SRAM (スタティック RAM)

安定した製品供給と長期サポートを備えた、256 Kb から144 Mb の範囲の容量を持つ低消費電力および高速SRAM の業界で最も幅広いポートフォリオ

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製品

非同期および同期SRAM: 256 KB～144 MB

SRAM (スタティック ランダム アクセス メモリ) は、リフレッシュ サイクルなしでデータを保持する揮発性メモリの一種であり、決定論的な読み出しアクセス時間を実現するため、キャッシュ バッファ、パケット ルックアップ テーブル、および安全性が重要な組み込みシステムに最適な選択肢です。

インフィニオンのSRAM製品ラインアップは、2つの主要ファミリーで構成されています。

  • 非同期SRAM: クロックは不要で、アドレス遷移に応じてデータが直接読み出されます。バッテリーバックアップ アプリケーション向けのMOBL™ マイクロパワー デバイスと、キャッシュおよびバッファ アプリケーション向けPowerSnooze™対応高速非同期SRAMを含みます。容量は256 KBから64 MBまでです。TSOP、BGA、SOPパッケージでご利用いただけます。
  • 同期SRAM: より高いスループットを実現するクロック同期インターフェースです。ネットワーキング向けのDDR同期SRAM (最大550 MHz) およびQDR™ 同期SRAM (最大1066 MHz) と、エラーに敏感な設計向けのオンチップECC搭載同期SRAMを含みます。容量は9 Mb～144 Mbです。すべてのデバイスがRoHS準拠です。

一部の非同期SRAM ICは、防衛アプリケーション向けにQML認証を取得しています。

同期型SRAMの詳細については、こちらをご覧ください
非同期SRAMの詳細については、こちらをご覧ください

インフィニオン製スタティックRAMメモリの主なエンジニアリング上の利点

  • リフレッシュのオーバーヘッドなしに決定論的なアクセス時間を実現

DRAMとは異なり、SRAMはリフレッシュ サイクルなしでデータを保持し、動作温度範囲全体にわたって8 nsからの決定論的な読み出しアクセスを実現します。レイテンシ ペナルティやタイミングの不確実性はありません。

  • ソフトエラー保護のためのオンチップECC

インフィニオンは、オンチップ エラー訂正コード (ECC) を搭載した高密度SRAMを提供する唯一のサプライヤーであり、0.1 FIT/Mbit未満のソフトエラー率を実現し、外部エラー訂正ロジックが不要です。

  • 256 KB～144 MBの幅広い製品ラインアップ

単一の認定サプライヤーが、ネットワーク、自動車、産業、防衛の設計で必要となる容量範囲全体をカバーします。バッテリーバックアップ付きデータ ロギング向けの256 KB マイクロパワーSRAMから、高帯域幅パケット処理向けの144 MB 同期SRAMまで対応します。

  • 長期供給と安定した供給体制

産業、防衛、自動車関連プログラムでは、10年以上にも及ぶライフサイクル全体にわたって部品の供給が確保されることが求められます。インフィニオンは、スタティックRAM製品ラインアップ全体にわたって安定した供給コミットメントと長期的な製品サポートを提供し、再設計リスクを低減して、複数年にわたる生産プログラムを支援します。

SRAMの主要パラメーター: 容量、速度、インターフェース、および消費電力

  • 容量: 256 KB～144 MB

容量は、SRAMチップが保存できるデータ量を定義します。インフィニオンのSRAMは、256 KB～144 MBをカバーしています。消費電力とコストを最小限に抑えるため、作業データセットを満たす最小容量を選択してください。

  • アクセス時間/クロック速度: 8 ns～1066 MHz

非同期設計ではアクセス時間が重要なパラメーターであり、同期設計ではクロック周波数が重要なパラメーターです。ウェイト ステートを必要とせずに、プロセッサのメモリ バス タイミングに一致する値を選択してください。

非同期SRAMはクロックを使用しないパラレル バスを使用するため、複雑さが低く、レイテンシが確定的です。同期SRAMは、より高い帯域幅を実現するためにクロック同期インターフェースを使用します。

