インフィニオンのワイドバンドギャップ (WBG) 技術 (SiCおよびGaN) で、グリーン化とデジタル トランスフォーメーションを推進する最も効率的なシステムを実現

エネルギー効率の高い世界への移行は、ワイドバンドギャップ (WBG) 半導体の採用に大きく左右されます。この革新的な材料は、電力効率の向上、小型化、軽量化、全体的なコストの削減など、多くの利点を提供します。

パワー半導体分野のパイオニアとして、インフィニオンは炭化ケイ素 (SiC) および窒化ガリウム (GaN) 技術において20年以上にわたる輝かしい実績を持ちます。深いシステム専門知識と社内製造能力をもつ当社は、WBGパワー エレクトロニクスの可能性を活用しようとされる企業にとって理想的なパートナーとなります。

ワイドバンドギャップ (WBG) 半導体の利点

アプリケーション要件に応じて、炭化ケイ素 (CoolSiC™) と窒化ガリウム (CoolGaN™) には、それぞれ最高レベルのシステム性能を実現する特定の価値提案があります。アプリケーションに必要な定格電力とスイッチング周波数に基づいて、潜在能力を最大限に活かします。

WBG半導体の高い効率と耐久性は、電力消費の削減と温室効果ガス排出量の低減に貢献します。さらに、冷却の必要性が減り、システムサイズが小型化するため、製造と運用の両面において大幅なコスト削減につながります。こうした環境的および経済的利点のあるWBG半導体は、持続可能な技術開発を行うのに魅力的です。

WBG素材は堅牢性が高いため、時間の経過とともに発生する摩耗や劣化が起こりにくく、デバイスの寿命が長くなります。こうした耐久性は、軍事機器やヘルスケア機器など、信頼性が最優先される重要アプリケーションでは不可欠です。長期の製品寿命は、メンテナンスコストの削減とシステム全体の信頼性向上にも貢献します。

WBGデバイスは高い電力密度を処理できるため、より小型で軽量な電子部品を作成できます。航空宇宙や家庭用電化製品など、ポータブルでスペースに制約のあるアプリケーションにおいて特に有益です。電力密度が高ければ、より小さなパッケージで、より多くの電力を供給でき、電力システムの性能が向上します。

WBG材料はエネルギー効率に優れています。シリコンと比較してエネルギー損失が少なく、より高い電圧、周波数、温度で動作できます。高効率であることはパワーエレクトロニクスにおいて特に有利なため、電源、インバーター、モータードライブなどのアプリケーションにおいて、エネルギー損失の削減はコスト削減と性能の向上に直接つながります。

WBG半導体はシリコンよりもはるかに高い温度で動作できます。こうした利点は、電気自動車 (EV) や産業機械など、高い発熱が避けられないアプリケーションにおいてきわめて重要です。高温での動作が可能なため、複雑な冷却システムを備える必要性が減り、設計が簡素化され、コストが削減されます。

WBG半導体のこれらの材料は、シリコンベースのデバイスよりも速くオン/オフを切り替えられます。高スイッチング周波数により、電力変換器やその他の電子システム向けに、よりコンパクトで軽量な設計を実現できます。また、こうしたシステムの全体的な性能と信頼性が向上し、5G通信や高周波レーダー システムなど、高度なテクノロジーにさらに適したものになります。

ワイドバンドギャップ半導体アプリケーション

ワイドバンドギャップ半導体 Si SiC GaN
ワイドバンドギャップ半導体 Si SiC GaN
ワイドバンドギャップ半導体 Si SiC GaN

ワイドバンドギャップ (WBG) 半導体デバイスは、さまざまなアプリケーションに大きな利点をもたらします。インフィニオンの製品ラインナップは、民生用、産業用、車載用アプリケーションにおける最先端のエレクトロニクスに対応しています。パワー半導体のリーディング サプライヤーとして、シリコン (Si)、炭化ケイ素 (SiC)、窒化ガリウム (GaN) 技術など、包括的なラインナップを提供しています。これにより、お客様固有のニーズに対して、最適なソリューションを選択できるようサポートし、WBG半導体デバイスへ移行できるようにします。それと同時に、従来の Siベースのソリューションが、お客様にとって依然として最良の選択肢である場合には、その継続的なサポートを確保します。

ワイドバンドギャップ半導体製品

ワイドバンドギャップ半導体製品

  • 400 V〜3.3 kVの電圧クラス
  • MOSFET、ショットキーダイオード、ハイブリッドデバイス、インテリジェント パワーモジュール、車載用ハイパワー モジュールなど
  • 過酷な環境でも究極の信頼性と堅牢性を実現
  • 複数の動作モードで最高の効率
  • 世界で最も競争力のある200 mm SiCパワーファブ
詳細はこちら
  • 40 V〜700 Vの電圧クラス
  • トランジスタ、集積デバイス、双方向スイッチ、モジュールなど
  • 最高周波数で最高の効率により、最小のシステムサイズを実現
  • 業界をリードする性能と供給
  • 世界初の300 mm GaNファブ
詳細はこちら
インフィニオンの包括的なゲートドライバーICのラインナップは、0.1 A～18 A までの幅広い標準出力電流オプションを提供します。当社のゲートドライバーは、高速短絡保護 (DESAT)、アクティブミラークランプ、シュートスルー保護、フォルト、シャットダウン、過電流保護などの保護機能を搭載しているため、CoolGaN™ やCoolSiC™ などのシリコンおよびWBGパワーデバイスの両方に最適です。

ビデオ

インフィニオン GaN をお選びいただいている理由

GaNを使用した設計に最適なインフィニオンをお選びください。インフィニオンは、アプリケーションやシステムの専門知識、最高の信頼性、最適なグゲートドライバーICやコントローラーなどの幅広いラインナップを提供することで、GaNを使用した設計において、比類のない成功へと業界を導こうとしています。

GaNの実証された価値

CoolGaN™のパワーを実際にご確認ください。このビデオでは、効率の向上からサイズと重量の削減、システム全体のコストの削減まで、現実的な利点をご理解いただけます。確かな事実を知り、GaNがもたらす変化をご覧ください。

5 min - SiCが選ばれる5つの理由

持続可能なエネルギーの生成と消費における変革をリードするには、シリコンカーバイド技術を戦略的な中核に据えて、この分野の主要市場動向に対処すべきなのはご存じのとおりです。このビデオでは、インフィニオンのSiCデバイスを選択すべき5つの理由をご紹介します。

CoolSiC™ - お客様の成功事例

このビデオでは、お客様の目を通して見たCoolSiC™の利点に焦点を当てています。このビデオでは、alpitronic、Tritium、Lite-On、Siemens Mobility、Froniusの事例を交えながら、当社の炭化ケイ素 (SiC) デバイスが発電、蓄電、消費におけるイノベーションをいかに推進するのかご覧ください。

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