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非同期SRAM

非同期SRAMは、車載および産業用アプリケーションに適したオンチップECCを備えた高速、低消費電力の拡張メモリを提供します

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概要

非同期SRAMは、その高い信頼性と長期的なサポートにより、車載および産業用アプリケーションの拡張メモリとして使用されます。 マイクロパワー非同期SRAMは、さまざまなアプリケーションにわたるバッテリー駆動およびバッテリーバックアップソリューション (BBSRAM) のデータロギングに使用されます。 インフィニオンの非同期SRAMは、防衛製品向けのQML認定を受けており、TSOP、BGA、およびSOPパッケージで提供されます。

主な機能

  • 10nsの高速アクセス時間
  • 低電力消費 - PowerSnooze™
  • 高信頼性 <0.1 FIT/Mビット
  • 長期的なサポートコミットメント
  • RoHS対応
  • QML認定

製品

概要

無数のアプリケーションに適合するオンチップECCによる高速、低消費電力

非同期SRAMは、フリップフロップベースのラッチ回路を使用して各ビットを格納する揮発性ランダムアクセスメモリ (RAM) の一種です。 データビットは、電力が供給されている限りメモリに保持されます。 インフィニオンは、256Kbから64Mbまでの業界で最も幅広い非同期SRAMのポートフォリオを提供しています。 非同期SRAMは、その高い信頼性と長期的なサポートにより、ネットワーキング、防衛、および産業機器アプリケーションで使用されています。 MoBL™ 非同期SRAMは、電源断時にデータバックアップを必要とするさまざまなアプリケーションセグメントにおけるバッテリー駆動およびバッテリーバックアップソリューション (BBSRAM) にも最適です。

インフィニオンの非同期SRAMは、RoHSに準拠し、防衛製品向けのQML認定を受けており、業界標準のTSOP、BGA、SOPパッケージで提供されます。

  • 密度: 256 KB、512 KB、1 MB、2 MB、4 MB、8 MB、16 MB、32 MB、64 MB
  • インターフェース: I2C、SPI、QSPI、およびパラレル(X8、X16)
業界で最も幅広い非同期SRAMメモリのポートフォリオを提供

当社の非同期高速SRAMは、業界最速の並列非同期SRAMソリューションで、最速のアクセス時間は10nsです。これらは64Kビットから16Mビットの範囲の容量で入手可能で、2.7Vから5.5Vまでの広い電圧範囲をサポートします。これらは、スイッチやルーターなどのネットワークアプリケーションで使用されます。

当社の非同期マイクロパワー(MOBL™)SRAMは、PowerSnooze™モードを備えた最もエネルギー効率の高い非同期SRAMソリューションです。 これらは64Kビットから16Mビットの範囲の容量で入手可能で、2.7Vから5.5Vまでの広い電圧範囲をサポートします。これらは、バッテリー駆動およびバッテリーバックアップソリューションで使用されます。

高速アクセス時間と独自の超低消費電力スリープモードの組み合わせ

インフィニオンの非同期SRAMメモリは、PowerSnooze™機能を通じて、高速非同期SRAMのアクセス時間と独自の超低消費電力スリープモードを1つのチップに組み合わせています。 この機能により、SRAMは10ns (100MHz) の高速で動作し、消費電流は2μA/Mbit (typ)<です。 この「ディープスリープ」機能を用いることにより、SRAMは高速アクティブ状態から省電力スリープ状態にすばやく移行します。 これにより、SRAMがアプリケーションでのピーク性能を達成するための制限要件ではなくなるため、MCUの性能が確実に活用できます。 この機能の詳細については、このアプリケーションノートをお読みください。

システムエラーのないミッションクリティカルなアプリケーションを確実に実行

ミッションクリティカルなアプリケーションを実行するシステムには、システムエラーのないメモリが必要です。 アルファ粒子、熱中性子、宇宙線などの高エネルギーおよび地球外放射線は、隣接する複数のビットを反転させ、マルチビットエラーにつながります。

当社の非同期SRAMは、1ビットのエラー検出と訂正に(38, 32)ハミングコードECCを使用し、ユーザーの介入なしに、全てのECC関連機能をインラインで実行します。ECCを備えたSRAMは、旧世代の非同期SRAMとピンコンパチブルです。 これにより、PCBの再設計を行うことなく、システムの信頼性を向上させることができます。

マルチビットインターリーブ技術による性能の向上

マルチビット・アップセットは、2つ以上の反転ビットが物理的に隣接しているか、最大でも1つの非故障ビットしか離れていない場合に特定される放射線誘発アップセットの一種です。 ビットインターリーブは、同じワード・レジスタにマップされた2つの連続したビットを分離します。 ビットインターリーブメモリでは、シングルビットエラー訂正アルゴリズムを使用して、すべてのエラーを検出して修正することができます。 これらの機能を組み合わせることで、ソフトエラーレート (SER) 性能が大幅に向上し、<0.1 FIT/Mbitの業界で最も信頼性の高いSRAMが実現します。

停電時にすべてのデータが安全にバックアップされるようにする

NVRAMとも呼ばれるバッテリーバックアップSRAM (BBSRAM) は、電源断時にあらゆる種類のデータバックアップを必要とするアプリケーションで使用されます。 このような場合、従来のSRAMメモリとバックアップバッテリーおよび制御回路を使用して、高速で不揮発性のメモリを作成できます 。 インフィニオンは、より多い書き換え回数とより長いデータ保持を必要とするアプリケーション向けに、FRAMおよびnvSRAM不揮発性メモリも提供しています。

