SRAM (スタティック RAM)

安定した製品供給と長期サポートを備えた、256 Kb から144 Mb の範囲の容量を持つ低消費電力および高速SRAM の業界で最も幅広いポートフォリオ

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製品

スタティック ランダムアクセスメモリ(SRAM)

SRAM は、フリップフロップベースのラッチ回路を使用して各ビットを格納します。 ほぼすべてのSRAM は、4トランジスタまたは6トランジスタのメモリセルを使用しています。 これらのセル構造により、デバイスに電源電圧が供給されている場合、デバイスにデータを無期限に保存できます。

インフィニオンのスタンドアロンSRAM は、アプリケーションにRAM を簡単に追加できるランダムアクセスメモリです。 インフィニオンは、ネットワーキング、自動車、民生機器、産業機器、医療機器、航空宇宙、防衛などの幅広いアプリケーション向けに、高速、低消費電力、高信頼性のSRAM を幅広く提供しています。 非同期および同期SRAM の多様なポートフォリオと安定供給と長期的な製品サポートへの取り組みにより、インフィニオンはSRAM サプライヤーとして高評価をいただいています。これらのデバイスは、オンチップECC を搭載した256 Kb から64 Mb の範囲の密度で利用可能です。

SRAM には、クロックとの同期に基づいて2つの異なる種類があります。

  • 同期SRAM は外部クロック信号と同期します。
  • 非同期SRAM はクロック信号の状態に関わらず動作します。
同期型SRAMの詳細については、こちらをご覧ください
非同期SRAMの詳細については、こちらをご覧ください
非同期SRAM

インフィニオンの非同期SRAM メモリ製品は、256 Kb から64 Mb までの密度で提供され、アクセス時間に基づいて2つのファミリーに分類されます。

低消費電力非同期SRAM : これらは通常45ns以上の速度範囲で動作するデバイスです。これらのSRAM は通常、消費電力が非常に低く設計されており、消費電力が大きな懸念事項となるアプリケーションで使用されます。 これらは、一時的なデータストレージやスクラッチパッドアプリケーションによく使用されます。 インフィニオンのMOBL™ マイクロパワー非同期SRAM は、このファミリーに属しています。

高速非同期SRAM : これらは通常、25ナノ秒未満の領域で動作するデバイスです。 これらは、バッファおよびキャッシュメモリアプリケーションでよく使用されます。 インフィニオンは、高速非同期SRAM のアクセス時間と独自の超低消費電力スリープモードを組み合わせたデバイスを提供するために、PowerSnooze を備えた高速SRAM を提供しています。

非同期SRAMの詳細については、こちらをご覧ください
同期型SRAM

同期SRAM メモリ製品は、9 Mb から144 Mb までの密度で利用でき、データ転送速度に基づいて分類されます。

シングル データ レートSRAM : これらは同期SRAMで あり、特定のクロックサイクルでSRAM とコントローラーの間で1ワードのデータが転送されます。 これらには、インフィニオンのパイプラインSRAM、フロースルーSRAM、バーストSRAM、ネットワークSRAM – NoBL™/ ZBT™ SRAM が含まれます。

ダブルおよびクワッドデータレートSRAM : これらのSRAM は、所定のサイクルで複数のデータワードを転送し、最大80 Gbps のデータ転送速度を提供するネットワーキング アプリケーションおよび、データストレージ アプリケーションに最適なSRAM として設計されています。 DDR-IIおよびDDR-II+は、共通のデータバスインターフェースを使用して、立ち上がりクロックエッジと立ち下がりクロックエッジの両方でデータを転送します。 QDR-II とQDR-II+ は、2つの独立した専用のダブル データレート バスインターフェースを利用します。

同期型SRAMの詳細については、こちらをご覧ください
エラー訂正コード - 最小のソフトエラーレート <0.1 FIT/Mbit

オンチップのハードウェアECC (エラー訂正コード) により、インフィニオンのSRAM は、介入なしに、すべてのECC 関連機能を実行します。 高エネルギーの地球外放射線は、隣接する複数のビットを反転させ、マルチビットエラーを引き起こします。ECC のシングルビットエラー検出および訂正機能は、マルチビットエラーの発生を防ぐためのビットインターリーブ方式によって補完されます。 これらの機能を組み合わせることで、ソフトエラーレート (SER) 検出のパフォーマンスが大幅に向上し、0.1 FIT/Mb 未満という業界トップクラスのFIT レートを実現しています。

SRAM と競合メモリデバイスの比較

SRAM はDRAM のように定期的なリフレッシュ動作を必要としないため、パフォーマンスが向上します。 DRAM の場合、データは電荷としてコンデンサに蓄えられますが、この電荷は時間の経過とともにリークし、データの損失につながります。 したがって、DRAM は、保存されたデータを保持するために定期的にリフレッシュ動作を行う必要があります。 これは、DRAM の性能と消費電力に悪影響を及ぼします。

