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OptiMOS™ 7 Motor drive Optimized: モータドライブ最適化シリーズ

お客様のニーズに合わせたカスタマイズ:新しいOptiMOS™ 7スイッチングは、ハードスイッチングおよびソフトスイッチングアプリケーション向けに最適化されたパワーMOSFETです

概要

モーター制御に最適化されたインフィニオンOptiMOS™ 7パワーMOSFETは、ドライブ、パワーツール、ガーデニングツール向けに効率的な電力変換を行うようカスタマイズされたソリューションを提供します。製品ラインナップには、新たな40Vファミリーも加わり、今後もさらなる電圧グレードが追加される予定です。パッケージはPQFN 3.3×3.3、PQFN 5×6、SuperS08から選択いただけます。主なアプリケーションには、モータ制御、バッテリーマネジメントシステム (BMS)、コードレス掃除機、ガーデニング工具、電動工具があります。

主な機能

  • 業界最小クラスのRDS(on)
  • 価格性能比が最適化されたラインナップ
  • 安全動作領域 (SOA) が３倍に拡大
  • 短絡電流制限機能
  • 高い最大閾値電圧3.2 V
  • 電流制御相互コンダクタンス

製品

概要

OptiMOS™ 7モータードライブ最適化MOSFETの主な利点

  • 効率の向上と優れた性能により、電力損失を低減
  • 過酷な条件下での堅牢性の向上
  • パルス電流処理の改善
  • 短絡イベントに対する耐性の向上
  • 寄生ターンオンイベントに対する免疫力の向上
  • 固有の短絡電流制限
  • スルーレート制御の改善/EMI動作の改善と使いやすさ

パッケージ オプション

OptiMOS™ 7 Motor-Drive Optimizedは、お客様の設計要件を満たすために、以下のパッケージで提供されます。

  • SuperSO8
  • PQFN 3.3x3.3

SOAの3倍幅

SOAは、モータードライブアプリケーションにおけるMOSFETの重要な属性です。データシートのSOA図は、MOSFETの許容最大電流-電圧範囲を定義しています。

モーター・ドライブ・アプリケーションでは、SOAの幅が広いほど、特にロックされたローターや短絡のシナリオでは、より高い電流能力と信頼性が得られます。OptiMOS™ 7モーター駆動に最適化されたMOSFETファミリーは、同じ電圧クラスの前世代のMOSFETファミリーよりも3倍広いSOAを持つことが示されています。

OptiMOS™ 7はより高い耐性を提供

MOSFETのゲート上の誘導電圧(誘導VGS)の値は、モータ駆動アプリケーションでの誤ターンオンの重要な要因です。ハイサイドのターンオン・トランジェントでは、ローサイドMOSFETのVDS が0VからBUS電圧に上昇します。V DSが急激に増加すると、CGD (ICGD) に電流が流れます。その結果、R GおよびVGSを通る電流ICGDの流れが増加し、誤ったターンオンが発生します。

より高いスレッショルド電圧(VGS(th))のMOSFETは、誘導VGSに対する耐性が高くなります。

OptiMOS™ 7モータ駆動最適化MOSFETのしきい値電圧(VGS(th))は2.8V(標準)で、OptiMOS™ 6 MOSFETよりも高くなっています。

OptiMOS™ 7モータードライブ最適化MOSFETの主な利点

  • 効率の向上と優れた性能により、電力損失を低減
  • 過酷な条件下での堅牢性の向上
  • パルス電流処理の改善
  • 短絡イベントに対する耐性の向上
  • 寄生ターンオンイベントに対する免疫力の向上
  • 固有の短絡電流制限
  • スルーレート制御の改善/EMI動作の改善と使いやすさ

パッケージ オプション

OptiMOS™ 7 Motor-Drive Optimizedは、お客様の設計要件を満たすために、以下のパッケージで提供されます。

  • SuperSO8
  • PQFN 3.3x3.3

SOAの3倍幅

SOAは、モータードライブアプリケーションにおけるMOSFETの重要な属性です。データシートのSOA図は、MOSFETの許容最大電流-電圧範囲を定義しています。

モーター・ドライブ・アプリケーションでは、SOAの幅が広いほど、特にロックされたローターや短絡のシナリオでは、より高い電流能力と信頼性が得られます。OptiMOS™ 7モーター駆動に最適化されたMOSFETファミリーは、同じ電圧クラスの前世代のMOSFETファミリーよりも3倍広いSOAを持つことが示されています。

OptiMOS™ 7はより高い耐性を提供

MOSFETのゲート上の誘導電圧(誘導VGS)の値は、モータ駆動アプリケーションでの誤ターンオンの重要な要因です。ハイサイドのターンオン・トランジェントでは、ローサイドMOSFETのVDS が0VからBUS電圧に上昇します。V DSが急激に増加すると、CGD (ICGD) に電流が流れます。その結果、R GおよびVGSを通る電流ICGDの流れが増加し、誤ったターンオンが発生します。

より高いスレッショルド電圧(VGS(th))のMOSFETは、誘導VGSに対する耐性が高くなります。

OptiMOS™ 7モータ駆動最適化MOSFETのしきい値電圧(VGS(th))は2.8V(標準)で、OptiMOS™ 6 MOSFETよりも高くなっています。

ドキュメント

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開発者コミュニティ

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