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PQFN 3.3 x 3.3

PQFN 3.3 x 3.3パッケージに搭載されたOptiMOS™およびStrongIRFET™低電圧パワーMOSFET

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概要

Power Quad Flat No-lead (PQFN) 3.3 x 3.3mm MOSFETパッケージは、高効率をコンパクトサイズで実現します。

主な機能

  • Low RDS(on)
  • スモールアウトラインパッケージ
  • Low gate charge
  • スーパーロジックレベル(2.5V)対応
  • ロジックレベル(4.5V)対応

製品

概要

幅広いアプリケーションに対応する高効率で省スペースのソリューション

このsmall-outline package (SOP) のMOSFETファミリーは、効率と電力密度の向上を必要とするアプリケーションに最適です。 PQFN MOSFET製品は、StrongIRFET™およびOptiMOS™ MOSFET技術とともに利用でき、汎用アプリケーションと高性能アプリケーションの両方に最適化されたソリューションを提供します。

PQFN 3.3 x 3.3mmパッケージの低電圧パワーMOSFETポートフォリオ

このポートフォリオは、単一のNチャネルおよびPチャネルMOSFET、および デュアルチャネルMOSFETで構成されています。このファミリーは、さまざまな設計要件に対し-30Vから250Vまでの電圧範囲から選択でき、標準のドレインダウンおよびソースダウンピン構成は、PQFN 3.3 x 3.3パッケージ製品で入手可能です。

PQFN 3.3 x 3.3の主な利点 MOSFET

PQFN 3.3x3.3のファミリー4.5Vおよび2.5Vのゲート駆動能力により、ゲート駆動に柔軟性を提供します。RDS(on)が低いため、システム全体の設計を効率化できます。スモールアウトライン パッケージにより基板スペースが削減されるとともに、ゲート電荷が小さいためスイッチング損失と駆動損失が低減され、設計効率が向上します。

幅広いアプリケーションに対応する高効率で省スペースのソリューション

このsmall-outline package (SOP) のMOSFETファミリーは、効率と電力密度の向上を必要とするアプリケーションに最適です。 PQFN MOSFET製品は、StrongIRFET™およびOptiMOS™ MOSFET技術とともに利用でき、汎用アプリケーションと高性能アプリケーションの両方に最適化されたソリューションを提供します。

PQFN 3.3 x 3.3mmパッケージの低電圧パワーMOSFETポートフォリオ

このポートフォリオは、単一のNチャネルおよびPチャネルMOSFET、および デュアルチャネルMOSFETで構成されています。このファミリーは、さまざまな設計要件に対し-30Vから250Vまでの電圧範囲から選択でき、標準のドレインダウンおよびソースダウンピン構成は、PQFN 3.3 x 3.3パッケージ製品で入手可能です。

PQFN 3.3 x 3.3の主な利点 MOSFET

PQFN 3.3x3.3のファミリー4.5Vおよび2.5Vのゲート駆動能力により、ゲート駆動に柔軟性を提供します。RDS(on)が低いため、システム全体の設計を効率化できます。スモールアウトライン パッケージにより基板スペースが削減されるとともに、ゲート電荷が小さいためスイッチング損失と駆動損失が低減され、設計効率が向上します。

ドキュメント

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デザイン リソース

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する ", "labelEn" : "Ask the community " }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "製品フォーラムのディスカッション ", "labelEn" : "View all discussions " } ] }