最大200VのGaN HEMT用ゲートドライバIC

最大200VのGaN HEMT用の推奨EiceDRIVER™ゲートドライバーIC

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概要

ワイドバンドギャップ半導体は、より高い電界強度を可能にするため、シリコンの代替品と比較してトランジスタが大幅に小さくなります。 その結果、GaN高電子移動度トランジスタ (HEMT) は、効率を損なうことなく高いスイッチング周波数で動作できます。 多くのエンハンスメントモードGaN HEMT は、ショットキータイプのゲートを使用して、標準的な絶縁MOSFET ゲートをエミュレートします。

主な機能

  • 高速なターンオン／ターンオフのスルーレート
  • 低インダクタンス パッケージ
  • 高dV/dt条件下での高CMR
  • アクティブ ミラー クランプ
  • 必要に応じて誘発されるターンオンイミュニティ
  • ブートストラップ電圧を安定化

製品

概要

CoolGaN™ SG HEMT の主な特長

GaNショットキーゲート(SG)HEMTは、必要な駆動電圧 (通常5V) と互換性のある任意のゲートドライバで駆動できます。

ただし、スイッチから最高レベルの性能を引き出すのに重要となる機能には、次のようなものがあります。

  • ソースおよびシンクの駆動電流における高速ターンオンおよびターンオフスルーレート、および低いプルアップおよびプルダウン抵抗
  • 最適化されたGaN PCBレイアウトと互換性のあるフットプリントとピン配置を備えた低インダクタンスパッケージ
  • 高dV/dtでの堅牢なコモンモード電圧除去により、最速のスイッチングと最小のスイッチング損失をサポート
  • 高dV/dt時の誘導ターンオンを軽減する機能(アクティブミラークランプや負のオフ状態駆動電圧など)
  • 伝搬遅延の許容誤差が厳しく、デッドタイムを短縮
EiceDRIVER™ GaN SG HEMT 用ゲートドライバー製品ポートフォリオ

1EDN71x6Gxは、インフィニオンのCoolGaN™ ショットキーゲート (SG) HEMT の制御のみでなく、その他の GaN SG HEMT およびSi MOSFET 向けに最適化されたシングルチャネルゲート ドライバIC 製品ファミリーです。

このゲートドライバは、真の差動入力 (TDI)、4つの駆動強度オプション、アクティブ ミラー クランプ、ブートストラップ電圧クランプ、PG-SON-10 およびPG-TSNP-7パッケージの調整可能なチャージポンプの有無など、高速スイッチング トランジスタによる高性能システム設計を可能にするいくつかの主要機能を備えています。

EiceDRIVER™ 1EDN71x6x ファミリーの詳細をご覧ください
CoolGaN™ SG HEMT ターゲットアプリケーション

高効率と高電力密度は、最先端のGaN HEMT によって可能になる最新のパワーエレクトロニクスシステムにとって重要な要件です。適切なゲートドライバーIC は、設計者がGaN ベースのシステムで最高の性能を達成すると同時に、研究開発の労力と関連コストを最小限に抑えるのに役立ちます。

CoolGaN™ SG HEMT の主な特長

GaNショットキーゲート(SG)HEMTは、必要な駆動電圧 (通常5V) と互換性のある任意のゲートドライバで駆動できます。

ただし、スイッチから最高レベルの性能を引き出すのに重要となる機能には、次のようなものがあります。

  • ソースおよびシンクの駆動電流における高速ターンオンおよびターンオフスルーレート、および低いプルアップおよびプルダウン抵抗
  • 最適化されたGaN PCBレイアウトと互換性のあるフットプリントとピン配置を備えた低インダクタンスパッケージ
  • 高dV/dtでの堅牢なコモンモード電圧除去により、最速のスイッチングと最小のスイッチング損失をサポート
  • 高dV/dt時の誘導ターンオンを軽減する機能(アクティブミラークランプや負のオフ状態駆動電圧など)
  • 伝搬遅延の許容誤差が厳しく、デッドタイムを短縮

EiceDRIVER™ GaN SG HEMT 用ゲートドライバー製品ポートフォリオ

1EDN71x6Gxは、インフィニオンのCoolGaN™ ショットキーゲート (SG) HEMT の制御のみでなく、その他の GaN SG HEMT およびSi MOSFET 向けに最適化されたシングルチャネルゲート ドライバIC 製品ファミリーです。

このゲートドライバは、真の差動入力 (TDI)、4つの駆動強度オプション、アクティブ ミラー クランプ、ブートストラップ電圧クランプ、PG-SON-10 およびPG-TSNP-7パッケージの調整可能なチャージポンプの有無など、高速スイッチング トランジスタによる高性能システム設計を可能にするいくつかの主要機能を備えています。

EiceDRIVER™ 1EDN71x6x ファミリーの詳細をご覧ください

CoolGaN™ SG HEMT ターゲットアプリケーション

高効率と高電力密度は、最先端のGaN HEMT によって可能になる最新のパワーエレクトロニクスシステムにとって重要な要件です。適切なゲートドライバーIC は、設計者がGaN ベースのシステムで最高の性能を達成すると同時に、研究開発の労力と関連コストを最小限に抑えるのに役立ちます。

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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