耐放射線性MOSFET

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概要

インフィニオンのHiRel NewSpaceパワーMOSFETは、設計段階から放射線耐性を備えており、低軌道 (LEO) など短期間で放射線量の少ない環境でのミッションに最適です。放射線耐性パワーFETは、インフィニオンの高性能な商用CoolMOS™およびOPTIMOS™の技術と、成熟した大量生産プロセスに基づいています。

主な機能

  • プラスチック封止パッケージ
  • AEC-Q101またはJEDEC認定
  • 総電離線量 30 kRads (Si)
  • 電圧クラス: 60 Vおよび150 V VDS(max)
  • RDS(on) @ 10 V max、15 mΩ～60 mΩ
  • 表面実装およびスルーホール パッケージ

製品

概要

耐放射線性NチャネルパワーMOSFET

インフィニオンの受賞歴のある耐放射線性NチャネルパワーMOSFETは、2-5年間のLEOミッションおよびコンステレーション向けに設計されています。これらのデバイスは、LETが46MeV・cm²/mgのシングルイベント効果(SEE)耐性があります。

これらのデバイスは、30 krad(Si)の総電離線量に耐えることができ、CoolMOS™スーパージャンクション技術による高速スイッチング機能を提供します。

主な機能

  • 28Vおよび54Vのバス電圧をサポートする60Vおよび150Vのオプション
  • RDS(on)値は15mΩ〜60mΩ
  • 曇り錫リード線付きのTO-263およびTO-247パッケージで入手可能
  • AEC-Q101規格に準拠し、動作温度は-40°C〜+125°Cです。
  • LEO衛星アプリケーションに最適

インフィニオンの耐放射線性NチャネルパワーMOSFETは、LEO衛星の高速スイッチングアプリケーションに最適で、信頼性と効率性に優れた電力変換を提供します。

耐放射線性PチャネルパワーMOSFET

LEOミッション用の耐放射線性PチャネルパワーMOSFET

インフィニオンの耐放射線性PチャネルパワーMOSFET「BUP06CP038F-01」は、2-5年間のLEOミッションおよびコンステレーション向けに設計されています。

このSEEトレラントデバイスは、30krad(Si)の総電離線量に耐え、高速スイッチング機能を提供します。

主な機能:

  • -60 V電圧クラスおよび38 mΩR DS(on) 値
  • 曇り錫リード線付きのTO-252-3パッケージで提供
  • AEC-Q101試験またはJEDEC試験に基づき、宇宙アプリケーション向けに認定済み
  • ジャンクション温度範囲:-55°C〜+175°C
  • 高速スイッチングアプリケーションに最適

インフィニオンの耐放射線性PチャネルパワーMOSFETは、LEO衛星の高速スイッチングアプリケーションに最適で、信頼性と効率性に優れた電力変換を実現します。

耐放射線性電源ソリューションの主な用途

インフィニオンのNewSpace電源ソリューションは、以下のようなさまざまな重要なアプリケーションに最適です。

  • パワーコンディショニングユニット(PCU):
    当社の耐放射線性パワーMOSFETは、効率的で信頼性の高いパワーコンディショニングを可能にし、宇宙船システムが効果的に動作するために必要なクリーンな電力を確実に供給します。

  • 配電ユニット (PDU):
    高い信頼性と耐放射線性を備えた当社のパワーMOSFETは、複数の宇宙船システムへの効率的でフォールトトレラントな電力分配を必要とする配電ユニットに最適です。

  • DC-DCコンバータ:
    また、当社の電源ソリューションは、エネルギー損失を最小限に抑え、信頼性の高い動作を確保しながら、ある電圧レベルから別の電圧レベルに電力を変換する重要な役割を果たすDC-DCコンバータにも適しています。

インフィニオンの耐放射線性パワーMOSFETを活用することで、宇宙船の設計者やエンジニアは、LEOミッションやコンステレーション向けに、より効率的で信頼性が高く、長寿命のパワーシステムを構築することができます。

耐放射線性NチャネルパワーMOSFET

インフィニオンの受賞歴のある耐放射線性NチャネルパワーMOSFETは、2-5年間のLEOミッションおよびコンステレーション向けに設計されています。これらのデバイスは、LETが46MeV・cm²/mgのシングルイベント効果(SEE)耐性があります。

これらのデバイスは、30 krad(Si)の総電離線量に耐えることができ、CoolMOS™スーパージャンクション技術による高速スイッチング機能を提供します。

主な機能

  • 28Vおよび54Vのバス電圧をサポートする60Vおよび150Vのオプション
  • RDS(on)値は15mΩ〜60mΩ
  • 曇り錫リード線付きのTO-263およびTO-247パッケージで入手可能
  • AEC-Q101規格に準拠し、動作温度は-40°C〜+125°Cです。
  • LEO衛星アプリケーションに最適

インフィニオンの耐放射線性NチャネルパワーMOSFETは、LEO衛星の高速スイッチングアプリケーションに最適で、信頼性と効率性に優れた電力変換を提供します。

耐放射線性PチャネルパワーMOSFET

LEOミッション用の耐放射線性PチャネルパワーMOSFET

インフィニオンの耐放射線性PチャネルパワーMOSFET「BUP06CP038F-01」は、2-5年間のLEOミッションおよびコンステレーション向けに設計されています。

このSEEトレラントデバイスは、30krad(Si)の総電離線量に耐え、高速スイッチング機能を提供します。

主な機能:

  • -60 V電圧クラスおよび38 mΩR DS(on) 値
  • 曇り錫リード線付きのTO-252-3パッケージで提供
  • AEC-Q101試験またはJEDEC試験に基づき、宇宙アプリケーション向けに認定済み
  • ジャンクション温度範囲:-55°C〜+175°C
  • 高速スイッチングアプリケーションに最適

インフィニオンの耐放射線性PチャネルパワーMOSFETは、LEO衛星の高速スイッチングアプリケーションに最適で、信頼性と効率性に優れた電力変換を実現します。

耐放射線性電源ソリューションの主な用途

インフィニオンのNewSpace電源ソリューションは、以下のようなさまざまな重要なアプリケーションに最適です。

  • パワーコンディショニングユニット(PCU):
    当社の耐放射線性パワーMOSFETは、効率的で信頼性の高いパワーコンディショニングを可能にし、宇宙船システムが効果的に動作するために必要なクリーンな電力を確実に供給します。

  • 配電ユニット (PDU):
    高い信頼性と耐放射線性を備えた当社のパワーMOSFETは、複数の宇宙船システムへの効率的でフォールトトレラントな電力分配を必要とする配電ユニットに最適です。

  • DC-DCコンバータ:
    また、当社の電源ソリューションは、エネルギー損失を最小限に抑え、信頼性の高い動作を確保しながら、ある電圧レベルから別の電圧レベルに電力を変換する重要な役割を果たすDC-DCコンバータにも適しています。

インフィニオンの耐放射線性パワーMOSFETを活用することで、宇宙船の設計者やエンジニアは、LEOミッションやコンステレーション向けに、より効率的で信頼性が高く、長寿命のパワーシステムを構築することができます。

ドキュメント

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開発者コミュニティ

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