400 V / 440 VシリコンカーバイドMOSFET

400 V / 440 V CoolSiC™ MOSFET、オン抵抗定格は11mΩから最大45mΩ

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概要

インフィニオンの400 V / 440 V CoolSiC™シリコンカーバイドMOSFETディスクリートは、AIサーバー電源、産業用および医療用電源装置、オーディオ、ソーラーなどのアプリケーション向けに特化して開発され、650 VディスクリートMOSFETに代わるコストパフォーマンスを実現しています。最高の価格性能比が必要な2レベルおよび3レベルトポロジーで最大600 VDC_LINK電圧の電力変換用です。

主な機能

  • 最大400 V / 440 VのV(BR)DSS
  • オン抵抗: 11 mΩ〜45 mΩ
  • TOLL, TOLTおよびD²PAK-7 SMD パッケージ
  • TO247およびTO247 4ピンTHDパッケージ
  • 低RDS(on) 温度係数
  • 低 Qgd、Qoss、Qfr、Eoss
  • 高いスルーレート制御とCoss直線性
  • ユニポーラゲートの駆動が容易
  • ゲート閾値電圧VGS(th) = 4.5 V
  • 100%アバランシェ耐量出荷テスト対応

製品

概要

ディスクリートCoolSiC™ MOSFET

CoolSiC™ MOSFETディスクリートは、パワー エレクトロニクス用途で優れた効率と信頼性を実現するよう特別に設計されています。これらのデバイスは400 V～2000 Vで提供され、オン抵抗は7 mΩ～1000 mΩ です。これらは、力率補正回路、DC-DCコンバーター、DC-ACインバーターなどのハードスイッチングおよび共振スイッチング トポロジー向けに最適化されています。内蔵の高速フリーホイール ダイオードにより、追加のダイオード チップなしでハードスイッチングが可能になり、回路設計が簡素化されます。インフィニオンのCoolSiC™ MOSFETディスクリートは、システムの複雑さを低減し、電力密度を高め、最高効率により冷却の負担を軽減します。

ディスクリート パッケージのCoolSiC MOSFETの詳細
400 V CoolSiC™ MOSFET

最高の価格性能比が求められる2レベルおよび3レベル トポロジーにおいて、最大600 VDC_LINK電圧までの電力変換向けです。

ディスクリートCoolSiC™ MOSFET

CoolSiC™ MOSFETディスクリートは、パワー エレクトロニクス用途で優れた効率と信頼性を実現するよう特別に設計されています。これらのデバイスは400 V～2000 Vで提供され、オン抵抗は7 mΩ～1000 mΩ です。これらは、力率補正回路、DC-DCコンバーター、DC-ACインバーターなどのハードスイッチングおよび共振スイッチング トポロジー向けに最適化されています。内蔵の高速フリーホイール ダイオードにより、追加のダイオード チップなしでハードスイッチングが可能になり、回路設計が簡素化されます。インフィニオンのCoolSiC™ MOSFETディスクリートは、システムの複雑さを低減し、電力密度を高め、最高効率により冷却の負担を軽減します。

ディスクリート パッケージのCoolSiC MOSFETの詳細

400 V CoolSiC™ MOSFET

最高の価格性能比が求められる2レベルおよび3レベル トポロジーにおいて、最大600 VDC_LINK電圧までの電力変換向けです。

ドキュメント

ドキュメント

設計リソース

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