F-RAM (強誘電体RAM)

超低消費電力で、事実上無制限の耐久性を備えた高信頼性の強誘電体メモリ

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概要

インフィニオンの強誘電体RAMメモリ チップの利点は何ですか？ チップ

F-RAM (Ferroelectric Random Access Memory、またはFeRAM) は、電源が遮断された場合でも重要なデータを取得して保持する、スタンドアロンの不揮発性メモリです。各F-RAMチップは、高性能PLC、車載イベント データ レコーダー、患者モニタリング装置など、ミッションクリティカルなデータロギング用途に信頼性をもたらします。

低消費電力アーキテクチャと小型フットプリントで設計されたF-RAMメモリチップは、不揮発性と事実上無制限の耐久性を提供します。

  • データを即座に取得したいとお考えですか？遅延なくバス速度でデータを書き込み、電源が遮断された瞬間に重要な情報が確実に保持されるようにします。
  • 優れた長寿命のメモリソリューションが必要ですか？当社のF-RAMメモリチップは最大100兆回の読み出し/書き込みサイクルを提供し、数十年にわたる連続データロギングを可能にします。
  • 設計において消費電力の削減をお望みですか？インフィニオンのF-RAMメモリチップは、EEPROMより200倍少ないエネルギーで動作し、NORフラッシュより3,000倍少ないため、バッテリー駆動や省エネルギーが求められる用途に最適です。

仕様:

  • 密度: 4 Kb、16 Kb、64 Kb、128 Kb、256 Kb、512 Kb、1 Mb、2 Mb、4 Mb、8 Mb、16 Mb
  • インターフェース: I2C、SPI、QSPI、パラレル (X8、X16)
インフィニオンのF-RAMチップの詳細については、こちらをご覧ください

インフィニオンの強誘電体RAMメモリ チップの主な特長 チップ

インフィニオンの強誘電体RAMソリューションは、競合技術と一線を画す高度な特長をF-RAMメモリチップで提供します。

  • 書き込み遅延なし: 各F-RAMチップは、ソーク時間なしでバス速度でメモリセルにデータを書き込み、電源遮断時にも瞬時のデータ取得を実現します。
  • 卓越した耐久性: 強誘電体メモリ製品は、最大100兆回の読み出し/書き込みサイクルに対応し、フローティングゲート メモリより長寿命で、連続的なデータ ロギングを可能にします。
  • 超低消費電力: F-RAMは通常、EEPROMの1/200、NORフラッシュの1/3000の低消費エネルギーで動作するため、バッテリー駆動や省エネが求められるアプリケーションに最適です。
  • 放射線耐性: 従来のメモリとは異なり、F-RAMは放射線によるビット反転などのソフトエラーの影響を受けにくく、過酷な環境でもデータの完全性を確保します。

シリアルおよびパラレルF-RAMメモリソリューションの包括的なポートフォリオ

インフィニオンは、多様なアプリケーション要件に対応するため、シリアルおよびパラレルの強誘電体RAM不揮発性メモリの包括的な製品ポートフォリオを提供しています。当社の標準F-RAMチップは、4 Kb～4 Mbの密度で提供しており、産業、医療、民生アプリケーション向けに信頼性の高い強誘電体メモリを提供します。

EXCELON™は、インフィニオンの次世代F-RAMメモリ技術です。先進的なこれらのF-RAMメモリチップは、超低消費電力動作と高速QSPIインターフェース (最大108 MHz) 、瞬時の不揮発性、最大100兆回の読み出し/書き込みサイクル耐久性を組み合わせることで、業界で最も低消費電力の不揮発性メモリを実現します。EXCELON™は、携帯型医療機器、ウェアラブル デバイス、IoTセンサー、産業システム、自動車用途に最適なデータ ロギング ソリューションです。2 Mb～16 Mbの密度で提供しており、1.8 V～3.6 Vの広い電圧範囲に加えて、動作電圧範囲 1.71 V～1.89 Vに対応しています。

EXCELON™F-RAMについてさらに詳しく

不揮発性データ ストレージ向けの高信頼性F-RAMチップ技術

強誘電体RAMメモリは、優れた性能と信頼性を実現する高度な強誘電体技術に基づいています。各F-RAMチップには、チタン酸ジルコン酸鉛 (PZT) の薄い強誘電体膜が含まれています。PZT内の原子は電界にさらされると極性を変化させ、継続的な電力供給なしで状態を保持する、省電力なバイナリ スイッチを形成します。

PZTの最も重要な特性は電源遮断の影響を受けにくいことであり、これによりすべてのFeRAMチップは信頼性が高く、不揮発性になります。時間の経過とともに劣化するフローティングゲート技術とは異なり、強誘電体メモリは動作寿命全体にわたってデータの完全性を維持します。この独自のメモリ セル アーキテクチャにより、F-RAMは、書き込み速度の高速化、消費電力の低減、卓越した耐久性など、EEPROMやNORフラッシュといった競合メモリ技術との差別化につながる特長を備えています。

