CIPOS™ Maxi IPM

1200 VのIPMクラスで最小パッケージでありながら、高い電力密度と最高の性能を提供

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概要

CIPOS™ Maxiインテリジェント パワー モジュールは、パワーおよび制御コンポーネントを統合して、信頼性を高め、PCBサイズとシステムコストを最適化します。可変速ドライブ用途で、3相ACモーターおよび永久磁石モーターを制御するように設計されています。この製品コンセプトは、優れた熱性能と電気的絶縁を必要とし、EMI要件への適合と過負荷保護も求められるパワー用途に特に適しています。

主な特長

  • クロスコンダクション防止
  • 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT4
  • CoolSiC™ MOSFET
  • ブートストラップ機能を内蔵
  • 1200 V SOIゲートドライバ技術

製品

概要

IGBT4およびIGBT7技術で、5 A、10 A、15 A、20 A / 1200 Vを用意し、最大4 kWの電力定格に対応します。IGBT7はIGBT4に比べてスイッチング性能が向上し、損失も低減されるため、高周波およびエネルギー効率を重視した設計に最適です。

2020年に発売されたIM828は、CoolSiC™ MOSFET G1技術を用いたCIPOS™ Maxiパッケージで初の1200 V SiC IPMを導入し、同じコンパクトなフットプリントで4.8 kW以上を達成しました。最新のCoolSiC™ MOSFET G2のバリエーションでは、電力定格がさらに拡張され、最大15 kWに達します。

車載用CoolSiC™ MOSFET CIPOS™ Maxiのバリエーションは、AEC-Q100、AEC-Q101、AQG324を含む自動車認定要件一式を満たしています。

IGBT4およびIGBT7技術で、5 A、10 A、15 A、20 A / 1200 Vを用意し、最大4 kWの電力定格に対応します。IGBT7はIGBT4に比べてスイッチング性能が向上し、損失も低減されるため、高周波およびエネルギー効率を重視した設計に最適です。

2020年に発売されたIM828は、CoolSiC™ MOSFET G1技術を用いたCIPOS™ Maxiパッケージで初の1200 V SiC IPMを導入し、同じコンパクトなフットプリントで4.8 kW以上を達成しました。最新のCoolSiC™ MOSFET G2のバリエーションでは、電力定格がさらに拡張され、最大15 kWに達します。

車載用CoolSiC™ MOSFET CIPOS™ Maxiのバリエーションは、AEC-Q100、AEC-Q101、AQG324を含む自動車認定要件一式を満たしています。

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