢を備えた低誘導XHP™ 2ハウジングに収められています。寿命を延ばすためのXT相互接続技術は、Rdsonが1.9〜3.8mΩ、Inomが1000A〜500Aと、さまざまなバリエーションで利用できます。

CoolSiC™ MOSFET モジュール

CoolSiC™ MOSFETモジュールは、高い動作温度とスイッチング周波数を可能にし、システム全体の効率を向上させます。これらのモジュールは、3レベル、ハーフブリッジ、4パック、6パック、ブースタートポロジなど、さまざまな構成で利用でき、1200V、2000V、3300Vで提供されます。

事前に塗布されたサーマルインターフェースマテリアル(TIM)などの追加オプションも注文できます。

インフィニオンのCoolSiC™ MOSFETモジュールは、トレンチ技術に基づいており、優れたゲート酸化膜信頼性、クラス最高のスイッチング損失、導通損失を特長としています。

モジュールハウジング内のCoolSiC MOSFETの詳細
ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ

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