  • パワー モード: StandardまたはMOBL™

MOBL™ SRAMはスタンバイ電流を3 µAに低減し、バッテリー駆動設計に適しています。Standard SRAMは、常時給電のアプリケーションに適しています。

インフィニオンSRAMの速度、ECC、信頼性データ

  • アクセス速度: 8 ns～1066 MHz

インフィニオンのSRAMは、8 nsの非同期アクセスから1066 MHzの同期クロック動作まで、速度範囲全体をカバーしています。詳細なタイミング パラメーター、ディレーティング曲線、およびAC/DC仕様は、非同期SRAMおよび同期SRAMの製品ページで確認できます。

  • ソフトエラー率: 0.1 FIT/Mbit未満

オンチップECCを搭載した同期SRAMは、0.1 FIT/Mbit未満のソフトエラー率を実現しており、高密度の標準同期SRAMの中で最も低い値です。シングルビット誤り訂正はオンチップで処理されるため、外部のECCロジックは不要です。

  • 認証: QML認証取得済み、RoHS準拠

インフィニオンの一部のSRAMは、防衛および航空宇宙プログラム向けにQML認証を取得しており、MIL-PRF-38535の要件を満たしています。すべてのデバイスがRoHSに準拠し、業界標準のTSOP、BGA、およびSOPパッケージで提供されます。

SRAMのユースケース: ネットワーク、自動車、防衛

  • ネットワーキングおよび通信: パケット ルックアップとバッファ メモリ

SRAMは、ネットワーク ライン カードにおけるパケット分類、フロー状態追跡、統計カウントのための標準メモリであり、DRAMのバーストモードによる性能低下が許容できないアプリケーションで使用されます。インフィニオンQDR™およびDDR同期SRAMは、これらのワークロードに対して550 MHzから1066 MHzの範囲をカバーします。

  • 自動車および産業: キャッシュ メモリおよび拡張メモリ

リアルタイム オペレーティング システムを実行する車載ECUや産業用コントローラーには、ワースト ケースのアクセス レイテンシが保証された決定論的なキャッシュ メモリおよび拡張メモリが必要です。インフィニオンの非同期SRAMは、8 nsからのアクセス時間で、DRAMのリフレッシュに起因するレイテンシなしにこれを実現します。MOBL™マイクロパワー スタティックRAMは、バッテリーバックアップのデータ ロギングおよびイベント記録システムで使用され、3 µA未満のスタンバイ電流によりバックアップ バッテリーの寿命が延びます。

防衛および航空宇宙プログラムでは、MIL-PRF-38535適合デバイスが必要です。インフィニオンの一部のSRAMはQML認証を取得しており、データ ストレージ、プログラム メモリ、およびスクラッチパッド アプリケーション向けにTSOPおよびBGAパッケージで提供されています。

SRAMのアプリケーションについて詳しくはこちらをご覧ください。

SRAM選定ガイド: インターフェース、容量、速度、電力

  • ステップ1: インターフェースの種類を選択。 確定的なレイテンシを必要とする並列バス設計には、非同期SRAMを選択してください。より高い帯域幅のクロックインターフェースには、同期型SRAMを選択してください。読み書きのバランスが取れたワークロードにはQDR™を、読み込み集約型アプリケーションにはDDRを選択してください。
  • ステップ2: 必要な容量を決定。将来のファームウェア拡張のために20%の余裕を持たせた上で、この要件を満たす最小容量を選択してください。
  • ステップ3: アクセス時間またはクロック速度をバスのタイミングに合わせます。非同期設計の場合は、プロセッサのメモリバスのサイクルタイムを確認し、その値と同等かそれ以上の速度のアクセス時間を持つSRAMを選択してください。同期設計の場合は、目標クロック周波数以上の定格を持つデバイスを選択してください
  • ステップ4：電力要件を評価。バッテリー駆動設計では、スタンバイ電流3 µA未満のMOBL™ SRAMを選択してください。Standard SRAMは、常時電源供給のアプリケーションに適しています。
  • ステップ5：認定要件を確認。MIL-PRF-38535規格への準拠が求められる防衛または航空宇宙アプリケーションには、QML認証済みの非同期SRAM ICを選択してください。商用および産業用途向けに、すべてのデバイスはRoHS指令に準拠しており、業界標準のパッケージで提供されます。

