Half-bridge drivers

Gate driver ICs to control power devices like MOSFETs or IGBTs in half-bridge topology

概要

Infineon's gate driver ICs are the expert’s choice. We offer half-bridge gate drivers with two interlocked channels. Infineon offers half-bridge gate driver ICs with advanced Infineon silicon-on-insulator (SOI) technology or our industry-proven p-n junction-isolation (JI) technology. Automotive-qualified half-bridge gate driver ICs are also available.

主な特長

  • Voltages: 1200 V, 650 V, <200 V
  • Advanced SOI technology options
  • Market-proven JI technology options
  • Two interlocked channels
  • High power efficiency
  • Fast & reliable switching
  • Reliable and rugged
  • Protection under abnormal operation
  • low-cost bootstrap power supply
  • dV/dt immune
  • Several pin-out and package options

製品

概要

EiceDRIVER™ゲートドライバーICのご紹介

インフィニオンとインターナショナル レクティファイアーの数十年にわたるアプリケーション専門知識と技術開発により、MOSFET、ディスクリートIGBT、IGBTモジュール、SiC MOSFET、GaN HEMT などのシリコンおよびWBGパワーデバイスで使用するゲートドライバIC のポートフォリオが生まれました。当社は、ガルバニック絶縁型ゲートドライバー、車載認定ゲートドライバー、200 V、500-700 V、1200 V レベルシフトゲートドライバー、および非絶縁ローサイドドライバーの優れた製品ファミリーを提供しています。

EiceDRIVER™ゲートドライバーIC製品ラインアップは、さまざまな構成、電圧クラス、絶縁レベル、保護機能、パッケージオプションに及びます。最先端のディスクリートスイッチファミリーでは、その容量と機能を最大限に活用するためにゲート駆動回路を調整する必要があります。最適なゲートドライバー構成は、ディスクリート形式であろうとパワーモジュール内であろうと、すべてのパワースイッチに不可欠です。

EiceDRIVER ™レベルシフト シリコン オン インシュレーター (SOI) 技術

インフィニオンのシリコン オン インシュレーター (SOI) 技術は、高電圧のレベルシフト技術であり、内蔵ブートストラップダイオード (BSD) や業界最高クラスの堅牢性など、独自の利点を提供し、負の過渡電圧スパイクから保護します。各トランジスタは埋め込まれたシリコン酸化膜によって絶縁されているため、ラッチアップの原因となる寄生バイポーラトランジスタが排除されます。この技術はレベルシフトによる電力損失を低減し、またデバイスのスイッチング損失を最小限に抑えることができます。高度なプロセスにより、特定のモーター制御およびスイッチモード電源アプリケーション向けに、性能あたりの価格が最高のモノリシック高電圧および低電圧回路構成が可能になります。

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EiceDRIVER™レベルシフト接合絶縁 (JI) 技術で利用できます。

pn 接合絶縁 (JI) 技術は、成熟した実証済みの業界標準のMOS/CMOS 製造技術です。当社独自の高電圧集積回路 (HVIC) およびラッチ耐性CMOS 技術により、堅牢なモノリシック構造を実現します。高度なプロセスにより、特定のモーター制御およびスイッチモード電源アプリケーション向けに、性能あたりの価格が最高のモノリシック高電圧および低電圧回路構成が可能になります。

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EiceDRIVER™ゲートドライバーICのご紹介

インフィニオンとインターナショナル レクティファイアーの数十年にわたるアプリケーション専門知識と技術開発により、MOSFET、ディスクリートIGBT、IGBTモジュール、SiC MOSFET、GaN HEMT などのシリコンおよびWBGパワーデバイスで使用するゲートドライバIC のポートフォリオが生まれました。当社は、ガルバニック絶縁型ゲートドライバー、車載認定ゲートドライバー、200 V、500-700 V、1200 V レベルシフトゲートドライバー、および非絶縁ローサイドドライバーの優れた製品ファミリーを提供しています。

EiceDRIVER™ゲートドライバーIC製品ラインアップは、さまざまな構成、電圧クラス、絶縁レベル、保護機能、パッケージオプションに及びます。最先端のディスクリートスイッチファミリーでは、その容量と機能を最大限に活用するためにゲート駆動回路を調整する必要があります。最適なゲートドライバー構成は、ディスクリート形式であろうとパワーモジュール内であろうと、すべてのパワースイッチに不可欠です。

EiceDRIVER ™レベルシフト シリコン オン インシュレーター (SOI) 技術

インフィニオンのシリコン オン インシュレーター (SOI) 技術は、高電圧のレベルシフト技術であり、内蔵ブートストラップダイオード (BSD) や業界最高クラスの堅牢性など、独自の利点を提供し、負の過渡電圧スパイクから保護します。各トランジスタは埋め込まれたシリコン酸化膜によって絶縁されているため、ラッチアップの原因となる寄生バイポーラトランジスタが排除されます。この技術はレベルシフトによる電力損失を低減し、またデバイスのスイッチング損失を最小限に抑えることができます。高度なプロセスにより、特定のモーター制御およびスイッチモード電源アプリケーション向けに、性能あたりの価格が最高のモノリシック高電圧および低電圧回路構成が可能になります。

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EiceDRIVER™レベルシフト接合絶縁 (JI) 技術で利用できます。

pn 接合絶縁 (JI) 技術は、成熟した実証済みの業界標準のMOS/CMOS 製造技術です。当社独自の高電圧集積回路 (HVIC) およびラッチ耐性CMOS 技術により、堅牢なモノリシック構造を実現します。高度なプロセスにより、特定のモーター制御およびスイッチモード電源アプリケーション向けに、性能あたりの価格が最高のモノリシック高電圧および低電圧回路構成が可能になります。

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デザイン リソース

開発者コミュニティ

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