2300 Vシリコン カーバイドMOSFET

CoolSiC™ MOSFET 2300 Vは、0.95 mΩ～1.27 mΩのさまざまなオン抵抗のバリエーションを取り揃えています。

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概要

XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 2300 Vは、再生可能エネルギーや蓄電システムなど、増加傾向にあるDCリンクが1500 Vのアプリケーションに特化して開発されました。堅牢な .XT相互接合技術により優れた性能を提供し、クラス最高レベルの信頼性で長い製品寿命を実現します。

主な特長

  • CoolSiC™ MOSFET 2.3 kV
  • ボディダイオード内蔵
  • 低インダクタンス パッケージXHP™ 2
  • .XT相互接合技術
  • 対称モジュール設計
  • 高い突入電流耐量
  • 短絡耐量
  • 低スイッチング損失および低導通損失
  • Tvj = 175℃ (連続動作時)
  • 絶縁電圧4 kVおよび6 kV
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製品

概要

.XT相互接続技術を採用したXHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 2.3 kV

2.3 kVの高速スイッチングかつ高エネルギー効率のシリコンカーバイドCoolSiC™ MOSFETを、低インダクタンスのXHP™ 2パッケージで提供します。ハーフブリッジ トポロジーと堅牢な.XT相互接続技術により長寿命化を実現しており、Rdsonが0.95 mΩ～1.27 mΩのさまざまなバリエーションがあります。

CoolSiC™ MOSFETモジュール

CoolSiC™ MOSFETモジュールは、高い動作温度とスイッチング周波数での動作を可能にし、システム全体の効率を向上させます。これらのモジュールは、3レベル、ハーフブリッジ、4パック、6パック、ブースターの各トポロジーなど、さまざまな構成で提供され、1200 V、2000 V、3300 Vに対応しています。

あらかじめ熱伝導材料 (TIM) を塗布したタイプなどの追加オプションも注文できます。

インフィニオンのCoolSiC™ MOSFETモジュールはトレンチ技術に基づいており、優れたゲート酸化膜の信頼性と、クラス最高レベルのスイッチング損失および導通損失を特長としています。

モジュール ハウジングのCoolSiC MOSFETの詳細
.XT相互接続技術を採用したXHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 2.3 kV

2.3 kVの高速スイッチングかつ高エネルギー効率のシリコンカーバイドCoolSiC™ MOSFETを、低インダクタンスのXHP™ 2パッケージで提供します。ハーフブリッジ トポロジーと堅牢な.XT相互接続技術により長寿命化を実現しており、Rdsonが0.95 mΩ～1.27 mΩのさまざまなバリエーションがあります。

CoolSiC™ MOSFETモジュール

CoolSiC™ MOSFETモジュールは、高い動作温度とスイッチング周波数での動作を可能にし、システム全体の効率を向上させます。これらのモジュールは、3レベル、ハーフブリッジ、4パック、6パック、ブースターの各トポロジーなど、さまざまな構成で提供され、1200 V、2000 V、3300 Vに対応しています。

あらかじめ熱伝導材料 (TIM) を塗布したタイプなどの追加オプションも注文できます。

インフィニオンのCoolSiC™ MOSFETモジュールはトレンチ技術に基づいており、優れたゲート酸化膜の信頼性と、クラス最高レベルのスイッチング損失および導通損失を特長としています。

モジュール ハウジングのCoolSiC MOSFETの詳細
ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ

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