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IGBT ベアダイ

インフィニオンの TRENCHSTOP™ IGBT は、独自のトレンチテクノロジーとフィールドストップテクノロジーを組み合わせた産業用業界標準製品です。

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概要

IGBT ポートフォリオには、600 Vから1700 V までの電圧範囲で、さまざまなテクノロジーの製品群を有しており、ドライブ、再生可能な太陽および風力エネルギー、溶接、電源などの幅広いアプリケーション向けに最適化されています。

主な機能

  • 並列化が容易
  • 正の温度係数
  • ソフトターンオフ
  • 低スイッチング損失

製品

概要

IGBT：シンプルなテクノロジー

IGBT の最も基本的な機能は、可能な限り高速の電流スイッチングであり、したがって、可能な限り低いスイッチング損失を達成します。「絶縁ゲートバイポーラトランジスタ」という名前が示すように、IGBT は絶縁ゲート構造のバイポーラトランジスタです。ゲート自体は基本的にMOSFET です。したがって、IGBT は、バイポーラトランジスタの大電流通電能力と高ブロッキング電圧の利点と、MOSFET の容量性でほぼゼロ電力ベースに基づく制御という利点を兼ね備えています。

制御可能な熱特性

今日のIGBTは、理想的なスイッチと見なされているものと非常によく似ています。理想的なスイッチは、オフ時にゼロ電流、オン時にデバイス両端の電圧がゼロという特長があります。結果として、理想的なスイッチは損失を発生せず、したがって熱を発生しません。より多くのIGBT が個々のスイッチで99% 以上の効率レベルに達します。ただし、熱管理は無視してはならない重要なトピックです。

ディスクリートまたはモジュールハウジングのIGBT ベアダイ

インフィニオンのIGBT チップは、ディスクリートIGBT と呼ばれる組み立て済みのディスクリートパッケージでも入手可能です。これらのデバイスは、単一のIGBT として、またはフリーホイールダイオードと同梱されています。さらに、幅広い電源モジュールが利用可能です。これらのより大きな配置は、パワーエレクトロニクスの基本的な構成要素を形成し、通常、IGBT、ダイオードダイ、およびさまざまなトポロジーの他のコンポーネントを組み合わせています。

IGBT ディスクリートの詳細
IGBT モジュールの詳細

IGBT：シンプルなテクノロジー

IGBT の最も基本的な機能は、可能な限り高速の電流スイッチングであり、したがって、可能な限り低いスイッチング損失を達成します。「絶縁ゲートバイポーラトランジスタ」という名前が示すように、IGBT は絶縁ゲート構造のバイポーラトランジスタです。ゲート自体は基本的にMOSFET です。したがって、IGBT は、バイポーラトランジスタの大電流通電能力と高ブロッキング電圧の利点と、MOSFET の容量性でほぼゼロ電力ベースに基づく制御という利点を兼ね備えています。

制御可能な熱特性

今日のIGBTは、理想的なスイッチと見なされているものと非常によく似ています。理想的なスイッチは、オフ時にゼロ電流、オン時にデバイス両端の電圧がゼロという特長があります。結果として、理想的なスイッチは損失を発生せず、したがって熱を発生しません。より多くのIGBT が個々のスイッチで99% 以上の効率レベルに達します。ただし、熱管理は無視してはならない重要なトピックです。

ディスクリートまたはモジュールハウジングのIGBT ベアダイ

インフィニオンのIGBT チップは、ディスクリートIGBT と呼ばれる組み立て済みのディスクリートパッケージでも入手可能です。これらのデバイスは、単一のIGBT として、またはフリーホイールダイオードと同梱されています。さらに、幅広い電源モジュールが利用可能です。これらのより大きな配置は、パワーエレクトロニクスの基本的な構成要素を形成し、通常、IGBT、ダイオードダイ、およびさまざまなトポロジーの他のコンポーネントを組み合わせています。

IGBT ディスクリートの詳細
IGBT モジュールの詳細

ドキュメント

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デザイン リソース

開発者コミュニティ

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