このアプリケーションノートを読んで、バッテリーバックアップアプリケーションで非同期SRAMを使用するために考慮する必要がある設計上の考慮事項を理解してください。

無数のアプリケーションに適合するオンチップECCによる高速、低消費電力

非同期SRAMは、フリップフロップベースのラッチ回路を使用して各ビットを格納する揮発性ランダムアクセスメモリ (RAM) の一種です。 データビットは、電力が供給されている限りメモリに保持されます。 インフィニオンは、256Kbから64Mbまでの業界で最も幅広い非同期SRAMのポートフォリオを提供しています。 非同期SRAMは、その高い信頼性と長期的なサポートにより、ネットワーキング、防衛、および産業機器アプリケーションで使用されています。 MoBL™ 非同期SRAMは、電源断時にデータバックアップを必要とするさまざまなアプリケーションセグメントにおけるバッテリー駆動およびバッテリーバックアップソリューション (BBSRAM) にも最適です。

インフィニオンの非同期SRAMは、RoHSに準拠し、防衛製品向けのQML認定を受けており、業界標準のTSOP、BGA、SOPパッケージで提供されます。

  • 密度: 256 KB、512 KB、1 MB、2 MB、4 MB、8 MB、16 MB、32 MB、64 MB
  • インターフェース: I2C、SPI、QSPI、およびパラレル(X8、X16)

業界で最も幅広い非同期SRAMメモリのポートフォリオを提供

当社の非同期高速SRAMは、業界最速の並列非同期SRAMソリューションで、最速のアクセス時間は10nsです。これらは64Kビットから16Mビットの範囲の容量で入手可能で、2.7Vから5.5Vまでの広い電圧範囲をサポートします。これらは、スイッチやルーターなどのネットワークアプリケーションで使用されます。

当社の非同期マイクロパワー(MOBL™)SRAMは、PowerSnooze™モードを備えた最もエネルギー効率の高い非同期SRAMソリューションです。 これらは64Kビットから16Mビットの範囲の容量で入手可能で、2.7Vから5.5Vまでの広い電圧範囲をサポートします。これらは、バッテリー駆動およびバッテリーバックアップソリューションで使用されます。

高速アクセス時間と独自の超低消費電力スリープモードの組み合わせ

インフィニオンの非同期SRAMメモリは、PowerSnooze™機能を通じて、高速非同期SRAMのアクセス時間と独自の超低消費電力スリープモードを1つのチップに組み合わせています。 この機能により、SRAMは10ns (100MHz) の高速で動作し、消費電流は2μA/Mbit (typ)<です。 この「ディープスリープ」機能を用いることにより、SRAMは高速アクティブ状態から省電力スリープ状態にすばやく移行します。 これにより、SRAMがアプリケーションでのピーク性能を達成するための制限要件ではなくなるため、MCUの性能が確実に活用できます。 この機能の詳細については、このアプリケーションノートをお読みください。

システムエラーのないミッションクリティカルなアプリケーションを確実に実行

ミッションクリティカルなアプリケーションを実行するシステムには、システムエラーのないメモリが必要です。 アルファ粒子、熱中性子、宇宙線などの高エネルギーおよび地球外放射線は、隣接する複数のビットを反転させ、マルチビットエラーにつながります。

当社の非同期SRAMは、1ビットのエラー検出と訂正に(38, 32)ハミングコードECCを使用し、ユーザーの介入なしに、全てのECC関連機能をインラインで実行します。ECCを備えたSRAMは、旧世代の非同期SRAMとピンコンパチブルです。 これにより、PCBの再設計を行うことなく、システムの信頼性を向上させることができます。

マルチビットインターリーブ技術による性能の向上

マルチビット・アップセットは、2つ以上の反転ビットが物理的に隣接しているか、最大でも1つの非故障ビットしか離れていない場合に特定される放射線誘発アップセットの一種です。 ビットインターリーブは、同じワード・レジスタにマップされた2つの連続したビットを分離します。 ビットインターリーブメモリでは、シングルビットエラー訂正アルゴリズムを使用して、すべてのエラーを検出して修正することができます。 これらの機能を組み合わせることで、ソフトエラーレート (SER) 性能が大幅に向上し、<0.1 FIT/Mbitの業界で最も信頼性の高いSRAMが実現します。

停電時にすべてのデータが安全にバックアップされるようにする

NVRAMとも呼ばれるバッテリーバックアップSRAM (BBSRAM) は、電源断時にあらゆる種類のデータバックアップを必要とするアプリケーションで使用されます。 このような場合、従来のSRAMメモリとバックアップバッテリーおよび制御回路を使用して、高速で不揮発性のメモリを作成できます 。 インフィニオンは、より多い書き換え回数とより長いデータ保持を必要とするアプリケーション向けに、FRAMおよびnvSRAM不揮発性メモリも提供しています。

このアプリケーションノートを読んで、バッテリーバックアップアプリケーションで非同期SRAMを使用するために考慮する必要がある設計上の考慮事項を理解してください。

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開発者コミュニティ

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