SiC MOSFETディスクリート

650～2000 VまでのCoolSiC™ MOSFETディスクリートは、ハードスイッチングおよび共振スイッチング トポロジーに最適です

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概要

インフィニオンのCoolSiC™ MOSFET は、最先端のトレンチ半導体プロセスに基づいて構築されており、アプリケーションにおける最小の損失と動作における最高の信頼性の両方を実現するように最適化されています。ディスクリートのCoolSiC™ MOSFET ポートフォリオは、400 V、650 V、750 V、1200 V、1700 V、および2000 V の電圧クラスで提供され、7～1000 mΩ までのオン抵抗を備えています。

主な特長

  • 650 V、 1200 V、 1700 V および 2000 V
  • 定格7 mΩ から1000 mΩ まで
  • 柔軟なパラメーターセット
  • 低い静電容量

製品

概要

CoolSiC™ MOSFETディスクリートの紹介

CoolSiC™ トレンチ技術は、柔軟なパラメーター設定が可能で、各製品ラインアップにおけるアプリケーション固有の機能 (例: ゲート-ソース間電圧、アバランシェ耐量、短絡耐量、ハード コミュテーション用の定格を備えた内蔵ボディ ダイオード) を実装するのに使用されます。

400 V CoolSiC™ MOSFETは、AIサーバーPSUのAC/DCステージでの使用に特化して開発されており、太陽光発電や蓄電システムなどのアプリケーションにも最適です。インフィニオンの650 V CoolSiC™ MOSFETは、大電流かつ低容量に最適化されたスイッチング動作を提供し、サーバー、通信、モーター制御など、さまざまな産業用アプリケーション向けに設計されています。

750 Vおよび1200 V MOSFET製品群は、オンボード チャージャー/PFC、補助インバーター、無停電電源装置 (UPS) などのアプリケーション向けに、産業用および車載認定の両方で利用できます。1700 V CoolSiC™ MOSFETは、蓄電システム、高速EV充電、電源 (SMPS) 、太陽光発電システム向けソリューションなどで使用できるフライバック トポロジーとして提供しています。最後に、2000 V CoolSiC™ MOSFETは電力密度と電圧マージンを向上しており、高速EV充電や太陽光発電システム向けソリューションなどの高電圧用途に向けて設計されています。

SiC MOSFETディスクリートに関する追加情報

ディスクリートパッケージのCoolSiC™ MOSFETは、力率改善(PFC)回路、双方向トポロジー、DC-DCコンバータまたはDC-ACインバータなどのハードスイッチング トポロジーと共振スイッチング トポロジーの両方に最適です。臨まない寄生ターンオン効果に対する優れた耐性により、ブリッジ トポロジーのゼロボルトのターンオフ電圧でも、低スイッチング損失のベンチマークとなります。インフィニオンのTO-パッケージおよびSMD（表面実装）パッケージの製品には、最適化されたスイッチング性能のためのケルビンソース端子も付属しています。

当社は、超高速SiC MOSFETスイッチング機能のニーズを満たす幅広いドライバIC製品を使用して、SiCディスクリート製品を完成させます。CoolSiC™MOSFETとEiceDRIVER™ゲートドライバICを組み合わせることで、効率、スペース、重量の節約、部品数の削減、システムの信頼性の向上など、SiC技術の利点が活用されます。

ゲートドライバICの詳細

SiC MOSFETディスクリートに関する詳細情報

ディスクリートパッケージのCoolSiC™ MOSFETには、高速のフリーホイールダイオードが内蔵されているため、ダイオードチップを追加することなくハードスイッチングが可能です。このMOSFETはユニポーラ特性により、特に部分負荷条件下で、温度に依存しない非常に低いスイッチング損失と低い伝導損失を示します。

650～2000 Vまでの当社独自のCoolSiC™ MOSFETディスクリート製品は、LLCやZVSなどのハードおよび共振スイッチング トポロジーに最適で、標準的なゲートドライバを使用してIGBTまたはCoolMOS™のように駆動できます。これらの堅牢なデバイスは、最先端のトレンチ設計、クラス最高のスイッチング損失と導通損失、最高の相互コンダクタンスレベル(ゲイン)、Vth = 4Vの閾値電圧、および短絡耐量によって実現される優れたゲート酸化膜の信頼性を提供します。

機能、利点、および利点について

SiC MOSFETディスクリートは、デバイスの低静電容量、温度依存のないスイッチング損失、低逆回復電荷を備えた内蔵ダイオード、閾値フリーのオン特性などの重要な主要機能を組み込んでいます。

主な利点は、冷却作業の削減、長寿命と信頼性の向上、高周波数動作、システムコストの削減、電力密度の向上、システムの複雑さの軽減、設計と実装の容易さを実現する最高の効率です。

また、優れたゲート酸化膜の信頼性、クラス最高のスイッチング損失および導通損失、IGBT互換のゲート駆動電圧(+18 V)、閾値電圧 Vth > 4 V、短絡耐量およびアバランシェ耐量の堅牢性などがも、SiC MOSFETディスクリート製品に関連するの利点として挙げられます。