F-RAMテクノロジーの詳細については、こちらをご覧ください

強誘電体RAMとEEPROM、MRAM、NORフラッシュの比較

強誘電体RAMは業界で最も効率的な不揮発性メモリ技術であり、競合するEEPROMおよびMRAMソリューションよりも動作時電流を大幅に低減できます。この卓越したエネルギー効率により、F-RAMチップは、ウェアラブル デバイス、医療用インプラント、携帯型IoTセンサーなどのバッテリー駆動デバイスに適した選択肢です。

優れた消費電力に加え、すべてのFeRAMチップは外部磁場の影響を受けにくい特性も備えています。MRAMとは異なり、F-RAMメモリチップは強い磁場にさらされた後でも読み出し/書き込み操作を実行できます。

F-RAMは、最大100兆サイクルの事実上無制限の耐久性と瞬時の不揮発性により、複数のデータロギング用途でEEPROMやNORフラッシュなどの既存メモリを一貫して上回ります。速度、信頼性、低消費電力を兼ね備えた強誘電体メモリは、ミッションクリティカルなシステムに最適なソリューションです。

F-RAMを他のnvRAMと比較する

強誘電体RAMメモリ ソリューションは、どのような業界で活用されていますか？

インフィニオンのF-RAMチップは、幅広い要求の厳しい業界や用途で、信頼性の高い低消費電力のデータロギングを実現します。

  • 産業オートメーションで、信頼性の高いデータ収集が必要ですか？F-RAMメモリチップは、電源遮断時でも瞬時に不揮発性ストレージが必要なPLC、RAIDシステム、産業用コントローラーに最適です。
  • 自動車安全システムの設計をお考えですか？FeRAMチップは、極端な温度環境下で動作するイベント データ レコーダー (EDR) 、ADASモジュール、バッテリー管理システム向けに、堅牢なデータロギングを提供します。
  • データ整合性が求められる医療機器を開発していますか？強誘電体RAMは、患者モニタリング機器や携帯型診断機器向けに、信頼性の高いストレージを提供します。
  • IoT製品やウェアラブル製品を開発していますか？超低消費電力のF-RAMメモリチップは、スマートメーター、フィットネス トラッカー、ワイヤレス センサーなどのバッテリー寿命を延ばします。
  • 航空宇宙システムや防衛システムの開発に携わっていますか？F-RAMは放射線によって誘発されるソフトエラーに対する耐性を備えているため、ミッションクリティカルな環境に適しています。
製品パンフレットでF-RAMのアプリケーションをご覧ください。

インフィニオンの強誘電体RAMメモリ チップの利点は何ですか？ チップ

F-RAM (Ferroelectric Random Access Memory、またはFeRAM) は、電源が遮断された場合でも重要なデータを取得して保持する、スタンドアロンの不揮発性メモリです。各F-RAMチップは、高性能PLC、車載イベント データ レコーダー、患者モニタリング装置など、ミッションクリティカルなデータロギング用途に信頼性をもたらします。

低消費電力アーキテクチャと小型フットプリントで設計されたF-RAMメモリチップは、不揮発性と事実上無制限の耐久性を提供します。

  • データを即座に取得したいとお考えですか？遅延なくバス速度でデータを書き込み、電源が遮断された瞬間に重要な情報が確実に保持されるようにします。
  • 優れた長寿命のメモリソリューションが必要ですか？当社のF-RAMメモリチップは最大100兆回の読み出し/書き込みサイクルを提供し、数十年にわたる連続データロギングを可能にします。
  • 設計において消費電力の削減をお望みですか？インフィニオンのF-RAMメモリチップは、EEPROMより200倍少ないエネルギーで動作し、NORフラッシュより3,000倍少ないため、バッテリー駆動や省エネルギーが求められる用途に最適です。

仕様:

  • 密度: 4 Kb、16 Kb、64 Kb、128 Kb、256 Kb、512 Kb、1 Mb、2 Mb、4 Mb、8 Mb、16 Mb
  • インターフェース: I2C、SPI、QSPI、パラレル (X8、X16)
インフィニオンのF-RAMチップの詳細については、こちらをご覧ください

インフィニオンの強誘電体RAMメモリ チップの主な特長 チップ

インフィニオンの強誘電体RAMソリューションは、競合技術と一線を画す高度な特長をF-RAMメモリチップで提供します。

  • 書き込み遅延なし: 各F-RAMチップは、ソーク時間なしでバス速度でメモリセルにデータを書き込み、電源遮断時にも瞬時のデータ取得を実現します。
  • 卓越した耐久性: 強誘電体メモリ製品は、最大100兆回の読み出し/書き込みサイクルに対応し、フローティングゲート メモリより長寿命で、連続的なデータ ロギングを可能にします。
  • 超低消費電力: F-RAMは通常、EEPROMの1/200、NORフラッシュの1/3000の低消費エネルギーで動作するため、バッテリー駆動や省エネが求められるアプリケーションに最適です。
  • 放射線耐性: 従来のメモリとは異なり、F-RAMは放射線によるビット反転などのソフトエラーの影響を受けにくく、過酷な環境でもデータの完全性を確保します。

