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ソースダウンPQFNパッケージ

OptiMOS™ソースダウンMOSFETファミリーは、業界をリードするRDS(on)と優れた熱性能を改良されたPQFNパッケージに搭載

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概要

インフィニオンのOptiMOS™ MOSFETテクノロジーは、ソースダウン テクノロジーを採用した革新的で改良されたPQFNパッケージを使用しています。 シリコンチップを反転させると、ソース電位はサーマルパッドを介してPCBに接続されます。 これらは、底面放熱 (BSC) と両面放熱 (DSC) のバリエーション、およびPQFN 3.3 mm x 3.3 mm、PQFN 5 mm x 6 mmのサイズで入手可能です。 OptiMOS™ MOSFETの特長、利点、アプリケーションの詳細をご覧ください。

主な機能

  • 低RDS(on)小型パッケージ
  • 低ゲート電荷
  • スイッチング損失
  • 標準およびロジックレベルゲートドライブ

製品

概要

標準およびセンターゲート フットプリント オプションを提供しています。

インフィニオンは、2つのソースダウンフットプリントバージョンを提供しています。

  • インフィニオンは、2つのソースダウン構造のフットプリントバージョンを提供しています。
    • ソースダウン標準ゲート: 現在のPQFN 3.3 mm x 3.3 mm/PQFN 5 mm x 6 mmのピン配置構成に基づいており、このパッケージは、ドレインダウン パッケージを新しいソースダウン パッケージに簡単に置き換えることができます。
  • • ソースダウン センターゲート: ゲート ピンを中央に移動させ、複数のMOSFETの並列構成を容易にします。 ドレインからソース間の沿面距離が0.75mmと長いため、複数のデバイスのゲートを1つのPCB層に接続することができます。 また、ゲート接続を中央に移動すると、ソース領域が広くなり、デバイスの電気的接続が改善されます。

ソースダウンPQFNパッケージの両面冷却技術の詳細をご覧ください。

デュアル冷却パッケージによるサーマル マネージメントの最適化

ソースダウン パッケージでは、シリコン ダイのソース側にあるアクティブ レンチが熱を発生し、熱はサーマル パッドを通じてPCBに直接放散されます。これにより、製品ファミリのRthJCは1.8 K/Wから1.4 K/Wへと20%以上向上します。また、上面の露出により、上面のRthJCが20K/W(オーバーモールド時)から0.7K/Wに向上しました。デバイス上部のヒートシンクは、この低いRthJCトップを利用できるため、オーバーモールドパッケージと比較して最大3倍の消費電力を実現できます。

幅広いMOSFETのポートフォリオから、お客様のニーズに最適なパッケージをお選びください。

革新的なソースダウンパッケージポートフォリオ

インフィニオンのOptiMOS™ソースダウンポートフォリオは、PQFN 3.3mm x 3.3mmおよびPQFN 5mm x 6mmのパッケージオプションで提供され、電圧は25Vから150Vの範囲です。2つのフットプリントバージョンが利用可能です。

  • Corner-Gate: 既存のPCB設計への導入が容易
  • センターゲート: 並列化に最適化されています。

優れた熱管理と高電力密度を実現するには、ボトムサイドクーリング(BSC)とデュアルサイドクーリング(DSC)のオプションからお選びください。

インフィニオンのMOSFETテクノロジーは、幅広いアプリケーション向けに優れた性能、信頼性、熱管理を提供します。

標準およびセンターゲート フットプリント オプションを提供しています。

インフィニオンは、2つのソースダウンフットプリントバージョンを提供しています。

  • インフィニオンは、2つのソースダウン構造のフットプリントバージョンを提供しています。
    • ソースダウン標準ゲート: 現在のPQFN 3.3 mm x 3.3 mm/PQFN 5 mm x 6 mmのピン配置構成に基づいており、このパッケージは、ドレインダウン パッケージを新しいソースダウン パッケージに簡単に置き換えることができます。
  • • ソースダウン センターゲート: ゲート ピンを中央に移動させ、複数のMOSFETの並列構成を容易にします。 ドレインからソース間の沿面距離が0.75mmと長いため、複数のデバイスのゲートを1つのPCB層に接続することができます。 また、ゲート接続を中央に移動すると、ソース領域が広くなり、デバイスの電気的接続が改善されます。

ソースダウンPQFNパッケージの両面冷却技術の詳細をご覧ください。

デュアル冷却パッケージによるサーマル マネージメントの最適化

ソースダウン パッケージでは、シリコン ダイのソース側にあるアクティブ レンチが熱を発生し、熱はサーマル パッドを通じてPCBに直接放散されます。これにより、製品ファミリのRthJCは1.8 K/Wから1.4 K/Wへと20%以上向上します。また、上面の露出により、上面のRthJCが20K/W(オーバーモールド時)から0.7K/Wに向上しました。デバイス上部のヒートシンクは、この低いRthJCトップを利用できるため、オーバーモールドパッケージと比較して最大3倍の消費電力を実現できます。

幅広いMOSFETのポートフォリオから、お客様のニーズに最適なパッケージをお選びください。

革新的なソースダウンパッケージポートフォリオ

インフィニオンのOptiMOS™ソースダウンポートフォリオは、PQFN 3.3mm x 3.3mmおよびPQFN 5mm x 6mmのパッケージオプションで提供され、電圧は25Vから150Vの範囲です。2つのフットプリントバージョンが利用可能です。

  • Corner-Gate: 既存のPCB設計への導入が容易
  • センターゲート: 並列化に最適化されています。

優れた熱管理と高電力密度を実現するには、ボトムサイドクーリング(BSC)とデュアルサイドクーリング(DSC)のオプションからお選びください。

インフィニオンのMOSFETテクノロジーは、幅広いアプリケーション向けに優れた性能、信頼性、熱管理を提供します。

ドキュメント

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デザイン リソース

開発者コミュニティ

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