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CoolSiC™ ショットキーダイオード

CoolSiC™ ショットキーダイオードソリューション - 効率とソリューションコストを改善

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概要

CoolSiC™ ショットキーダイオードについて

インフィニオンは、世界初の炭化ケイ素 (SiC) ディスクリート半導体製品のサプライヤーです。長年の市場での存在感と経験により、信頼性が高く、業界をリードするSiC 特性を提供することができます。SiCとSiの材料特性の違いにより、実用的なSi ユニポーラダイオード (ショットキーダイオード) の製造は、比較的高いオン抵抗とリーク電流で、最大100〜150 V の範囲に制限されています。SiCを使用すると、ショットキーダイオードは、はるかに高い耐圧クラスを達成することができます。インフィニオンのSiC ショットキーダイオード製品のポートフォリオは、600 V および650〜1200 Vクラスをカバーしています。

主な機能

CoolSiC™ ショットキーダイオードには、逆回復電荷なし、純粋な容量性スイッチング、高い動作温度 (T j, max = 175°C) などの重要な主要機能が組み込まれています。その他の利点は、低いターンオフ損失、CoolMOS™ またはIGBT のターンオン損失の低減、および負荷電流、スイッチング速度、および温度に依存しないスイッチング損失です。

主な利点とアプリケーション

主な利点は、とりわけSi ダイオードと比較して、システム効率の向上、冷却要件の低減、より高い周波数/より高い電力密度の実現、より低い動作温度によるより高いシステム信頼性、およびEMI の低減です。

CoolSiC™ ショットキーダイオード、モーター制御およびドライブ、サーバー電源、テレコム電源、太陽光発電システム向けソリューション、オンラインUPS などのアプリケーションで使用できます。

CoolSiC™ ショットキーダイオードについて

インフィニオンは、世界初の炭化ケイ素 (SiC) ディスクリート半導体製品のサプライヤーです。長年の市場での存在感と経験により、信頼性が高く、業界をリードするSiC 特性を提供することができます。SiCとSiの材料特性の違いにより、実用的なSi ユニポーラダイオード (ショットキーダイオード) の製造は、比較的高いオン抵抗とリーク電流で、最大100〜150 V の範囲に制限されています。SiCを使用すると、ショットキーダイオードは、はるかに高い耐圧クラスを達成することができます。インフィニオンのSiC ショットキーダイオード製品のポートフォリオは、600 V および650〜1200 Vクラスをカバーしています。

主な機能

CoolSiC™ ショットキーダイオードには、逆回復電荷なし、純粋な容量性スイッチング、高い動作温度 (T j, max = 175°C) などの重要な主要機能が組み込まれています。その他の利点は、低いターンオフ損失、CoolMOS™ またはIGBT のターンオン損失の低減、および負荷電流、スイッチング速度、および温度に依存しないスイッチング損失です。

主な利点とアプリケーション

主な利点は、とりわけSi ダイオードと比較して、システム効率の向上、冷却要件の低減、より高い周波数/より高い電力密度の実現、より低い動作温度によるより高いシステム信頼性、およびEMI の低減です。

CoolSiC™ ショットキーダイオード、モーター制御およびドライブ、サーバー電源、テレコム電源、太陽光発電システム向けソリューション、オンラインUPS などのアプリケーションで使用できます。

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