インフィニオンのスタティックRAM: 256 KB～144 MB (QML認証)

インフィニオンは、低消費電力かつ高速なSRAMメモリの業界最広範な製品ポートフォリオを提供しており、非同期および同期アーキテクチャにわたり256 KB～144 MBの容量範囲をカバーしています。非同期SRAM製品群は、スタンバイ電流3 µAのMOBL™ 超低消費電力デバイスから、アクセス時間8 nsの高速デバイスまでを網羅しています。同期型製品群には、最大550 MHzのDDR同期SRAM、最大1066 MHzのQDR™ 同期SRAM、ならびにソフトエラーレート0.1 FIT/Mbit未満を実現するオンチップECC搭載の同期SRAMが含まれます。

すべてのデバイスがRoHS準拠です。一部の非同期SRAM ICは、防衛および航空宇宙アプリケーション向けにQML認証を取得しています。インフィニオンは、SRAM製品ラインアップ全体で安定した供給と長期的な製品サポートを提供し、10年以上のライフサイクルを持つプログラムの陳腐化リスクを低減します。

SRAMの長期供給に関する詳細はこちらをご覧ください。

SRAM評価キット、SPICEモデル、アプリケーション ノート

データシートとパラメーター表 – 各デバイスごとに、関連する製品ページに完全な電気的特性、タイミング図、およびパッケージの機械図面が掲載されており、システムレベルのタイミング解析とPCBレイアウト設計をサポートします。

SPICE モデル - 主要なSRAM IC向けにSPICEシミュレーション モデルが用意されており、ハードウェア構築前に回路シミュレーションで信号整合性とタイミング マージンを推定できます。

アプリケーションノート – 設計ドキュメントには、非同期SRAMバス インターフェース設計、同期SRAMクロック ルーティング ガイドライン、オンチップECC実装、およびMOBL™バッテリーバックアップ回路設計が含まれます。

パラメーター選択ツール – インフィニオンのパラメーター セレクタを使用して、容量、アクセス時間、インターフェース タイプ、電源電圧、パッケージ、および認定レベルでSRAM製品群をフィルタリングし、アプリケーションに最適なスタティックRAMを特定できます。

非同期および同期SRAM: 256 KB～144 MB

SRAM (スタティック ランダム アクセス メモリ) は、リフレッシュ サイクルなしでデータを保持する揮発性メモリの一種であり、決定論的な読み出しアクセス時間を実現するため、キャッシュ バッファ、パケット ルックアップ テーブル、および安全性が重要な組み込みシステムに最適な選択肢です。

インフィニオンのSRAM製品ラインアップは、2つの主要ファミリーで構成されています。

  • 非同期SRAM: クロックは不要で、アドレス遷移に応じてデータが直接読み出されます。バッテリーバックアップ アプリケーション向けのMOBL™ マイクロパワー デバイスと、キャッシュおよびバッファ アプリケーション向けPowerSnooze™対応高速非同期SRAMを含みます。容量は256 KBから64 MBまでです。TSOP、BGA、SOPパッケージでご利用いただけます。
  • 同期SRAM: より高いスループットを実現するクロック同期インターフェースです。ネットワーキング向けのDDR同期SRAM (最大550 MHz) およびQDR™ 同期SRAM (最大1066 MHz) と、エラーに敏感な設計向けのオンチップECC搭載同期SRAMを含みます。容量は9 Mb～144 Mbです。すべてのデバイスがRoHS準拠です。

一部の非同期SRAM ICは、防衛アプリケーション向けにQML認証を取得しています。

同期型SRAMの詳細については、こちらをご覧ください
非同期SRAMの詳細については、こちらをご覧ください

インフィニオン製スタティックRAMメモリの主なエンジニアリング上の利点

  • リフレッシュのオーバーヘッドなしに決定論的なアクセス時間を実現

DRAMとは異なり、SRAMはリフレッシュ サイクルなしでデータを保持し、動作温度範囲全体にわたって8 nsからの決定論的な読み出しアクセスを実現します。レイテンシ ペナルティやタイミングの不確実性はありません。

