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車載用 IGBT ディスクリート

幅広い車載アプリケーションに適用可能な車載グレードの製品ポートフォリオ

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概要

ハイブリッド車および電気自動車向けに、インフィニオンはAEC-Q101に準拠した車載用IGBTを幅広く提供しています。インフィニオンのポートフォリオには耐圧600 V〜1200 V、最大定格電流200 A、幅広いスイッチング周波数に対応可能な製品があります。

主な機能

  • ベンチマークとなる性能と効率
  • 高電力密度
  • 高信頼性
  • 簡単な組み立て
  • 費用対効果の高いデバイス
  • スケーラビリティを実現
  • プラットフォームアプローチを実現

製品

概要

電動ドライブトレイン向けのインフィニオンの第2世代チップテクノロジー

インフィニオンの電気ドライブトレイン用第2世代チップ技術は、車載用ドライブトレインアプリケーションのエネルギー効率を大幅に向上させるベンチマークとなる750V IGBT技術です。この技術は、最大 470V の DC リンク電圧をサポートし、スイッチング損失と導通損失が非常に低くなっています。インフィニオンの卓越した品質と相まって、EDT2テクノロジーは、非常にタイトなパラメータ分布と正の熱係数を備えています。これにより、並列化操作が容易になり、システムの柔軟性と最終設計への電力スケーラビリティが提供されます。

EDT2を搭載した製品は、従来のIGBT3と比較したとき、より高い耐圧と20% 低い飽和電圧の両方を特長としています。セル構造の最適化により、高速なスイッチングが可能になります。さらに、堅牢な設計により、ラッチアップを回避し、十分な短絡耐量を実現します。

インフィニオンの TRENCHSTOP™ 5 AUTOテクノロジー

インフィニオンのTRENCHSTOP™ 5 Auto IGBT技術は、ハードスイッチングアプリケーションの効率において比類のない性能を提供することで、「クラス最高」のIGBTを再定義します。これは、明日の市場の最高効率要求に対応するためのIGBTの世界における革命であり、最高の効率、より低いシステムコスト、および信頼性の向上が必要な場合、TRENCHSTOP™ 5が唯一の選択肢であることを意味します。これにより、スイッチング損失と導通損失が大幅に減少します。

インフィニオンのTRENCHSTOP™ 60TAテクノロジー

IGBTとソフトリカバリエミッタ制御ダイオードの組み合わせにより、ターンオン損失をさらに抑制することができます。スイッチング損失と導通損失の間の最良のバランスにより、最高の効率に到達します。

RC-drives IGBT テクノロジー

RC-drives IGBT テクノロジーは、モノリシックに集積されたダイオードにより総チップ面積の縮小を実現し、コストを最適化するソリューションとしてインフィニオンによって開発されました。 さらにこの技術は、175 °C の最大ジャンクション温度下においても、スムーズなスイッチング動作と低EMI レベルを実現する優れた性能を提供します。

電動ドライブトレイン向けのインフィニオンの第2世代チップテクノロジー

インフィニオンの電気ドライブトレイン用第2世代チップ技術は、車載用ドライブトレインアプリケーションのエネルギー効率を大幅に向上させるベンチマークとなる750V IGBT技術です。この技術は、最大 470V の DC リンク電圧をサポートし、スイッチング損失と導通損失が非常に低くなっています。インフィニオンの卓越した品質と相まって、EDT2テクノロジーは、非常にタイトなパラメータ分布と正の熱係数を備えています。これにより、並列化操作が容易になり、システムの柔軟性と最終設計への電力スケーラビリティが提供されます。

EDT2を搭載した製品は、従来のIGBT3と比較したとき、より高い耐圧と20% 低い飽和電圧の両方を特長としています。セル構造の最適化により、高速なスイッチングが可能になります。さらに、堅牢な設計により、ラッチアップを回避し、十分な短絡耐量を実現します。

インフィニオンの TRENCHSTOP™ 5 AUTOテクノロジー

インフィニオンのTRENCHSTOP™ 5 Auto IGBT技術は、ハードスイッチングアプリケーションの効率において比類のない性能を提供することで、「クラス最高」のIGBTを再定義します。これは、明日の市場の最高効率要求に対応するためのIGBTの世界における革命であり、最高の効率、より低いシステムコスト、および信頼性の向上が必要な場合、TRENCHSTOP™ 5が唯一の選択肢であることを意味します。これにより、スイッチング損失と導通損失が大幅に減少します。

インフィニオンのTRENCHSTOP™ 60TAテクノロジー

IGBTとソフトリカバリエミッタ制御ダイオードの組み合わせにより、ターンオン損失をさらに抑制することができます。スイッチング損失と導通損失の間の最良のバランスにより、最高の効率に到達します。

RC-drives IGBT テクノロジー

RC-drives IGBT テクノロジーは、モノリシックに集積されたダイオードにより総チップ面積の縮小を実現し、コストを最適化するソリューションとしてインフィニオンによって開発されました。 さらにこの技術は、175 °C の最大ジャンクション温度下においても、スムーズなスイッチング動作と低EMI レベルを実現する優れた性能を提供します。

ドキュメント

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デザイン リソース

開発者コミュニティ

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