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OptiMOS™ 7 Switching Optimized: スイッチング最適化シリーズ

お客様のニーズに合わせたカスタマイズ: 新しいOptiMOS™ 7スイッチングは、ハード スイッチングおよびソフト スイッチング アプリケーション向けに最適化されたパワーMOSFETです 

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概要

インフィニオンのOptiMOS™ 7テクノロジーは、これまでにないレベルのアプリケーション最適化を実現し、データセンター、AI、テレコムにおける高い性能を実現します。このポートフォリオには、ハード スイッチングおよびソフト スイッチング トポロジに最適化された製品があります。このアプローチにより、特定のすべてのトポロジーで性能を最大化し、電力損失を軽減し、全体的な効率と電力密度を向上させることができます。

主な機能

  • 特定用途最適化
  • ハードスイッチングおよびソフトスイッチング最適化MOSFET
  • ハードスイッチング: ミラー比、FOM、RDS(on)10
  • ソフトスイッチング: RDS(on)45、FOMg
  • +175°C ジャンクション温度定格
  • ソースダウンパッケージ バリエーション
  • センターゲート フットプリントが利用可能
  • 両面放熱およびオーバーモールド パッケージ

Products

概要

主な機能と利点

ハードスイッチングおよびソフトスイッチングトポロジのアプリケーション固有の最適化:

  • 優れたミラー比、優れたRDS(on)10、FOMQG10によるハードスイッチング最適化
  • 超低RDS(on)45と改良されたFOMQG45によるソフトスイッチングの最適化
  • ソースダウンパッケージと最大+175°Cのジャンクション温度定格による優れた熱性能

ハードスイッチングの最適化

ミラー比、優れたRDS(on)10 、FOMQG10に焦点を当てたハードスイッチング最適化:

  • 優れたミラー比Qgd/Qgsにより 、高度な誘導ターンオン耐性と高速上昇電圧過渡現象に対する耐性、dVDS/dt、スイッチング損失の低減、堅牢性の向上を実現
  • 最適化されたFOMQoss とFOMQg10 は、RDS(on)10 の改善とバランスが取れており、ドライバーの損失を低減
  • ±16Vの拡張ゲート電圧定格により、ゲート電圧のオーバードライブが可能になり、ゲート容量の急速充電と放電が可能

ソフトスイッチングの最適化

超低RDS(on)45 と改良されたFOMQG45によるソフトスイッチングの最適化:

  • 超低RDS(on)45 により、導通損失が低減され、出力電力定格が向上
  • スレッショルド電圧の低減により、駆動電圧を低くすることでゲート駆動を容易にし、高効率化を実現
アプリケーションノートを入手する:OptiMOS™ 7 25 Vの最適化

利用可能なパッケージ

OptiMOS™ 7スイッチング最適化パワーMOSFETは、電圧クラスに応じて以下のパッケージで提供されます。

  • PQFN 3.3x3.3ソースダウンセンターゲート
  • PQFN 3.3x3.3ソースダウンセンターゲートデュアルサイド冷却
  • PQFNの2.0x2.0

主な機能と利点

ハードスイッチングおよびソフトスイッチングトポロジのアプリケーション固有の最適化:

  • 優れたミラー比、優れたRDS(on)10、FOMQG10によるハードスイッチング最適化
  • 超低RDS(on)45と改良されたFOMQG45によるソフトスイッチングの最適化
  • ソースダウンパッケージと最大+175°Cのジャンクション温度定格による優れた熱性能

ハードスイッチングの最適化

ミラー比、優れたRDS(on)10 、FOMQG10に焦点を当てたハードスイッチング最適化:

  • 優れたミラー比Qgd/Qgsにより 、高度な誘導ターンオン耐性と高速上昇電圧過渡現象に対する耐性、dVDS/dt、スイッチング損失の低減、堅牢性の向上を実現
  • 最適化されたFOMQoss とFOMQg10 は、RDS(on)10 の改善とバランスが取れており、ドライバーの損失を低減
  • ±16Vの拡張ゲート電圧定格により、ゲート電圧のオーバードライブが可能になり、ゲート容量の急速充電と放電が可能

ソフトスイッチングの最適化

超低RDS(on)45 と改良されたFOMQG45によるソフトスイッチングの最適化:

  • 超低RDS(on)45 により、導通損失が低減され、出力電力定格が向上
  • スレッショルド電圧の低減により、駆動電圧を低くすることでゲート駆動を容易にし、高効率化を実現
アプリケーションノートを入手する:OptiMOS™ 7 25 Vの最適化

利用可能なパッケージ

OptiMOS™ 7スイッチング最適化パワーMOSFETは、電圧クラスに応じて以下のパッケージで提供されます。

  • PQFN 3.3x3.3ソースダウンセンターゲート
  • PQFN 3.3x3.3ソースダウンセンターゲートデュアルサイド冷却
  • PQFNの2.0x2.0

ドキュメント

ドキュメント

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