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産業用および民生用アプリケーション向けのパワーMOSFETベアダイ製品

OptiMOS™およびStrongIRFET™低電圧および中電圧パワーMOSFETベアダイ

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概要

インフィニオンのOptiMOS™およびStrongIRFET™ 25V〜250VパワーMOSFETベアダイファミリーは、低スイッチング周波数から高スイッチング周波数アプリケーションまでの幅広い用途に対応します。 潜在的なアプリケーションには、モーター制御、AC-DC SMPSの同期整流、絶縁型DC-DCコンバーター、48VシステムのOR-ingスイッチおよび回路ブレーカーが含まれます。

主な機能

  • 非常に低いオン抵抗 RDS(on)
  • 高速スイッチング機能
  • 優れた性能
  • 幅広い製品ラインナップ

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概要

OptiMOS™ベアダイは、非常に低いオン抵抗(RDS(on))と最速のスイッチング動作を兼ね備えており、幅広い産業用および民生用アプリケーションに優れた性能を提供します。 StrongIRFET™ベアダイは、低RDS(on)および高電流能力に最適化されており、性能と堅牢性を必要とする低周波アプリケーションに最適です。

ベアダイの特長と利点:

  • ダイボンドに適しています: はんだ付けまたは接着
  • 裏面メタライゼーション: NiAgシステム
  • フロントサイドメタライゼーション: AICuシステム
  • パッシベーション: イミド(エッジ構造のみ)

ダイアセンブリプロセスを設定するためのガイダンスをお探しの場合は、アプリケーションノート「AN-1061 Bare Die: Die Attach and Wire Bonding」をご覧ください。

StrongIRFET™およびOptiMOS™パワーMOSFETベアダイ製品の詳細については、インフィニオンサービスセンターまたは販売代理店にお問い合わせください。

OptiMOS™ベアダイは、非常に低いオン抵抗(RDS(on))と最速のスイッチング動作を兼ね備えており、幅広い産業用および民生用アプリケーションに優れた性能を提供します。 StrongIRFET™ベアダイは、低RDS(on)および高電流能力に最適化されており、性能と堅牢性を必要とする低周波アプリケーションに最適です。

ベアダイの特長と利点:

  • ダイボンドに適しています: はんだ付けまたは接着
  • 裏面メタライゼーション: NiAgシステム
  • フロントサイドメタライゼーション: AICuシステム
  • パッシベーション: イミド(エッジ構造のみ)

ダイアセンブリプロセスを設定するためのガイダンスをお探しの場合は、アプリケーションノート「AN-1061 Bare Die: Die Attach and Wire Bonding」をご覧ください。

StrongIRFET™およびOptiMOS™パワーMOSFETベアダイ製品の詳細については、インフィニオンサービスセンターまたは販売代理店にお問い合わせください。

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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