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OptiMOS™ 6 120 V 

完全に最適化された120V パワーMOSFETは、さまざまなパッケージオプションでクラス最高の性能を実現します。

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概要

インフィニオンのOptiMOS™ 6パワーMOSFETファミリー120V は、ハードスイッチとソフトスイッチの両アプリケーション、また、高スイッチング周波数および低スイッチング周波数に適しており、ノーマルレベルとロジックレベルが利用可能です。 産業用 電源、ソーラー、 充電器、低電圧モーター制御、 電動工具など、さまざまなアプリケーションで使用できます。

主な機能

  • 業界最小のRDS(on)、120V
  • 最高効率
  • 高電力密度
  • 高システム信頼性
  • 幅広いパッケージ選択

製品

概要

新しいOptiMOS™ 6 MOSFET 120 Vは、RDS(on)の52%削減、性能指数(FOM)の64%削減、逆回復電荷(Qrr)の49%削減など、主要パラメータの大幅な改善により、幅広いアプリケーションに対して利点を発揮します。このファミリは、さまざまなアプリケーション向けにスイッチング損失と導通損失の最適なバランスを提供します。OptiMOS™ 6 MOSFET 120 Vは、工業用認定を受けており、最大ジャンクション温度は175°Cで、優れた電力処理と堅牢性を備えています。

OptiMOS™ 6 120V パワーMOSFETポートフォリオは、スルーホールおよびSMDパッケージの幅広い選択肢からお選びいただけます。利用可能なパッケージには、PQFN 3.3 x 3.3が含まれます。 SuperSO8 5x6、TOリードレス (TOLL)、TOリードトップサイドクーリング (TOLT) で、今後さらに多くのパッケージが登場します。 これにより、最高のシリコン技術と信頼性の高いインフィニオンのパッケージを組み合わせることができます。

新しいOptiMOS™ 6 120VパワーMOSFETテクノロジーは、ノーマルレベルとロジックレベルで利用可能で、高スイッチング周波数と低スイッチング周波数でハードスイッチとソフトスイッチの両方のアプリケーションに対応します。同期整流(SR)アプリケーションに加えて、産業用電源、ソーラー、電源充電器(USB PD)、低電圧ドライブ、電動工具などのアプリケーションにも適しています。

詳細については、以下のリンクにあるアプリケーションノート「New OptiMOS™ 6 120 V、3.3 V to 48 VのUSB-PD EPRデザインを可能」を参照してください。

新しいOptiMOS™ 6 MOSFET 120 Vは、RDS(on)の52%削減、性能指数(FOM)の64%削減、逆回復電荷(Qrr)の49%削減など、主要パラメータの大幅な改善により、幅広いアプリケーションに対して利点を発揮します。このファミリは、さまざまなアプリケーション向けにスイッチング損失と導通損失の最適なバランスを提供します。OptiMOS™ 6 MOSFET 120 Vは、工業用認定を受けており、最大ジャンクション温度は175°Cで、優れた電力処理と堅牢性を備えています。

OptiMOS™ 6 120V パワーMOSFETポートフォリオは、スルーホールおよびSMDパッケージの幅広い選択肢からお選びいただけます。利用可能なパッケージには、PQFN 3.3 x 3.3が含まれます。 SuperSO8 5x6、TOリードレス (TOLL)、TOリードトップサイドクーリング (TOLT) で、今後さらに多くのパッケージが登場します。 これにより、最高のシリコン技術と信頼性の高いインフィニオンのパッケージを組み合わせることができます。

新しいOptiMOS™ 6 120VパワーMOSFETテクノロジーは、ノーマルレベルとロジックレベルで利用可能で、高スイッチング周波数と低スイッチング周波数でハードスイッチとソフトスイッチの両方のアプリケーションに対応します。同期整流(SR)アプリケーションに加えて、産業用電源、ソーラー、電源充電器(USB PD)、低電圧ドライブ、電動工具などのアプリケーションにも適しています。

詳細については、以下のリンクにあるアプリケーションノート「New OptiMOS™ 6 120 V、3.3 V to 48 VのUSB-PD EPRデザインを可能」を参照してください。

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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