mTOLG (8x8)

8x8のフットプリントの堅牢な電源パッケージは、さまざまなアプリケーションに適しています。

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概要

mTOLGパッケージファミリーは、インフィニオンの最先端のOptiMOS™ 5 Linear FET 2テクノロジーにより、幅広いSOAと最先端のRDS(on)性能のクラス最高の組み合わせを提供します。これはJEDECリストパッケージであり、他の8x8 mm2ガルウィングパッケージMOSFETと互換性があります。例えばLFPAK88タイプです。

主な特長

  • 広い安全動作領域 (SOA)
  • 超低オン抵抗
  • 低漏れ電流
  • 最適化された転送特性
  • 8 mm x 8 mmのフットプリント

製品

概要

インフィニオンのOptiMOS™リニアFETとOptiMOS™ 5 Linear FET 2では、エンハンスドモードMOSFETの飽和領域におけるオン抵抗(RDS(on))とリニアモード動作との間にトレードオフはありません。この革新的なアプローチは、トレンチMOSFETの最先端のRDS(on)と、従来の平面MOSFETの広い安全動作領域(SOA)を提供します。このファミリは、導通損失が低く、突入電流が大きいため、負荷での損傷を防ぎ、起動を高速化し、ダウンタイムを短縮します。

mTOLGパッケージは、アプリケーションに次の利点を提供します。

- 温度サイクル結果の向上

- 金属基板PCBに推奨

- 導通損失の最小化

- 優れたスイッチング性能

- 高電力密度

- 8x8mm2のフットプリントに対応

OptiMOS™ 5 Linear FET 2は、電動工具、電動自転車、電動スクーター、フォークリフト、バッテリーバックユニット、バッテリー駆動車両など、幅広いアプリケーションで一般的に見られるサーバーおよびAIサーバーのホットスワップ、テレコムの電子ヒューズ、またはバッテリー管理システム(BMS)のバッテリー保護コンポーネントなどの保護機能に最適なデバイスです。

インフィニオンのOptiMOS™リニアFETとOptiMOS™ 5 Linear FET 2では、エンハンスドモードMOSFETの飽和領域におけるオン抵抗(RDS(on))とリニアモード動作との間にトレードオフはありません。この革新的なアプローチは、トレンチMOSFETの最先端のRDS(on)と、従来の平面MOSFETの広い安全動作領域(SOA)を提供します。このファミリは、導通損失が低く、突入電流が大きいため、負荷での損傷を防ぎ、起動を高速化し、ダウンタイムを短縮します。

mTOLGパッケージは、アプリケーションに次の利点を提供します。

- 温度サイクル結果の向上

- 金属基板PCBに推奨

- 導通損失の最小化

- 優れたスイッチング性能

- 高電力密度

- 8x8mm2のフットプリントに対応

OptiMOS™ 5 Linear FET 2は、電動工具、電動自転車、電動スクーター、フォークリフト、バッテリーバックユニット、バッテリー駆動車両など、幅広いアプリケーションで一般的に見られるサーバーおよびAIサーバーのホットスワップ、テレコムの電子ヒューズ、またはバッテリー管理システム(BMS)のバッテリー保護コンポーネントなどの保護機能に最適なデバイスです。

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デザイン リソース