  • ソフトエラー保護のためのオンチップECC

インフィニオンは、オンチップ エラー訂正コード (ECC) を搭載した高密度SRAMを提供する唯一のサプライヤーであり、0.1 FIT/Mbit未満のソフトエラー率を実現し、外部エラー訂正ロジックが不要です。

  • 256 KB～144 MBの幅広い製品ラインアップ

単一の認定サプライヤーが、ネットワーク、自動車、産業、防衛の設計で必要となる容量範囲全体をカバーします。バッテリーバックアップ付きデータ ロギング向けの256 KB マイクロパワーSRAMから、高帯域幅パケット処理向けの144 MB 同期SRAMまで対応します。

  • 長期供給と安定した供給体制

産業、防衛、自動車関連プログラムでは、10年以上にも及ぶライフサイクル全体にわたって部品の供給が確保されることが求められます。インフィニオンは、スタティックRAM製品ラインアップ全体にわたって安定した供給コミットメントと長期的な製品サポートを提供し、再設計リスクを低減して、複数年にわたる生産プログラムを支援します。

SRAMの主要パラメーター: 容量、速度、インターフェース、および消費電力

  • 容量: 256 KB～144 MB

容量は、SRAMチップが保存できるデータ量を定義します。インフィニオンのSRAMは、256 KB～144 MBをカバーしています。消費電力とコストを最小限に抑えるため、作業データセットを満たす最小容量を選択してください。

  • アクセス時間/クロック速度: 8 ns～1066 MHz

非同期設計ではアクセス時間が重要なパラメーターであり、同期設計ではクロック周波数が重要なパラメーターです。ウェイト ステートを必要とせずに、プロセッサのメモリ バス タイミングに一致する値を選択してください。

非同期SRAMはクロックを使用しないパラレル バスを使用するため、複雑さが低く、レイテンシが確定的です。同期SRAMは、より高い帯域幅を実現するためにクロック同期インターフェースを使用します。

  • パワー モード: StandardまたはMOBL™

MOBL™ SRAMはスタンバイ電流を3 µAに低減し、バッテリー駆動設計に適しています。Standard SRAMは、常時給電のアプリケーションに適しています。

インフィニオンSRAMの速度、ECC、信頼性データ

  • アクセス速度: 8 ns～1066 MHz

インフィニオンのSRAMは、8 nsの非同期アクセスから1066 MHzの同期クロック動作まで、速度範囲全体をカバーしています。詳細なタイミング パラメーター、ディレーティング曲線、およびAC/DC仕様は、非同期SRAMおよび同期SRAMの製品ページで確認できます。

  • ソフトエラー率: 0.1 FIT/Mbit未満

オンチップECCを搭載した同期SRAMは、0.1 FIT/Mbit未満のソフトエラー率を実現しており、高密度の標準同期SRAMの中で最も低い値です。シングルビット誤り訂正はオンチップで処理されるため、外部のECCロジックは不要です。

  • 認証: QML認証取得済み、RoHS準拠

インフィニオンの一部のSRAMは、防衛および航空宇宙プログラム向けにQML認証を取得しており、MIL-PRF-38535の要件を満たしています。すべてのデバイスがRoHSに準拠し、業界標準のTSOP、BGA、およびSOPパッケージで提供されます。

SRAMのユースケース: ネットワーク、自動車、防衛

  • ネットワーキングおよび通信: パケット ルックアップとバッファ メモリ

SRAMは、ネットワーク ライン カードにおけるパケット分類、フロー状態追跡、統計カウントのための標準メモリであり、DRAMのバーストモードによる性能低下が許容できないアプリケーションで使用されます。インフィニオンQDR™およびDDR同期SRAMは、これらのワークロードに対して550 MHzから1066 MHzの範囲をカバーします。

  • 自動車および産業: キャッシュ メモリおよび拡張メモリ

リアルタイム オペレーティング システムを実行する車載ECUや産業用コントローラーには、ワースト ケースのアクセス レイテンシが保証された決定論的なキャッシュ メモリおよび拡張メモリが必要です。インフィニオンの非同期SRAMは、8 nsからのアクセス時間で、DRAMのリフレッシュに起因するレイテンシなしにこれを実現します。MOBL™マイクロパワー スタティックRAMは、バッテリーバックアップのデータ ロギングおよびイベント記録システムで使用され、3 µA未満のスタンバイ電流によりバックアップ バッテリーの寿命が延びます。