SiC MOSFET用EiceDRIVER™ゲートドライバICについて

CoolSiC™ MOSFETなどの超高速スイッチングパワートランジスタは、絶縁されたゲート出力セクションによって簡単に処理できます。したがって、最適解としてインフィニオンのコアレストランス技術に基づくガルバニック絶縁されたEiceDRIVER™ ゲートドライバICを推奨します。

ゲートドライバICの詳細

CoolSiC™ MOSFETディスクリートの紹介

CoolSiC™ トレンチ技術は、柔軟なパラメーター設定が可能で、各製品ラインアップにおけるアプリケーション固有の機能 (例: ゲート-ソース間電圧、アバランシェ耐量、短絡耐量、ハード コミュテーション用の定格を備えた内蔵ボディ ダイオード) を実装するのに使用されます。

400 V CoolSiC™ MOSFETは、AIサーバーPSUのAC/DCステージでの使用に特化して開発されており、太陽光発電や蓄電システムなどのアプリケーションにも最適です。インフィニオンの650 V CoolSiC™ MOSFETは、大電流かつ低容量に最適化されたスイッチング動作を提供し、サーバー、通信、モーター制御など、さまざまな産業用アプリケーション向けに設計されています。

750 Vおよび1200 V MOSFET製品群は、オンボード チャージャー/PFC、補助インバーター、無停電電源装置 (UPS) などのアプリケーション向けに、産業用および車載認定の両方で利用できます。1700 V CoolSiC™ MOSFETは、蓄電システム、高速EV充電、電源 (SMPS) 、太陽光発電システム向けソリューションなどで使用できるフライバック トポロジーとして提供しています。最後に、2000 V CoolSiC™ MOSFETは電力密度と電圧マージンを向上しており、高速EV充電や太陽光発電システム向けソリューションなどの高電圧用途に向けて設計されています。

SiC MOSFETディスクリートに関する追加情報

ディスクリートパッケージのCoolSiC™ MOSFETは、力率改善(PFC)回路、双方向トポロジー、DC-DCコンバータまたはDC-ACインバータなどのハードスイッチング トポロジーと共振スイッチング トポロジーの両方に最適です。臨まない寄生ターンオン効果に対する優れた耐性により、ブリッジ トポロジーのゼロボルトのターンオフ電圧でも、低スイッチング損失のベンチマークとなります。インフィニオンのTO-パッケージおよびSMD（表面実装）パッケージの製品には、最適化されたスイッチング性能のためのケルビンソース端子も付属しています。

当社は、超高速SiC MOSFETスイッチング機能のニーズを満たす幅広いドライバIC製品を使用して、SiCディスクリート製品を完成させます。CoolSiC™MOSFETとEiceDRIVER™ゲートドライバICを組み合わせることで、効率、スペース、重量の節約、部品数の削減、システムの信頼性の向上など、SiC技術の利点が活用されます。

ゲートドライバICの詳細

SiC MOSFETディスクリートに関する詳細情報

ディスクリートパッケージのCoolSiC™ MOSFETには、高速のフリーホイールダイオードが内蔵されているため、ダイオードチップを追加することなくハードスイッチングが可能です。このMOSFETはユニポーラ特性により、特に部分負荷条件下で、温度に依存しない非常に低いスイッチング損失と低い伝導損失を示します。

650～2000 Vまでの当社独自のCoolSiC™ MOSFETディスクリート製品は、LLCやZVSなどのハードおよび共振スイッチング トポロジーに最適で、標準的なゲートドライバを使用してIGBTまたはCoolMOS™のように駆動できます。これらの堅牢なデバイスは、最先端のトレンチ設計、クラス最高のスイッチング損失と導通損失、最高の相互コンダクタンスレベル(ゲイン)、Vth = 4Vの閾値電圧、および短絡耐量によって実現される優れたゲート酸化膜の信頼性を提供します。

機能、利点、および利点について

SiC MOSFETディスクリートは、デバイスの低静電容量、温度依存のないスイッチング損失、低逆回復電荷を備えた内蔵ダイオード、閾値フリーのオン特性などの重要な主要機能を組み込んでいます。

主な利点は、冷却作業の削減、長寿命と信頼性の向上、高周波数動作、システムコストの削減、電力密度の向上、システムの複雑さの軽減、設計と実装の容易さを実現する最高の効率です。

また、優れたゲート酸化膜の信頼性、クラス最高のスイッチング損失および導通損失、IGBT互換のゲート駆動電圧(+18 V)、閾値電圧 Vth > 4 V、短絡耐量およびアバランシェ耐量の堅牢性などがも、SiC MOSFETディスクリート製品に関連するの利点として挙げられます。

SiC MOSFET用EiceDRIVER™ゲートドライバICについて

CoolSiC™ MOSFETなどの超高速スイッチングパワートランジスタは、絶縁されたゲート出力セクションによって簡単に処理できます。したがって、最適解としてインフィニオンのコアレストランス技術に基づくガルバニック絶縁されたEiceDRIVER™ ゲートドライバICを推奨します。

ゲートドライバICの詳細
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