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CoolSiC™ ショットキーダイオード  1200 V G5

第5世代は、新しいレベルの効率と信頼性を可能にします

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概要

高効率、コンパクト、シンプルな3相インバーターシステムの実装は、現在、1200Vで動作するSi デバイスの高いスイッチング損失によって制限されています。600 V/650 V デバイスを使用した代替設計は、効率を部分的に改善できます。 ただし、複雑な制御方式とより多くの電力コンポーネントを備えた、より複雑な (3レベルの) トポロジーが必要になります。

主な機能

  • クラス最高の順方向電圧
  • 逆回復電荷なし
  • 最大定格40 A のダイオード
  • 優れた熱特性

ファミリーの比較

製品

概要

CoolSiC™ ショットキーダイオード 1200V と Si HighSpeed 3 IGBT の組み合わせ

Si IGBTのターンオン損失を40%低減し、EMIを低減します。さらに、熱性能の向上により、シリコンベースのソリューションと比較してジャンクション温度が15%低下し、システムの信頼性が向上し、特定のフォームファクタでの出力電力を増加させる可能性も向上しました。

SiC ダイオードの静的損失は、多くの場合、Si IGBT / SiC ダイオードソリューションの最適化の可能性を制限します。これを修正するために、第5世代ダイオードは順方向電圧とその温度依存性を低減して導通損失を低減し、それによって価格対性能比を低減します。第5世代は、ソーラーインバーター、UPS システム、モータードライブ、および3相SMPS での使用を対象としています。

1200 V CoolSiC™ ショットキーダイオードG5 の主な特長と利点

CoolSiC™ ショットキーダイオード 1200V G5は、クラス最高の順方向電圧、VFの穏やかな正の温度依存性、クラス最高のサージ電流能力、最大定格40Aの優れた熱性能など、重要な主要機能を組み込んでいます。

主な利点は、とりわけ、最高のシステム効率、低いスイッチング周波数でのシステム効率の向上、高いスイッチング周波数での電力密度の増加、システムの信頼性の向上、およびEMIの低減です。

1200 V SiC ショットキーダイオード (D2PAK リアル 2 ピン)

コンパクトなシステム設計のトレンドでは、小型のデバイスパッケージを使用しながら高効率を実現することが求められています。CoolSiC™ショットキーダイオード第5世代1200Vは、2Aから20Aの定格電流を持つD2PAK real2pinパッケージで提供されるようになりました。

Si IGBTやスーパージャンクションMOSFETと組み合わせることで、例えば、3相変換システムで使用されるウィーン整流器段やPFC昇圧段などでは、CoolSiC™ダイオードは、次に優れたSiダイオードの代替品と比較して効率を最大1%向上させます。したがって、PFCおよびDC-DCステージの出力電力は、40%以上大幅に増加させることができます。SiCショットキーダイオードの特徴であるスイッチング損失が無視できるだけでなく、CoolSiC™ G5製品は、クラス最高の順方向電圧(VF)、温度によるVFの増加が最も少ない、および最高のサージ電流能力を備えています。その結果、市場をリードする効率性とシステムの信頼性を魅力的な価格で実現する一連の製品が誕生しました。

CoolSiC™ ショットキーダイオード 1200V と Si HighSpeed 3 IGBT の組み合わせ

Si IGBTのターンオン損失を40%低減し、EMIを低減します。さらに、熱性能の向上により、シリコンベースのソリューションと比較してジャンクション温度が15%低下し、システムの信頼性が向上し、特定のフォームファクタでの出力電力を増加させる可能性も向上しました。

SiC ダイオードの静的損失は、多くの場合、Si IGBT / SiC ダイオードソリューションの最適化の可能性を制限します。これを修正するために、第5世代ダイオードは順方向電圧とその温度依存性を低減して導通損失を低減し、それによって価格対性能比を低減します。第5世代は、ソーラーインバーター、UPS システム、モータードライブ、および3相SMPS での使用を対象としています。

1200 V CoolSiC™ ショットキーダイオードG5 の主な特長と利点

CoolSiC™ ショットキーダイオード 1200V G5は、クラス最高の順方向電圧、VFの穏やかな正の温度依存性、クラス最高のサージ電流能力、最大定格40Aの優れた熱性能など、重要な主要機能を組み込んでいます。

主な利点は、とりわけ、最高のシステム効率、低いスイッチング周波数でのシステム効率の向上、高いスイッチング周波数での電力密度の増加、システムの信頼性の向上、およびEMIの低減です。

1200 V SiC ショットキーダイオード (D2PAK リアル 2 ピン)

コンパクトなシステム設計のトレンドでは、小型のデバイスパッケージを使用しながら高効率を実現することが求められています。CoolSiC™ショットキーダイオード第5世代1200Vは、2Aから20Aの定格電流を持つD2PAK real2pinパッケージで提供されるようになりました。

Si IGBTやスーパージャンクションMOSFETと組み合わせることで、例えば、3相変換システムで使用されるウィーン整流器段やPFC昇圧段などでは、CoolSiC™ダイオードは、次に優れたSiダイオードの代替品と比較して効率を最大1%向上させます。したがって、PFCおよびDC-DCステージの出力電力は、40%以上大幅に増加させることができます。SiCショットキーダイオードの特徴であるスイッチング損失が無視できるだけでなく、CoolSiC™ G5製品は、クラス最高の順方向電圧(VF)、温度によるVFの増加が最も少ない、および最高のサージ電流能力を備えています。その結果、市場をリードする効率性とシステムの信頼性を魅力的な価格で実現する一連の製品が誕生しました。

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