パワー

LEOスペースアプリケーションとコンステレーション向けに設計

概要

インフィニオンの耐放射線性電力は、LEOアプリケーションおよびコンステレーション向け

低軌道(LEO)アプリケーションやコンステレーション向けに設計されたインフィニオンのNewSpace耐放射線パワーソリューションは、ミッションの寿命が5年未満であることに最適です。

インフィニオンのNewSpaceパワーソリューションには、LEO衛星バスプラットフォームとペイロード動作の重要な機能をサポートするための、設計による耐放射線性プラスチック封止MOSFETが含まれています。

AEC-Q101またはJEDEC規格に準拠した宇宙アプリケーション向け認定を受けたインフィニオンの耐放射線パワーFETは、高性能なCoolMOS™およびOptiMOS™の技術と、確立された大量生産プロセスに基づいています。

主な機能

  • プラスチックカプセル化パッケージ
  • AEC-Q101またはJEDEC認定
  • 総線量 30 kRads(Si)
  • SEE硬化 最大46 MeV・cm2/mg

対象アプリケーション

  • パワーコンディショニングユニット
  • 配電ユニット
  • DC/DCコンバーター

インフィニオンのHiRel営業部にお問い合わせいただき、NewSpaceの耐放射線性電源ソリューションの詳細をご覧ください。

耐放射線性60 Vおよび150 VのNチャネルMOSFET

インフィニオンのエンハンスド コマーシャル パワーMOSFETは、2～5年のLEOミッションおよびコンステレーション向けに設計されています。これらの製品は、46 MeV・cm²/mgのLETでシングルイベント効果(SEE)耐性があり、30 krad(Si)の総電離線量に耐えることができます。

この製品ファミリは、インフィニオン独自のCoolMOS™スーパージャンクション技術をベースにした4種類のNチャネルMOSFETを提供しています。これにより、高速スイッチングアプリケーションに最適です。60 Vと150 Vの2つの電圧オプションがあり、LEO衛星で使用される最も一般的なバス電圧である28 Vと54 Vに対応します。RDS(on)の値の範囲は15mΩ〜60mΩです。

プラスチックパッケージには、表面実装型TO-263とスルーホール型TO-247の2種類があります。TO-263は簡単な組み立てとリフローはんだ付けをサポートし、TO-247は大電流に対して最適化された冷却コンセプトに使用できます。

どちらのパッケージタイプも、ウィスカのビルドを減らすためにつや消し錫でメッキされたリード線を備えています。耐放射線性NチャネルMOSFETは、-40°C〜+125°Cの動作温度で、車載規格AEC-Q101に従って認定されています。

耐放射線性-60 V PチャネルMOSFET

インフィニオンのエンハンスド コマーシャル パワーMOSFETは、2～5年のLEOミッションおよびコンステレーション向けに設計されています。これらの製品は、46 MeV・cm²/mgのLETでシングルイベント効果 (SEE) 耐性があり、30 krad(Si)の総電離線量に耐えることができます。

Pチャネル製品ファミリは現在、インフィニオンの量産電力技術をベースにした耐放射線性MOSFET「BUP06CP038F-01」を提供しています。これにより、高速スイッチングアプリケーションに最適です。電圧クラスは　-60V、R(DS(on) 値は38mΩです。

このデバイスは、表面実装のTO-252-3プラスチックパッケージで提供され、簡単な組み立てとリフローはんだ付けをサポートします。さらに、そのリード線はつや消し錫でメッキされており、ウィスカの蓄積を減らします。

この耐放射線性PチャネルMOSFETは、AEC-Q101またはJEDECの関連試験に基づき、宇宙アプリケーション向けに認定されています。接合部温度範囲は -55℃～+150℃と規定されています。

インフィニオンの耐放射線性電力は、LEOアプリケーションおよびコンステレーション向け

低軌道(LEO)アプリケーションやコンステレーション向けに設計されたインフィニオンのNewSpace耐放射線パワーソリューションは、ミッションの寿命が5年未満であることに最適です。

インフィニオンのNewSpaceパワーソリューションには、LEO衛星バスプラットフォームとペイロード動作の重要な機能をサポートするための、設計による耐放射線性プラスチック封止MOSFETが含まれています。

AEC-Q101またはJEDEC規格に準拠した宇宙アプリケーション向け認定を受けたインフィニオンの耐放射線パワーFETは、高性能なCoolMOS™およびOptiMOS™の技術と、確立された大量生産プロセスに基づいています。

主な機能

  • プラスチックカプセル化パッケージ
  • AEC-Q101またはJEDEC認定
  • 総線量 30 kRads(Si)
  • SEE硬化 最大46 MeV・cm2/mg

対象アプリケーション

  • パワーコンディショニングユニット
  • 配電ユニット
  • DC/DCコンバーター

インフィニオンのHiRel営業部にお問い合わせいただき、NewSpaceの耐放射線性電源ソリューションの詳細をご覧ください。

耐放射線性60 Vおよび150 VのNチャネルMOSFET

インフィニオンのエンハンスド コマーシャル パワーMOSFETは、2～5年のLEOミッションおよびコンステレーション向けに設計されています。これらの製品は、46 MeV・cm²/mgのLETでシングルイベント効果(SEE)耐性があり、30 krad(Si)の総電離線量に耐えることができます。

この製品ファミリは、インフィニオン独自のCoolMOS™スーパージャンクション技術をベースにした4種類のNチャネルMOSFETを提供しています。これにより、高速スイッチングアプリケーションに最適です。60 Vと150 Vの2つの電圧オプションがあり、LEO衛星で使用される最も一般的なバス電圧である28 Vと54 Vに対応します。RDS(on)の値の範囲は15mΩ〜60mΩです。

プラスチックパッケージには、表面実装型TO-263とスルーホール型TO-247の2種類があります。TO-263は簡単な組み立てとリフローはんだ付けをサポートし、TO-247は大電流に対して最適化された冷却コンセプトに使用できます。

どちらのパッケージタイプも、ウィスカのビルドを減らすためにつや消し錫でメッキされたリード線を備えています。耐放射線性NチャネルMOSFETは、-40°C〜+125°Cの動作温度で、車載規格AEC-Q101に従って認定されています。

耐放射線性-60 V PチャネルMOSFET

インフィニオンのエンハンスド コマーシャル パワーMOSFETは、2～5年のLEOミッションおよびコンステレーション向けに設計されています。これらの製品は、46 MeV・cm²/mgのLETでシングルイベント効果 (SEE) 耐性があり、30 krad(Si)の総電離線量に耐えることができます。

Pチャネル製品ファミリは現在、インフィニオンの量産電力技術をベースにした耐放射線性MOSFET「BUP06CP038F-01」を提供しています。これにより、高速スイッチングアプリケーションに最適です。電圧クラスは　-60V、R(DS(on) 値は38mΩです。

このデバイスは、表面実装のTO-252-3プラスチックパッケージで提供され、簡単な組み立てとリフローはんだ付けをサポートします。さらに、そのリード線はつや消し錫でメッキされており、ウィスカの蓄積を減らします。

この耐放射線性PチャネルMOSFETは、AEC-Q101またはJEDECの関連試験に基づき、宇宙アプリケーション向けに認定されています。接合部温度範囲は -55℃～+150℃と規定されています。