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車載用IGBTベアダイ

自動車の電動化の未来に革命を起こす - インフィニオンの最先端Si IGBT技術の力を解き放つ

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概要

次世代の革新技術：750 Vおよび1200 Vの電圧クラスを持つEDT3およびRC-IGBTデバイスが、低コストかつ高性能車両向けのメインインバーター用途において、前例のない出力電流を提供します。

主な機能

  • ジャンクション温度最大185°C;C
  • 高速スイッチング速度
  • 非常に低いVCEsat
  • 非常に低いスイッチング損失

製品

概要

車載システムの性能と信頼性を解き放つ

当社の車載用Siベアダイは、優れた高電圧および高電流伝送能力、効率的なスイッチング性能、堅牢性、信頼性、熱最適化への揺るぎない注力により、車載アプリケーションにおいて比類のない性能、信頼性、柔軟性を実現します。

幅広いアプリケーションに対応する高い設計基準

当社のSi IGBTおよびダイオードソリューションは、特定のアプリケーション要件に合わせたカスタムパワーモジュールを設計および製造する柔軟性を提供し、自動車の状況を変革し、性能、効率、信頼性を新たな高みに引き上げる準備ができています。

インフィニオンの電動ドライブトレイン用第3世代チップ技術

電動ドライブトレイン向けのインフィニオンの第2世代チップテクノロジーは、ベンチマークとなる750V耐圧のIGBTテクノロジーであり、自動車用ドライブトレインアプリケーションにおいてエネルギー効率を大幅に向上させます。この技術は、最大470VのDCリンク電圧をサポートし、前任者と比較してスイッチング損失と導通損失がさらに低くなっています。卓越した品質のみならず、EDT2テクノロジーは非常にばらつきの小さいパラメータ分布と正の温度係数を有した飽和電圧を持ち合わせます。これにより並列駆動が容易になり、システムの柔軟性とパワーのスケーラビリティが最終設計において向上します。

セル構造の高度な最適化により、高勾配でのスイッチングをさらに高速化できます。さらに、堅牢な設計により、ラッチアップが回避され、短絡保護が強化されています。

IGBTベアダイ技術の詳細

車載システムの性能と信頼性を解き放つ

当社の車載用Siベアダイは、優れた高電圧および高電流伝送能力、効率的なスイッチング性能、堅牢性、信頼性、熱最適化への揺るぎない注力により、車載アプリケーションにおいて比類のない性能、信頼性、柔軟性を実現します。

幅広いアプリケーションに対応する高い設計基準

当社のSi IGBTおよびダイオードソリューションは、特定のアプリケーション要件に合わせたカスタムパワーモジュールを設計および製造する柔軟性を提供し、自動車の状況を変革し、性能、効率、信頼性を新たな高みに引き上げる準備ができています。

インフィニオンの電動ドライブトレイン用第3世代チップ技術

電動ドライブトレイン向けのインフィニオンの第2世代チップテクノロジーは、ベンチマークとなる750V耐圧のIGBTテクノロジーであり、自動車用ドライブトレインアプリケーションにおいてエネルギー効率を大幅に向上させます。この技術は、最大470VのDCリンク電圧をサポートし、前任者と比較してスイッチング損失と導通損失がさらに低くなっています。卓越した品質のみならず、EDT2テクノロジーは非常にばらつきの小さいパラメータ分布と正の温度係数を有した飽和電圧を持ち合わせます。これにより並列駆動が容易になり、システムの柔軟性とパワーのスケーラビリティが最終設計において向上します。

セル構造の高度な最適化により、高勾配でのスイッチングをさらに高速化できます。さらに、堅牢な設計により、ラッチアップが回避され、短絡保護が強化されています。

IGBTベアダイ技術の詳細

ドキュメント

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デザイン リソース

開発者コミュニティ

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