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OptiMOS™およびStrongIRFET™の最新パッケージ

電源、バッテリ駆動アプリケーション、インバータ、コンピューティングなどのアプリケーション向けの最新の省スペースで高性能なパッケージです。

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概要

ソースダウンPQFNパッケージによるパッケージの革新

インフィニオンのOptiMOS™ MOSFETテクノロジーは、ソースダウン テクノロジーを採用した革新的で改良されたPQFNパッケージを使用しています。 この新しいパッケージでは、シリコンがコンポーネント内で逆さまになっています。これにより、ドレイン電位ではなく、ソース電位がサーマルパッドを介してPCBに接続されます。

OptiMOS™パワーMOSFET 3.3x3.3OptiMOS™パワーMOSFET PQFN 3.3mm x 3.3mmソースダウンパッケージには、底面放熱 (BSC) および両面放熱 (DSC) のバリエーションがあります。

ソースダウンPQFNパッケージ
TOLxパッケージ ファミリー: TOLL、TOLG、TOLTのインフィニオンMOSFET

インフィニオンのTOLx MOSFETパッケージ ファミリーは、3つの設計要件に対応できます。TOLL (TOリードレス) は、高出力アプリケーション向けに最適化されたパッケージです。TOLG (ガルウィング付きTOリード) は、優れたオンボードサーマルサイクル (TCoB) 堅牢性に最適化されたパッケージです。TOLT（上面冷却付きTO-リード）は、優れた熱性能のために最適化されたパッケージです。

OptiMOS™ TOLxパッケージ ファミリー
DirectFET™パッケージ: より高い電力と優れた熱性能を実現

インフィニオンは、DirectFET™パッケージなどの革新的なパッケージを提供しています。 DirectFET™は、寄生抵抗が最も低く、高周波アプリケーション向けに設計されています。DirectFET™は、ダイフリーパッケージの抵抗、寄生パッケージのインダクタンス、および放熱能力において画期的な進歩をもたらす、独自のシンプルな構造を備えています。

このパッケージには、小、中、大の3種類のサイズがあります。

DirectFET™
20～300VのOptiMOS™およびStrongIRFET™パワーMOSFET

インフィニオンの半導体は、効率、電力密度、コスト効率を向上させるように設計されています。 OptiMOS™およびStrongIRFET™パワーMOSFETファミリーは、スイッチモード電源 (SMPS)、バッテリー駆動アプリケーション、モーター制御、ドライバ、インバーター、およびコンピューティングなどのアプリケーションにおける革新と性能を実現します。

インフィニオンの高度に革新的なOptiMOS™およびStrongIRFET™ファミリーは、オン抵抗 (RDS(on)) や性能指数 (FOM) などといった、電力システム設計の主要な仕様に対する最高の品質と性能の要求を一貫して満たします。

OptiMOS™パワーMOSFETはクラス最高の性能を提供します。超低RDS(on)と、高スイッチング周波数アプリケーションに最適な特長を備えています。StrongIRFET™ パワーMOSFETは、ドライバ アプリケーション向けに設計されており、スイッチング周波数が低い設計や、高い電流容量を必要とする設計に最適です。

ソースダウンPQFNパッケージによるパッケージの革新

インフィニオンのOptiMOS™ MOSFETテクノロジーは、ソースダウン テクノロジーを採用した革新的で改良されたPQFNパッケージを使用しています。 この新しいパッケージでは、シリコンがコンポーネント内で逆さまになっています。これにより、ドレイン電位ではなく、ソース電位がサーマルパッドを介してPCBに接続されます。

OptiMOS™パワーMOSFET 3.3x3.3OptiMOS™パワーMOSFET PQFN 3.3mm x 3.3mmソースダウンパッケージには、底面放熱 (BSC) および両面放熱 (DSC) のバリエーションがあります。

ソースダウンPQFNパッケージ

TOLxパッケージ ファミリー: TOLL、TOLG、TOLTのインフィニオンMOSFET

インフィニオンのTOLx MOSFETパッケージ ファミリーは、3つの設計要件に対応できます。TOLL (TOリードレス) は、高出力アプリケーション向けに最適化されたパッケージです。TOLG (ガルウィング付きTOリード) は、優れたオンボードサーマルサイクル (TCoB) 堅牢性に最適化されたパッケージです。TOLT（上面冷却付きTO-リード）は、優れた熱性能のために最適化されたパッケージです。

OptiMOS™ TOLxパッケージ ファミリー

DirectFET™パッケージ: より高い電力と優れた熱性能を実現

インフィニオンは、DirectFET™パッケージなどの革新的なパッケージを提供しています。 DirectFET™は、寄生抵抗が最も低く、高周波アプリケーション向けに設計されています。DirectFET™は、ダイフリーパッケージの抵抗、寄生パッケージのインダクタンス、および放熱能力において画期的な進歩をもたらす、独自のシンプルな構造を備えています。

このパッケージには、小、中、大の3種類のサイズがあります。

DirectFET™

20～300VのOptiMOS™およびStrongIRFET™パワーMOSFET

インフィニオンの半導体は、効率、電力密度、コスト効率を向上させるように設計されています。 OptiMOS™およびStrongIRFET™パワーMOSFETファミリーは、スイッチモード電源 (SMPS)、バッテリー駆動アプリケーション、モーター制御、ドライバ、インバーター、およびコンピューティングなどのアプリケーションにおける革新と性能を実現します。

インフィニオンの高度に革新的なOptiMOS™およびStrongIRFET™ファミリーは、オン抵抗 (RDS(on)) や性能指数 (FOM) などといった、電力システム設計の主要な仕様に対する最高の品質と性能の要求を一貫して満たします。

OptiMOS™パワーMOSFETはクラス最高の性能を提供します。超低RDS(on)と、高スイッチング周波数アプリケーションに最適な特長を備えています。StrongIRFET™ パワーMOSFETは、ドライバ アプリケーション向けに設計されており、スイッチング周波数が低い設計や、高い電流容量を必要とする設計に最適です。

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