したがって、SRAMは通常、DRAMよりも高速で消費電力が低くなります。

スタティック ランダムアクセスメモリ(SRAM)

SRAM は、フリップフロップベースのラッチ回路を使用して各ビットを格納します。 ほぼすべてのSRAM は、4トランジスタまたは6トランジスタのメモリセルを使用しています。 これらのセル構造により、デバイスに電源電圧が供給されている場合、デバイスにデータを無期限に保存できます。

インフィニオンのスタンドアロンSRAM は、アプリケーションにRAM を簡単に追加できるランダムアクセスメモリです。 インフィニオンは、ネットワーキング、自動車、民生機器、産業機器、医療機器、航空宇宙、防衛などの幅広いアプリケーション向けに、高速、低消費電力、高信頼性のSRAM を幅広く提供しています。 非同期および同期SRAM の多様なポートフォリオと安定供給と長期的な製品サポートへの取り組みにより、インフィニオンはSRAM サプライヤーとして高評価をいただいています。これらのデバイスは、オンチップECC を搭載した256 Kb から64 Mb の範囲の密度で利用可能です。

SRAM には、クロックとの同期に基づいて2つの異なる種類があります。

  • 同期SRAM は外部クロック信号と同期します。
  • 非同期SRAM はクロック信号の状態に関わらず動作します。
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非同期SRAM

インフィニオンの非同期SRAM メモリ製品は、256 Kb から64 Mb までの密度で提供され、アクセス時間に基づいて2つのファミリーに分類されます。

低消費電力非同期SRAM : これらは通常45ns以上の速度範囲で動作するデバイスです。これらのSRAM は通常、消費電力が非常に低く設計されており、消費電力が大きな懸念事項となるアプリケーションで使用されます。 これらは、一時的なデータストレージやスクラッチパッドアプリケーションによく使用されます。 インフィニオンのMOBL™ マイクロパワー非同期SRAM は、このファミリーに属しています。

高速非同期SRAM : これらは通常、25ナノ秒未満の領域で動作するデバイスです。 これらは、バッファおよびキャッシュメモリアプリケーションでよく使用されます。 インフィニオンは、高速非同期SRAM のアクセス時間と独自の超低消費電力スリープモードを組み合わせたデバイスを提供するために、PowerSnooze を備えた高速SRAM を提供しています。

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同期型SRAM

同期SRAM メモリ製品は、9 Mb から144 Mb までの密度で利用でき、データ転送速度に基づいて分類されます。

シングル データ レートSRAM : これらは同期SRAMで あり、特定のクロックサイクルでSRAM とコントローラーの間で1ワードのデータが転送されます。 これらには、インフィニオンのパイプラインSRAM、フロースルーSRAM、バーストSRAM、ネットワークSRAM – NoBL™/ ZBT™ SRAM が含まれます。

ダブルおよびクワッドデータレートSRAM : これらのSRAM は、所定のサイクルで複数のデータワードを転送し、最大80 Gbps のデータ転送速度を提供するネットワーキング アプリケーションおよび、データストレージ アプリケーションに最適なSRAM として設計されています。 DDR-IIおよびDDR-II+は、共通のデータバスインターフェースを使用して、立ち上がりクロックエッジと立ち下がりクロックエッジの両方でデータを転送します。 QDR-II とQDR-II+ は、2つの独立した専用のダブル データレート バスインターフェースを利用します。

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エラー訂正コード - 最小のソフトエラーレート <0.1 FIT/Mbit

オンチップのハードウェアECC (エラー訂正コード) により、インフィニオンのSRAM は、介入なしに、すべてのECC 関連機能を実行します。 高エネルギーの地球外放射線は、隣接する複数のビットを反転させ、マルチビットエラーを引き起こします。ECC のシングルビットエラー検出および訂正機能は、マルチビットエラーの発生を防ぐためのビットインターリーブ方式によって補完されます。 これらの機能を組み合わせることで、ソフトエラーレート (SER) 検出のパフォーマンスが大幅に向上し、0.1 FIT/Mb 未満という業界トップクラスのFIT レートを実現しています。

SRAM と競合メモリデバイスの比較

SRAM はDRAM のように定期的なリフレッシュ動作を必要としないため、パフォーマンスが向上します。 DRAM の場合、データは電荷としてコンデンサに蓄えられますが、この電荷は時間の経過とともにリークし、データの損失につながります。 したがって、DRAM は、保存されたデータを保持するために定期的にリフレッシュ動作を行う必要があります。 これは、DRAM の性能と消費電力に悪影響を及ぼします。

したがって、SRAMは通常、DRAMよりも高速で消費電力が低くなります。

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