OptiMOS™ 6 80 V

OptiMOS™ 6 80 V - 最新のパワーMOSFET技術で、高電力密度設計の新たな業界標準を確立

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概要

OptiMOS™ 6 80 V - PQFN 3.3x3.3 を含む幅広いポートフォリオ製品で、新しい業界ベンチマーク性能を設定する最新のパワー MOSFET テクノロジー、SuperSO8、PQFN 5x6両面冷却、およびPQFN 3.3x3.3ソースダウン。 OptiMOS™ 6 80 Vファミリーは、通信、サーバー、ソーラーなどの高スイッチング周波数アプリケーションに最適です。OptiMOS™ 6 80 Vの性能向上は、バッテリー管理システム (BMS) でも利点を示しています。

主な機能

  • OptiMOS™ 5のSSO8と比較してRDS(on)が24%以上低減
  • リリースされたPQFN 3x3と比較してRDS(on)が28%以上低減
  • 業界標準パッケージポートフォリオ
  • 通常レベルのゲートドライブ
  • 改善された電力、SOA、およびアバランシェ電流
  • 175°C定格
  • 産業用認定

製品

概要

適切なMOSFETの選び方

OptiMOS™ 6 80 Vは、OptiMOS™ 5およびOptiMOS™ 3とともにインフィニオンの産業用ポートフォリオを完成させる最新のパワーMOSFET技術です。

これらのテクノロジーは、高性能アプリケーション、業界最高の性能指数、高効率、電力密度をお探しの場合に最適です。

ドレイン-ソース間抵抗RDS(on)

RDS(on)は、MOSFETの重要なパラメータの1つであり、ドレイン端子とソース端子の間で測定されるオン状態の抵抗を示します。

RDS(on) 値を小さくすると、次のようになります。

  • 導通損失の低減
  • 部品の並列化が少なくなるか回避されるため、コストとPCBの面積が節約され、電力密度が向上します。
     

SuperSO8パッケージのOptiMOS™ 6 80 Vは、以下を実現します。

  • 「OptiMOS™ 5」と比較してオン抵抗が24 %低い
     

新しいOptiMOS™ 6 80 V製品のような低いRDS(on) 値は、次のようになります。

  • 高い電力密度
  • 導通損失を ~20% 削減(Next Good)

 

OptiMOS™ 6 80 V (PQFN 3.3x3.3)パッケージは以下を実現します。

  • 「OptiMOS™ 5」と比較してオン抵抗が29 %低い

 

新しいOptiMOS™ 6 80 V製品のような低いRDS(on) 値は、次のようになります。

  • 高い電力密度
  • 導通損失を ~30% 削減 OptiMOS™ 5 と比較して
総ゲート電荷(Qg)

総ゲート電荷(Qg)は、特定の条件でMOSFETをオン(駆動)するためにゲートに供給する必要がある電荷の量です。Qg という小さな値は、駆動損失に直接影響するため、高スイッチング周波数のアプリケーションでは非常に望ましいです。

ゲート-ドレイン電荷Qgd は、ドレイン電圧遷移を完了するために必要なミラープラトー伸長に関連するゲート電荷の一部を表します。同じ駆動回路の場合、Qgd が低いほど電圧過渡が速くなり、スイッチング損失が小さくなります。これは、スイッチング損失が重要な役割を果たす高スイッチング周波数のハードスイッチSMPSでは最も重要です。

同様のRDS(on) 製品と比較して、OptiMOS™ 6 80 VはOptiMOS™ 5と比較して、Qg およびQgd が~40%向上します。

性能指数 (FOM)

MOSFETの「性能指数」(FOM)は、導通損失とスイッチング損失の両方を説明する技術の性能指標です。FOMは、オン抵抗(RDS(on))×総ゲート電荷(Qg)で計算され、通常はmΩ x nCで表されます。

安全動作領域 (SOA)

SOAは、MOSFETが永久的な損傷や劣化を被ることなく動作できる電圧および電流条件によって定義される図です。

クラス最高のOptiMOS™ 5(1.9 mΩ)とOptiMOS™ 6(1.5 mΩ)SuperSO8製品のSOAの比較では、80 Vの新技術により、動作の線形領域が大幅に改善されていることが浮き彫りになりました。

適切なMOSFETの選び方

OptiMOS™ 6 80 Vは、OptiMOS™ 5およびOptiMOS™ 3とともにインフィニオンの産業用ポートフォリオを完成させる最新のパワーMOSFET技術です。

これらのテクノロジーは、高性能アプリケーション、業界最高の性能指数、高効率、電力密度をお探しの場合に最適です。

ドレイン-ソース間抵抗RDS(on)

RDS(on)は、MOSFETの重要なパラメータの1つであり、ドレイン端子とソース端子の間で測定されるオン状態の抵抗を示します。

RDS(on) 値を小さくすると、次のようになります。

  • 導通損失の低減
  • 部品の並列化が少なくなるか回避されるため、コストとPCBの面積が節約され、電力密度が向上します。
     

SuperSO8パッケージのOptiMOS™ 6 80 Vは、以下を実現します。

  • 「OptiMOS™ 5」と比較してオン抵抗が24 %低い
     

新しいOptiMOS™ 6 80 V製品のような低いRDS(on) 値は、次のようになります。

  • 高い電力密度
  • 導通損失を ~20% 削減(Next Good)

 

OptiMOS™ 6 80 V (PQFN 3.3x3.3)パッケージは以下を実現します。

  • 「OptiMOS™ 5」と比較してオン抵抗が29 %低い

 

新しいOptiMOS™ 6 80 V製品のような低いRDS(on) 値は、次のようになります。

  • 高い電力密度
  • 導通損失を ~30% 削減 OptiMOS™ 5 と比較して

総ゲート電荷(Qg)

総ゲート電荷(Qg)は、特定の条件でMOSFETをオン(駆動)するためにゲートに供給する必要がある電荷の量です。Qg という小さな値は、駆動損失に直接影響するため、高スイッチング周波数のアプリケーションでは非常に望ましいです。

ゲート-ドレイン電荷Qgd は、ドレイン電圧遷移を完了するために必要なミラープラトー伸長に関連するゲート電荷の一部を表します。同じ駆動回路の場合、Qgd が低いほど電圧過渡が速くなり、スイッチング損失が小さくなります。これは、スイッチング損失が重要な役割を果たす高スイッチング周波数のハードスイッチSMPSでは最も重要です。

同様のRDS(on) 製品と比較して、OptiMOS™ 6 80 VはOptiMOS™ 5と比較して、Qg およびQgd が~40%向上します。

性能指数 (FOM)

MOSFETの「性能指数」(FOM)は、導通損失とスイッチング損失の両方を説明する技術の性能指標です。FOMは、オン抵抗(RDS(on))×総ゲート電荷(Qg)で計算され、通常はmΩ x nCで表されます。

安全動作領域 (SOA)

SOAは、MOSFETが永久的な損傷や劣化を被ることなく動作できる電圧および電流条件によって定義される図です。

クラス最高のOptiMOS™ 5(1.9 mΩ)とOptiMOS™ 6(1.5 mΩ)SuperSO8製品のSOAの比較では、80 Vの新技術により、動作の線形領域が大幅に改善されていることが浮き彫りになりました。

ドキュメント

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デザイン リソース

開発者コミュニティ

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