防衛および航空宇宙プログラムでは、MIL-PRF-38535適合デバイスが必要です。インフィニオンの一部のSRAMはQML認証を取得しており、データ ストレージ、プログラム メモリ、およびスクラッチパッド アプリケーション向けにTSOPおよびBGAパッケージで提供されています。

SRAMのアプリケーションについて詳しくはこちらをご覧ください。

SRAM選定ガイド: インターフェース、容量、速度、電力

  • ステップ1: インターフェースの種類を選択。 確定的なレイテンシを必要とする並列バス設計には、非同期SRAMを選択してください。より高い帯域幅のクロックインターフェースには、同期型SRAMを選択してください。読み書きのバランスが取れたワークロードにはQDR™を、読み込み集約型アプリケーションにはDDRを選択してください。
  • ステップ2: 必要な容量を決定。将来のファームウェア拡張のために20%の余裕を持たせた上で、この要件を満たす最小容量を選択してください。
  • ステップ3: アクセス時間またはクロック速度をバスのタイミングに合わせます。非同期設計の場合は、プロセッサのメモリバスのサイクルタイムを確認し、その値と同等かそれ以上の速度のアクセス時間を持つSRAMを選択してください。同期設計の場合は、目標クロック周波数以上の定格を持つデバイスを選択してください
  • ステップ4：電力要件を評価。バッテリー駆動設計では、スタンバイ電流3 µA未満のMOBL™ SRAMを選択してください。Standard SRAMは、常時電源供給のアプリケーションに適しています。
  • ステップ5：認定要件を確認。MIL-PRF-38535規格への準拠が求められる防衛または航空宇宙アプリケーションには、QML認証済みの非同期SRAM ICを選択してください。商用および産業用途向けに、すべてのデバイスはRoHS指令に準拠しており、業界標準のパッケージで提供されます。

インフィニオンのスタティックRAM: 256 KB～144 MB (QML認証)

インフィニオンは、低消費電力かつ高速なSRAMメモリの業界最広範な製品ポートフォリオを提供しており、非同期および同期アーキテクチャにわたり256 KB～144 MBの容量範囲をカバーしています。非同期SRAM製品群は、スタンバイ電流3 µAのMOBL™ 超低消費電力デバイスから、アクセス時間8 nsの高速デバイスまでを網羅しています。同期型製品群には、最大550 MHzのDDR同期SRAM、最大1066 MHzのQDR™ 同期SRAM、ならびにソフトエラーレート0.1 FIT/Mbit未満を実現するオンチップECC搭載の同期SRAMが含まれます。

すべてのデバイスがRoHS準拠です。一部の非同期SRAM ICは、防衛および航空宇宙アプリケーション向けにQML認証を取得しています。インフィニオンは、SRAM製品ラインアップ全体で安定した供給と長期的な製品サポートを提供し、10年以上のライフサイクルを持つプログラムの陳腐化リスクを低減します。

SRAMの長期供給に関する詳細はこちらをご覧ください。

SRAM評価キット、SPICEモデル、アプリケーション ノート

データシートとパラメーター表 – 各デバイスごとに、関連する製品ページに完全な電気的特性、タイミング図、およびパッケージの機械図面が掲載されており、システムレベルのタイミング解析とPCBレイアウト設計をサポートします。

SPICE モデル - 主要なSRAM IC向けにSPICEシミュレーション モデルが用意されており、ハードウェア構築前に回路シミュレーションで信号整合性とタイミング マージンを推定できます。

アプリケーションノート – 設計ドキュメントには、非同期SRAMバス インターフェース設計、同期SRAMクロック ルーティング ガイドライン、オンチップECC実装、およびMOBL™バッテリーバックアップ回路設計が含まれます。

パラメーター選択ツール – インフィニオンのパラメーター セレクタを使用して、容量、アクセス時間、インターフェース タイプ、電源電圧、パッケージ、および認定レベルでSRAM製品群をフィルタリングし、アプリケーションに最適なスタティックRAMを特定できます。

ドキュメント