750 V シリコンカーバイド MOSFET

750 V CoolSiC™ MOSFET 車載用および産業用グレード、オン抵抗 4 mΩ～140 mΩ

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概要

インフィニオンの750 V CoolSiC™シリコンカーバイドMOSFETディスクリートは、寄生ターンオン効果に対する最高レベルの耐性と成熟したゲート酸化膜技術を提供します。トーテムポール、ANPC、三相整流回路 (Vienna Rectifier)、FCCなどのハードスイッチングトポロジーで優れた性能を実現します。さらに、G2での出力容量 (Coss) が大幅に削減されたことにより、サイクロコンバーター、CLLC、DAB、LLCなどのソフトスイッチングトポロジーにおいて高いスイッチング周波数で動作できるようになりました。信頼性、電力密度、効率において厳しい要件が求められるオンボードチャージャー、DC-DCコンバーター、DC-ACコンバーター、AIサーバー、太陽光発電インバーター、EV充電などのアプリケーションに最適です。Q-DPAKは、SiC固有の高速スイッチング速度を活かすと同時に、約20 Wの電力損失容量を保証します。

主な機能

  • スルーホール パッケージおよびSMDパッケージ
  • ケルビンソース端子
  • 車載デバイス向けの AEC Q101準拠、産業用デバイス向けの JEDEC規格も上回る性能
  • RDS(on) 4 mΩ〜140 mΩおよびパッケージで細分化された製品ラインナップ

製品

概要

750 VシリコンカーバイドMOSFETの利点

  • 非常に堅牢な750Vテクノロジー、100%アバランシェテスト済み
  • クラス最高水準のRDS(on)×Qfr
  • 優れたRDS(on)×QossおよびRDS(on)×QG
  • 低Crss/Cissと高VGS(th)のユニークな組み合わせ
  • インフィニオン独自のダイアタッチ技術
  • ドライバーソースピンが利用可能
ディスクリート パッケージ内のCoolSiC MOSFETの詳細

Q-DPAK上面放熱パッケージ

上面放熱 (TSC) デバイスは、プリント基板 (PCB) にはんだ付けされる表面実装型パワー デバイスです。半導体ダイから発生する熱は、パッケージの上部からコールドプレートに放熱されます。
TSCパワー パッケージは、熱性能と電気性能を向上させるためのソリューションです。電力密度の向上と製造工程の簡素化にも役立ちます。

750 VシリコンカーバイドMOSFETの利点

  • 非常に堅牢な750Vテクノロジー、100%アバランシェテスト済み
  • クラス最高水準のRDS(on)×Qfr
  • 優れたRDS(on)×QossおよびRDS(on)×QG
  • 低Crss/Cissと高VGS(th)のユニークな組み合わせ
  • インフィニオン独自のダイアタッチ技術
  • ドライバーソースピンが利用可能
ディスクリート パッケージ内のCoolSiC MOSFETの詳細

Q-DPAK上面放熱パッケージ

上面放熱 (TSC) デバイスは、プリント基板 (PCB) にはんだ付けされる表面実装型パワー デバイスです。半導体ダイから発生する熱は、パッケージの上部からコールドプレートに放熱されます。
TSCパワー パッケージは、熱性能と電気性能を向上させるためのソリューションです。電力密度の向上と製造工程の簡素化にも役立ちます。

ドキュメント

ドキュメント

設計リソース

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