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OptiMOS™ 6 200 V

200 Vアプリケーションの新しい業界標準を打ち立てる最新のパワーMOSFET技術

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概要

インフィニオンの最新の200 V対応MOSFET OptiMOS™ 6は、独自の新しいニードルトレンチ技術を採用しており、より高い電力密度、効率、堅牢性を実現しています。 最新のOptiMOS™ 3技術と比較すると、性能面で大きなメリットがあります。

主な機能

  • 前世代比でRDS(on)が42%低減
  • 前世代比でQrrが45%低減
  • 前世代比でQOSSが42%低減
  • 容量の直線性の向上
  • 動的電流分担の改善
  • 緻密なパラメータの広がり
  • J-STD-020に基づくMSL 1クラス

製品

概要

OptiMOS™ 6 200 V技術

新しいOptiMOS™ 6 200 Vは、インフィニオンの最先端ニードルトレンチMOSFET技術です。 この製品は、以下を提供することにより、高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに対応します。 

  • 前世代と比較して、RDS(on)を室温で42%、175°Cで最大53%低減
  • Qrr、Qossの低減、静電容量の直線性の向上により、スイッチング性能が向上。
  • 実際、EMIを損なうことなく、導通損失とスイッチング損失の両方を低減 
  • この技術は、保護スイッチアプリケーションにおけるMOSFETの電流処理を向上させるために改善されたSOAを特長とし、設計の最適化と生産精度により、信頼性が高く高性能な技術が並列化に理想的な選択肢となっています。
設計要件を満たす幅広いパッケージで利用可能

インフィニオンのOptiMOS™ 6 200 VパワーMOSFETは、お客様の設計要件を満たす幅広いパッケージオプションで提供されます。

  • TOLL
  • TO-220
  • D2PAK-3ピン
  • D2PAK-7ピン
  • SuperSO8
  • PQFN 3.3x3.3
OptiMOS™ 6 200 Vアプリケーション

OptiMOS™ 6 200 Vニードルトレンチテクノロジーは、電動スクーター、マイクロEV、電動フォークリフトなどのモーター制御アプリケーションでにおいて、最適な性能を発揮するように設計されています。 RDS(on)と温度ドリフトが改善されているため、同じ実装面積でより多くの電力を投入できます。これは、並列接続MOSFETの数を減らすのに理想的であるだけでなく、OptiMOS™ 3に比べVgs(th)のパラメーターのばらつきを25%低減し、相互コンダクタンスを低減することで、電流分配も改善されます。

さらに、OptiMOS™ 3と比較してQrrとQossが42% 低減されるため、新しいOptiMOS™ 6 200 Vはスイッチング動作が改善され、サーバー、テレコム、ソーラーなど、あらゆるタイプのSMPSアプリケーションに最適です。 デバイスのEMI動作が改善されたため、設計の手間が軽減されます。 

最後に大事なポイントとして、本デバイスは広いSOAと低いRDS(on)の組み合わせにより、BMSなどの静的スイッチアプリケーションに最適です。 

利点

OptiMOS™ 6 200 Vニードルトレンチ技術には、多くの利点があります。

  • 低い導通損失
  • 低スイッチング損失
  • EMIの改善による安定動作
  • 並列化の必要性を低減
  • 並列接続時の電流分配の改善
  • RoHS準拠、鉛フリー

OptiMOS™ 6 200 V技術

新しいOptiMOS™ 6 200 Vは、インフィニオンの最先端ニードルトレンチMOSFET技術です。 この製品は、以下を提供することにより、高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに対応します。 

  • 前世代と比較して、RDS(on)を室温で42%、175°Cで最大53%低減
  • Qrr、Qossの低減、静電容量の直線性の向上により、スイッチング性能が向上。
  • 実際、EMIを損なうことなく、導通損失とスイッチング損失の両方を低減 
  • この技術は、保護スイッチアプリケーションにおけるMOSFETの電流処理を向上させるために改善されたSOAを特長とし、設計の最適化と生産精度により、信頼性が高く高性能な技術が並列化に理想的な選択肢となっています。

設計要件を満たす幅広いパッケージで利用可能

インフィニオンのOptiMOS™ 6 200 VパワーMOSFETは、お客様の設計要件を満たす幅広いパッケージオプションで提供されます。

  • TOLL
  • TO-220
  • D2PAK-3ピン
  • D2PAK-7ピン
  • SuperSO8
  • PQFN 3.3x3.3

OptiMOS™ 6 200 Vアプリケーション

OptiMOS™ 6 200 Vニードルトレンチテクノロジーは、電動スクーター、マイクロEV、電動フォークリフトなどのモーター制御アプリケーションでにおいて、最適な性能を発揮するように設計されています。 RDS(on)と温度ドリフトが改善されているため、同じ実装面積でより多くの電力を投入できます。これは、並列接続MOSFETの数を減らすのに理想的であるだけでなく、OptiMOS™ 3に比べVgs(th)のパラメーターのばらつきを25%低減し、相互コンダクタンスを低減することで、電流分配も改善されます。

さらに、OptiMOS™ 3と比較してQrrとQossが42% 低減されるため、新しいOptiMOS™ 6 200 Vはスイッチング動作が改善され、サーバー、テレコム、ソーラーなど、あらゆるタイプのSMPSアプリケーションに最適です。 デバイスのEMI動作が改善されたため、設計の手間が軽減されます。 

最後に大事なポイントとして、本デバイスは広いSOAと低いRDS(on)の組み合わせにより、BMSなどの静的スイッチアプリケーションに最適です。 

利点

OptiMOS™ 6 200 Vニードルトレンチ技術には、多くの利点があります。

  • 低い導通損失
  • 低スイッチング損失
  • EMIの改善による安定動作
  • 並列化の必要性を低減
  • 並列接続時の電流分配の改善
  • RoHS準拠、鉛フリー

ドキュメント

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開発者コミュニティ

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