シリアルおよびパラレルF-RAMメモリソリューションの包括的なポートフォリオ

インフィニオンは、多様なアプリケーション要件に対応するため、シリアルおよびパラレルの強誘電体RAM不揮発性メモリの包括的な製品ポートフォリオを提供しています。当社の標準F-RAMチップは、4 Kb～4 Mbの密度で提供しており、産業、医療、民生アプリケーション向けに信頼性の高い強誘電体メモリを提供します。

EXCELON™は、インフィニオンの次世代F-RAMメモリ技術です。先進的なこれらのF-RAMメモリチップは、超低消費電力動作と高速QSPIインターフェース (最大108 MHz) 、瞬時の不揮発性、最大100兆回の読み出し/書き込みサイクル耐久性を組み合わせることで、業界で最も低消費電力の不揮発性メモリを実現します。EXCELON™は、携帯型医療機器、ウェアラブル デバイス、IoTセンサー、産業システム、自動車用途に最適なデータ ロギング ソリューションです。2 Mb～16 Mbの密度で提供しており、1.8 V～3.6 Vの広い電圧範囲に加えて、動作電圧範囲 1.71 V～1.89 Vに対応しています。

EXCELON™F-RAMについてさらに詳しく

不揮発性データ ストレージ向けの高信頼性F-RAMチップ技術

強誘電体RAMメモリは、優れた性能と信頼性を実現する高度な強誘電体技術に基づいています。各F-RAMチップには、チタン酸ジルコン酸鉛 (PZT) の薄い強誘電体膜が含まれています。PZT内の原子は電界にさらされると極性を変化させ、継続的な電力供給なしで状態を保持する、省電力なバイナリ スイッチを形成します。

PZTの最も重要な特性は電源遮断の影響を受けにくいことであり、これによりすべてのFeRAMチップは信頼性が高く、不揮発性になります。時間の経過とともに劣化するフローティングゲート技術とは異なり、強誘電体メモリは動作寿命全体にわたってデータの完全性を維持します。この独自のメモリ セル アーキテクチャにより、F-RAMは、書き込み速度の高速化、消費電力の低減、卓越した耐久性など、EEPROMやNORフラッシュといった競合メモリ技術との差別化につながる特長を備えています。

F-RAMテクノロジーの詳細については、こちらをご覧ください

強誘電体RAMとEEPROM、MRAM、NORフラッシュの比較

強誘電体RAMは業界で最も効率的な不揮発性メモリ技術であり、競合するEEPROMおよびMRAMソリューションよりも動作時電流を大幅に低減できます。この卓越したエネルギー効率により、F-RAMチップは、ウェアラブル デバイス、医療用インプラント、携帯型IoTセンサーなどのバッテリー駆動デバイスに適した選択肢です。

優れた消費電力に加え、すべてのFeRAMチップは外部磁場の影響を受けにくい特性も備えています。MRAMとは異なり、F-RAMメモリチップは強い磁場にさらされた後でも読み出し/書き込み操作を実行できます。

F-RAMは、最大100兆サイクルの事実上無制限の耐久性と瞬時の不揮発性により、複数のデータロギング用途でEEPROMやNORフラッシュなどの既存メモリを一貫して上回ります。速度、信頼性、低消費電力を兼ね備えた強誘電体メモリは、ミッションクリティカルなシステムに最適なソリューションです。

F-RAMを他のnvRAMと比較する

強誘電体RAMメモリ ソリューションは、どのような業界で活用されていますか？

インフィニオンのF-RAMチップは、幅広い要求の厳しい業界や用途で、信頼性の高い低消費電力のデータロギングを実現します。

  • 産業オートメーションで、信頼性の高いデータ収集が必要ですか？F-RAMメモリチップは、電源遮断時でも瞬時に不揮発性ストレージが必要なPLC、RAIDシステム、産業用コントローラーに最適です。
  • 自動車安全システムの設計をお考えですか？FeRAMチップは、極端な温度環境下で動作するイベント データ レコーダー (EDR) 、ADASモジュール、バッテリー管理システム向けに、堅牢なデータロギングを提供します。
  • データ整合性が求められる医療機器を開発していますか？強誘電体RAMは、患者モニタリング機器や携帯型診断機器向けに、信頼性の高いストレージを提供します。
  • IoT製品やウェアラブル製品を開発していますか？超低消費電力のF-RAMメモリチップは、スマートメーター、フィットネス トラッカー、ワイヤレス センサーなどのバッテリー寿命を延ばします。
  • 航空宇宙システムや防衛システムの開発に携わっていますか？F-RAMは放射線によって誘発されるソフトエラーに対する耐性を備えているため、ミッションクリティカルな環境に適しています。
製品パンフレットでF-RAMのアプリケーションをご覧ください。
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