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Transformer Driver ICs

概要

インフィニオンは、独自のデューティサイクル調整機能と周波数調整オプションにより、非対称出力電圧を生成するためのシンプルな電源代替品を提供するフルブリッジトランスドライバーICであるEiceDRIVER™ Power 2EP1xxRファミリーも提供し、これらすべてがシステムコストの削減と信頼性の向上を目的とした高効率でカスタマイズ可能で柔軟な設計の可能性に貢献しています。

概要

2EP1xxRファミリ - フルブリッジ・トランス・ドライバIC

インフィニオンは、絶縁型ゲートドライバに供給するための非対称出力電圧を生成するためのシンプルな電源代替となるフルブリッジトランスドライバICであるEiceDRIVER™ Power 2EP1xxRファミリーを発表しました。このICは、独自のデューティサイクル調整機能、統合された温度、短絡、およびUVLO保護、および周波数調整オプションを備えており、これらすべてが、システムコストの削減と信頼性の向上を目的とした、高効率でカスタマイズ可能で柔軟な設計の可能性に貢献しています。

パワーエレクトロニクスアプリケーションは、パワーデバイススイッチを採用しています。また、パワーデバイススイッチには、効率的な電源を活用した最適なゲートドライブソリューションが必要です。そのため、私たちは、あらゆる絶縁型ゲートドライバー、パワースイッチ、あらゆるアプリケーションに適した新しいEiceDRIVER™ Power 2EP1xxRトランスドライバーICソリューションを提供しています。TRENCHSTOP™ IGBT、 OptiMOS™ MOSFET、 CoolMOS™ スーパージャンクションMOSFET、CoolGaN™高電子移動度トランジスタ、 CoolSiC™ MOSFETなど、さまざまなスイッチに最適なゲートドライバを供給するように設計されており、 EiceDRIVER™ ゲートドライバICなどとシームレスに連携します。

EiceDRIVER™ 技術

インフィニオンとインターナショナル レクティファイアーの数十年にわたるアプリケーション専門知識と技術開発により、MOSFET、ディスクリートIGBT、IGBTモジュール、SiC MOSFET、GaN HEMT などのシリコンおよびWBGパワーデバイスで使用するゲートドライバIC のポートフォリオが生まれました。当社は、ガルバニック絶縁型ゲートドライバ、車載認定ゲートドライバ、200 V、500-700 V、1200 V レベルシフトゲートドライバ、および非絶縁ローサイドドライバの優れた製品ファミリーを提供しています。

また、ガルバニック絶縁ゲートドライバに適した絶縁型電源を可能にするトランスドライバも提供しています。

インフィニオンのポートフォリオは、さまざまな構成、電圧クラス、絶縁レベル、保護機能、およびパッケージオプションに及びます。最先端のディスクリートスイッチファミリーでは、その容量と機能を最大限に活用するためにゲート駆動回路を調整する必要があります。最適なゲートドライブ構成は、ディスクリートやモジュールにかかわらず、すべてのパワースイッチにとって不可欠です。

EiceDRIVER™ の機能とアプリケーション

当社のEiceDRIVER™トランスドライバーは、IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT、ショットキーなど、さまざまなスイッチ技術に電力を供給する絶縁型ゲートドライバーの電源を可能にします。これらのソリューションには、統合パワーステージ、調整可能なデューティサイクル、調整可能な周波数、過電流保護、過熱保護、レディ出力表示、小型省スペースパッケージなどの高度な機能が含まれています。その他の主な特徴は、オープンループ絶縁型電源、調整可能な短絡保護、プラグアンドプレイソリューションです。

2EP1xxRファミリ - フルブリッジ・トランス・ドライバIC

インフィニオンは、絶縁型ゲートドライバに供給するための非対称出力電圧を生成するためのシンプルな電源代替となるフルブリッジトランスドライバICであるEiceDRIVER™ Power 2EP1xxRファミリーを発表しました。このICは、独自のデューティサイクル調整機能、統合された温度、短絡、およびUVLO保護、および周波数調整オプションを備えており、これらすべてが、システムコストの削減と信頼性の向上を目的とした、高効率でカスタマイズ可能で柔軟な設計の可能性に貢献しています。

パワーエレクトロニクスアプリケーションは、パワーデバイススイッチを採用しています。また、パワーデバイススイッチには、効率的な電源を活用した最適なゲートドライブソリューションが必要です。そのため、私たちは、あらゆる絶縁型ゲートドライバー、パワースイッチ、あらゆるアプリケーションに適した新しいEiceDRIVER™ Power 2EP1xxRトランスドライバーICソリューションを提供しています。TRENCHSTOP™ IGBT、 OptiMOS™ MOSFET、 CoolMOS™ スーパージャンクションMOSFET、CoolGaN™高電子移動度トランジスタ、 CoolSiC™ MOSFETなど、さまざまなスイッチに最適なゲートドライバを供給するように設計されており、 EiceDRIVER™ ゲートドライバICなどとシームレスに連携します。

EiceDRIVER™ 技術

インフィニオンとインターナショナル レクティファイアーの数十年にわたるアプリケーション専門知識と技術開発により、MOSFET、ディスクリートIGBT、IGBTモジュール、SiC MOSFET、GaN HEMT などのシリコンおよびWBGパワーデバイスで使用するゲートドライバIC のポートフォリオが生まれました。当社は、ガルバニック絶縁型ゲートドライバ、車載認定ゲートドライバ、200 V、500-700 V、1200 V レベルシフトゲートドライバ、および非絶縁ローサイドドライバの優れた製品ファミリーを提供しています。

また、ガルバニック絶縁ゲートドライバに適した絶縁型電源を可能にするトランスドライバも提供しています。

インフィニオンのポートフォリオは、さまざまな構成、電圧クラス、絶縁レベル、保護機能、およびパッケージオプションに及びます。最先端のディスクリートスイッチファミリーでは、その容量と機能を最大限に活用するためにゲート駆動回路を調整する必要があります。最適なゲートドライブ構成は、ディスクリートやモジュールにかかわらず、すべてのパワースイッチにとって不可欠です。

EiceDRIVER™ の機能とアプリケーション

当社のEiceDRIVER™トランスドライバーは、IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT、ショットキーなど、さまざまなスイッチ技術に電力を供給する絶縁型ゲートドライバーの電源を可能にします。これらのソリューションには、統合パワーステージ、調整可能なデューティサイクル、調整可能な周波数、過電流保護、過熱保護、レディ出力表示、小型省スペースパッケージなどの高度な機能が含まれています。その他の主な特徴は、オープンループ絶縁型電源、調整可能な短絡保護、プラグアンドプレイソリューションです。